硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响

采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,并减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,提高了非平衡少子寿命.     

磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用

研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝).采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命,发现磷-铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上,其次是磷吸杂,铝吸杂再次之.采用吸杂后的多晶硅片制备了1cm×1cm的太阳电池,与相同条件下未经吸杂制备的电池相比,发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性,其中磷-铝联合吸杂提高电池效率最大,达40%以上,最差为铝吸杂,只有15%左右的提高,这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致.实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,减少了载流子的复合中心,从而提高了有效少数载流子的寿命;而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率.     

磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用

研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝)．采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命，发现磷铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上，其次是磷吸杂，铝吸杂再次之．采用吸杂后的多晶硅片制备了1cm×1cm的太阳电池，与相同条件下未经吸杂制备的电池相比，发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性，其中磷铝联合吸杂提高电池效率最大，达40％以上，最差为铝吸杂，只有15％左右的提高，这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致．实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用，减少了载流子的复合中心，从而提高了有效少数载流子的寿命；而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率．     

废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片工艺研究

论述分析了国内外晶体硅太阳电池回收技术现状,研究了太阳电池的结构及制备工艺,提出了废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片的工艺.依次去除铝背场/铝硅合金层/背银、氮化硅减反膜/正银、磷扩散层及金属杂质,得到高纯硅片.硅原料的回收率高达76.4％,回收的高纯硅片经检验检测,其电阻率、间隙氧浓度、代位碳含量和少子寿命均符合GB/T 29055-2012中规定的性能参数.该回收工艺路线简单,回收率高,成本低,适于产业化推广.废弃太阳电池的回收再利用不仅可以在一定程度上缓解硅原料短缺的问题,还可以减少废弃的太阳电池给环境造成负担.     

冶金法n型多晶硅磷、硼吸杂实验的研究

研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。     

多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析

为了提高多晶硅片的转换效率,提高多晶硅片少子寿命是一个重要的方法和途径,然而在生产过程中影响多晶硅片少子寿命的因素有很多,主要有杂质含量,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等。通过对分凝原理的研究,利用微波光电导测试原理对多晶硅锭少子寿命的分布做了分析,并对硅片厚度及晶粒尺寸进行研究,经过研究发现,多晶硅片少子寿命主要受原料金属杂质含量的大小,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等因素的影响。     

一种适于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上。另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化、扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。     

一种适用于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验，少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％￣１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上，另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化，扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。     

钝化层和铝电极浆料共烧结制备硅太阳能电池背电极

提出了一种新的硅太阳能电池背场结构及其形成方法,在硅片背面先制备一层氮化硅膜,然后再印刷背面铝电极,通过钝化层和铝电极浆料共烧结制备硅太阳能电池背场结构。在常规铝浆中添加易于同氮化硅反应的高活性玻璃粉,对比了钝化层厚度、玻璃粉种类和含量对氮化硅层的烧蚀效果以及对背电极硅片间接触电阻的影响。当铝浆中高活性玻璃粉添加量为质量分数4%,氮化硅厚度10 nm时,比常规铝浆在无钝化膜的硅片上制备的电池最高效率高出约0.26%。     

一种测量硅中少子扩散长度和复合寿命的新方法

少子扩散长度和少子复合寿命是硅片的重要参量.本文介绍了在硅片上制造突变结的二极管来测量和计算硅片中的少子扩散长度和少子复合寿命的新方法,其基本原理就是依据肖克莱方程所显示的二极管伏安特性.该方法还适用于改变测试温度的条件,由此可获得不同温度下的少子扩散长度和少子复合寿命这二个参量的数值.