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紧缩型SOI多模干涉光开关的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD-BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。 相似文献
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设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫一曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0dB,其中包括光纤波导耦合损耗4.3dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。 相似文献
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设计了一种基于绝缘层上硅(SOI)的推挽式硅-有机物混合(SOH)马赫-曾德干涉型(MZI)电光调制器.利用薄膜模式匹配法对槽波导(slot)的光场分布进行了仿真分析,优化后得到了限制因子为0.32的slot波导结构.采用推挽式马赫-曾德干涉仪结构,并在相移臂嵌入LX M1非线性有机材料,得到半波电压-长度积Vπ·L为0.885 V·mm、电学响应带宽fRc可达123.2GHz、开关速度为8.11 ps的SOH调制器结构.利用基于本征有限元法求解麦克斯韦方程,对共平面波导电极系统进行了计算仿真,获得了特性阻抗接近50 Ω、高频速率匹配的电极结构. 相似文献
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Monolithic Integration of a Multiplexer/Demultiplexer With a Thermo-Optic VOA Array on an SOI Platform 总被引:1,自引:0,他引:1
《Photonics Technology Letters, IEEE》2009,21(5):319-321
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