以铝作过渡层的c轴取向Si基ZnO晶体薄膜的生长及其肖特基二极管的研制

利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基Zn O晶体薄膜,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对Zn O薄膜的晶体质量和电学性能进行了分析.结果表明,Zn O薄膜具有高度的c轴取向,样品表明光洁、平整,薄膜与衬底之间有清晰的过渡区.在此Zn O薄膜上成功地制备了肖特基二极管的原型器件,室温下的I- V测试结果表明该Au/ Zn O/ Al肖特基二极管具有明显的整流特性     

磁控溅射AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结二极管及其光电特性的研究

利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN∶Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,成功制备AlN∶Mg/ZnO∶Al透明异质结二极管.实验结果表明:AlN∶Mg/ZnO∶Al异质结具有明显的Ⅰ-Ⅴ整流特性,正向开启电压1V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3m...     

氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜PN结的影响

利用磁控溅射法,在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al(Al掺杂的ZnO或AZO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/ZnO:Al透明异质结二极管。使用UV-1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜性能的影响。实验结果表明:500℃退火范围内,NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升,500℃时透过率在80%以上,NiO/ZnO:Al薄膜的透过率明显提高;在400℃时,NiO/ZnO:Al薄膜整流特性最佳。     

退火对Pt/TiO2肖特基二极管结构及电学性能的影响

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行表征与结构分析.结果表明,退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构.在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153～433 K温度范围内对其进行了I-V测试,得到以下结果:在整个温度范围内,A1/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流特性;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433 K下,理想因子为1.31,势垒高度为0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管.     

氮气退火对NiO/ZnO薄膜PN结的影响

利用磁控溅射法,在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al（Al掺杂的ZnO或AZO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/ZnO透明异质结二极管。使用UV—1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO薄膜性能的影响。实验结果表明： 500℃退火范围内,NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升,500℃时透过率在80%以上,NiO/ZnO薄膜的透过率明显提高;在400℃时,NiO/ZnO薄膜整流特性最佳。     

Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质

将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。     

退火对Al掺杂ZnO薄膜材料结构性能和表面形貌的影响研究

采用无机盐溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度和退火时间对ZnO:Al薄膜结构和形貌的影响.结果显示,ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿C轴的(002)择优取向,随退火温度的升高或退火时间的适当延长,衍射峰的半高宽减小、强度增强,晶粒尺寸增大.结果表明,通过适当控制退火温度和退火时间可以得到高质量的ZnO:Al薄膜.     

硅基PbSe/BaF_2/CaF_2薄膜及其光电特性

采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍射峰峰宽窄 (15 3arcs) .外延生长的 Pb Se薄膜被应用于制作光电二极管 ,首次采用热蒸发金属铝膜在 Pb Se表面形成 Al- Pb Se肖特基结光电二极管 ,获得了比 Pb- Pb Se肖特基结更为稳定和理想的电流 -电压特性曲线     

直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性

报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 1e2 ～ 1e3 Ω·cm ,载流子浓度为 1e15～ 1e16cm-3 ,迁移率为 0.5～ 1.32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV     

硅基PbSe／BaF2／CaF2薄膜及其光电特性

采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X－光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高,PbSe表面光亮,无形裂现象发生,X－光衍射峰峰宽窄（153arcs)。外延生长的PbSe薄膜被应用于制作光电二极管,首次采用热蒸发金属铝膜在PbSe表面形成Al-PbSe肖特基结光电二极管,获得了比Pb-PbSe肖特基结更为稳定和理想的电流－电压特性曲线。     

热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究

采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上沉积了Zn薄膜,然后在空气中进行了400 ℃至550 ℃加热退火处理,并基于金属-半导体-金属(MSM)平面式结构,制备了ZnO光电导型紫外探测器.实验发现:退火后的薄膜样品表面出现了ZnO纳米线,纵横比在300～1000间;探测器的响应峰值波长约为360 nm,紫外区光响应度是可见区的5倍以上;360 nm紫外光照射的瞬态响应符合e指数变化规律,e指数曲线拟合所得到的驰豫时间常数反映了这个过程中的时间积累.     

Fe膜硫化法制备FeS_2薄膜

由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（α＞６×１０５ｃｍ－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜     

薄膜的纳米世界

原子级薄膜形貌的成因和演变的历史可以追溯到19世纪中叶关于薄膜沉积的最早的几篇文章.研究者追踪了在低吸附原子迁移率条件下制备薄膜的文献,并将研究者对薄膜形貌定量化研究方面的成就和现状的思考进行了整理.基于纳米级原子团簇的演化的薄膜原子模型,原子自阴影和竞争形成柱状生长,这些成为量化处理的主要部分.研究雕塑薄膜是一个连接形貌学模型科学和实际薄膜发展的例子.     

光学薄膜,光电子薄膜及光学有机薄膜

本文评介了新技术，新材料和新工艺在薄膜技术的应用及其最新发展。     

BaTiO_3薄膜的磁控溅射生长及特性研究

用射频磁控溅射方法制备了 Ba Ti O3 (BT)薄膜。用扫描电镜 (SEM)观察了 Ba Ti O3 薄膜表面形貌、截面结构。电子探针分析表明样品具有良好的组份均匀性。介电特性研究表明材料同样具有较好的微结构     

共价结合法制备细菌视紫质分子薄膜及薄膜光电特性与微结构

本文报导了一种引入活性基团共价结合细菌视紫质制备分子薄膜的方法,并对该分子膜的光电压、光电流、光谱响应、光强影响、响应时间和弛豫时间进行了测定。发现其光电压和光电流的产生随光照强度的增加而增加,当入射光功率密度为1mW/cm~2时,可产生光电流密度为9.6×10~(-8)A/cm~2和光电压密度为11.6mV/cm~2,响应时间为1s,弛豫时间3.5s。同时借扫描电镜术对分子薄膜的形貌进行了观察。     

金刚石膜及类金刚石膜的光学应用研究进展

金刚石膜及类金刚石(DLC)膜由于具有宽光谱透过率高、硬度高、摩擦系数小、化学稳定性好等优点,可以作为多种光学材料如硅、锗、玻璃、硫化锌、MgF2,HgCdTe,KCl等的增透/保护膜,起到抗磨损、抗腐蚀、抗潮解和抗氧化的作用.金刚石膜及类金刚石膜已被应用于太阳能硅电池、高功率CO2激光器窗口、潜望镜红外(IR)窗口、飞机前视红外窗口、导弹头罩窗口和宇航探测器等.总结了这一方面的应用和研究进展,展示了金刚石膜及类金刚石膜巨大的优越性与广阔的应用前景.     

金刚石薄膜半导体器件

介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相对于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。     

GaN薄膜的微区Raman散射光谱

报道了低压MOCVD生长的同-GaN薄膜不同位置的微区Raman散射光谱.观测到了微区结构不完整对Raman谱的影响.通过X射线衍射分析,证实了该样品晶体质量是不均匀的,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因.结合Hall测量结果,对GaN薄膜的A1(LO)模式的移动进行了电声子相互作用分析,认为A1(LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关,而是受内部应力分布不均匀的影响所致.     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性的研究

用水平推舟液相外延的方法，以CdZnTe作衬底，固态HgTe作为Hg补偿源，从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜。通过选择合适的温度控制和生长速率，获得组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜。