p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列

采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储,具有优异的存储特性.以2×2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理.研究结果表明:这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用.     

新型多位非均匀沟道电荷俘获型存储器及新型虚拟源端的NAND阵列结构

为了解决传统多位存储NAND型存储器中位与位互相干扰的问题,本文提出了一种新型的用于多位存储的非均匀沟道电荷俘获型存储器及新型NAND结构。该器件能够很好地抑制SBE效应从而提供3比特/单元的存储能力。由于n-缓冲区的存在,由SBE效应导致的阈值电压漂移能够减小到400mV,在3比特/单元的存储能力下最小阈值电压窗口可以达到750mV。本器件还引入了富硅氮氧化硅层最为电荷俘获层,从而很好地提高了器件的电荷保持特性。     

复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟

本文采用准经典近似的Monte Carlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟.研究结果表明,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用,存储器的存储时间特性可得到极大提高.我们进一步研究了N沟道锗/硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性,得到其存储时间可长达数年,同时写擦时间可分别为μs和ns量级,从而这种新型的器件结构可以有效解决快速编程和长久存储间的矛盾.     

SONOS非易失性存储器件研究进展

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。     

新型单电子存储器

日本NTT公司研制成功了以单个电子存储信息的新型半导体存储器样品。该存储器的特点是:即使在室温下也可稳定地工作。此外,其功耗小,并且存储容量是曾研制的单电子存储器的5倍。NTT称,他们已完成了器件级的基础技术研究。这种新型器件是可望代替 随机存储器DRAM和快擦写存储器的大有前途的新器件。NTT今后将进行其大容量集成的实用器件研制。普通的存储器的每个单元可区别“0”和“1”,因而可存储1比特的信息。NTT开发的新型存储器可区别32种状态,因此其可存储2的5次方,即5比特的信息。NTT试制的单电子存储器,可在25℃的常温下稳…     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

基于刀片型限制结构的相变存储器阵列的热串扰效应研究

大数据时代的到来,对高密度存储和计算的速度、功耗提出了更高的要求.相变存储器由于具有较短的读取延迟和良好的可扩展性,在存储和计算领域中具有广阔的应用前景.将相变存储器扩展为高密度存储阵列时所产生的热串扰现象是目前阵列集成所面临的重要挑战,而热串扰所产生的干扰热量会进一步传递到相邻单元并使其发生误操作,导致存储器阵列的可靠性、准确性和稳定性受到影响.因此,本文针对一种新型刀片型结构的3×3相变存储器阵列在激活状态下的热串扰现象进行了系统研究,通过仿真计算软件Comsol Multiphysics系统研究了新型刀片型结构的相变存储器阵列对热串扰的敏感性,并探讨了器件单元间距、器件结构尺寸、编程脉冲以及阵列的缩放效应对存储器阵列在工作时所产生的热串扰效应及其功耗的影响.研究结果显示：基于新型刀片型结构的相变存储器阵列,即使将其缩放到20 nm的技术节点,在5 nm的器件单元间距下仍可保持较低的最大热串扰温度.此外本文对阵列单元外部的绝缘层材料进行了改进,通过使用较高热导系数的AlN薄膜来代替SiO2薄膜,在存储器阵列功耗几乎保持不变的情况下进一步有效抑制了热串扰效应,使其最大热串扰温度下降了...     

有机非挥发存储器件:浮栅结构有机薄膜晶体管

提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理.该器件通过控制浮 置栅上的电荷来控制 FG-OTFT 器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储“0”和“1”两个状态,故这种器 件可以被用作有机非挥发存储器.我们通过计算机数值模拟的方法对这种器件进行了研究.研究表明...     

纳米晶存储特性的研究

常温下硅纳米晶构成的MOSFET存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在ULSI中有重要的应用前景.它是当前ULSI研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道.本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展.     

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.