光控单稳-双稳转换逻辑单元

用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以设计和制作诸如D型触发器等不同功能的光控逻辑电路单元.     

光控单稳-双稳转换逻辑单元(英文)

用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以设计和制作诸如D型触发器等不同功能的光控逻辑电路单元.     

RTD/HPT光控单-双稳转换逻辑单元

以光接收器件代替RTD MOBILE(RTD单-双稳转换逻辑单元)电路中的HEMT或HBT,可构成光控MOBILE电路。在比较了四种光控MOBILE结构的基础上,选择RTD/HPT光控结构,重点分析讨论了RTD/HPT光控MOBILE的工作原理,当光控MOBILE的输入光功率超过一个临界值时,MOBILE的输出电压便会从高电平跳变到低电平;由HPT光增益理论分析了提高HPT性能的措施以及HPT设计中应该注意的问题;介绍了以Si光三极管代替HPT,通过模拟实验,验证了RTD/HPT光控MOBILE的逻辑功能。     

RTD/UTC-PD高速光控MOBILE

单向运动载流子光二极管(UTC-PD)具有高速和大电流的特点,与RTD相结合可构成一高速光控MOBILE,能够应用于80Gb/s的光纤通信、光信息处理和高速光网络中。在详细介绍UTC-PD的基础上,讨论了RTD/UTC-PD光控MOBILE的工作原理、材料结构和制作工艺、电路性能测量等,并进一步将上述结果推广到交流信号情况下RTD/UTC-PD光控MOBILE的瞬态特性。结果表明,存在三个因素影响该单元电路的工作速度,即交流电流效应、开关延迟时间和UTC-PD器件的带宽。     

RTD/HEMT多值逻辑(MVL)电路的PSPICE模拟

由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元。由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可以大大减少器件的数目,用最少的器件完成一定的逻辑功能。本文对多值逻辑(MVL)中的文字逻辑门用PSPICE模拟软件进行了电路模拟,模拟结果与预期结果一致,并有助于指导该电路的设计。     

由RTD构成的MOBILE单元电路研究

对由共振隧穿二极管(RTD)构成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)电路进行了详细地研究与分析,并结合实际RTD的特性用PSPICE进行了MOBILE单元电路模拟,总结和验证了MOBILE单元电路变化的三条规律,为进一步研究由RTD构成的多种复杂数字电路奠定了基础。     

Realtek平板显示控制芯片的OSD设计

详细描述了Realtek公司RTD系列平板显示控制芯片的OSD设计方案.该系列芯片具有相同的字符型OSD寻址和存取寄存器入口地址.设定这些入口地址就可以写入框架控制寄存器、窗口寄存器和字体寄存器,从而实现期望的在屏显示功能.在此框架的基础上,实现了基于RTD2523B的标识设计和多层菜单设计.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路

介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.     

一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路

介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.     

一种适用于锁式铁氧体器件的驱动电路

分析了锁式铁氧体器件的等效负载特性,在此基础上给出了专用驱动电路的设计,并分析了其原理以及应用结果。从中可以看出,该电路能用于驱动所有锁式铁氧体器件,特别适用于驱动锁式铁氧体移相器。     

一种用于激光告警的PIN面阵探测系统设计

针对激光告警技术中面阵成像探测方式容易产生漏警、虚警以及信号处理难度大的问题,提出了一种基于触发器阵列锁存的PIN面阵探测系统设计方案。该系统以触发器为基本单元,同时在PIN面阵探测电路的输出端设计了信号锁存阵列,可将来自PIN面阵探测器所有通道的输出信号同步锁存,并设计了读取电路将锁存阵列中的面阵数据以串行数据的形式输出。采用FPGA搭建了阵列规模为8×8、角度分辨率为6°的信号锁存阵列和读取电路进行了试验验证,结果表明该方案可以实现高分辨率激光告警功能。     

A three-valued D-flip-flop and shift register using multiple-junction surface tunnel transistors

A three-valued D-flip-flop (D-FF) circuit and a two-stage shift register built from InGaAs-based multiple-junction surface tunnel transistors (MJSTT) and Si-based metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFET) have been demonstrated. Due to the combination of the MJSTTs latching function and the MOSFETs switching function, the number of devices required for the D-FF circuit was greatly reduced to three from the thirty required for the FET-only circuit.     

High-speed demonstration of an output interface driver forsingle-flux quantum systems

The high-speed operation of a one-channel output interface for a single-flux quantum (SFQ) system has been demonstrated. The interface consisted of a Josephson latching driver, a room-temperature semiconductor amplifier, and a decision circuit module. The Josephson latching driver was fabricated by using a 2.5-kA/cm² standard Nb junction process and used to amplify an SFQ pulse into a 5.5-mV level signal at 10 Gb/s. The interface converted the SFQ pulse signal into a nonreturn-to-zero signal having an amplitude of 1 V at 10 Gb/s     

磁保持继电器在星载雷达直流配电器中的特殊应用

磁保持继电器作为一种新型的节能电器,在星载直流配电系统中有着较为广泛的应用。本文针对星载雷达直流配电器空间真空环境的特殊性,从电路可靠性、绝缘安装和静电放电三个方面,分析磁保持继电器在星载领域应用的特殊性。     

Parasitic SCR between a Schottky diode and an adjacent transistor

A Schottky diode and an adjacent transistor in integrated circuits may show parasitic silicon controlled rectifier (SCR) latching. This parasitic effect must be taken into account by circuit designers. If the SCR latches, an undesirable electrical short is formed between the Schottky diode and the emitter of the transistor. In this paper the conditions are investigated under which the parasitic SCR can switch. Experimental data are presented which show the validity of the theoretical considerations. Recommendations are given on how to suppress parasitic SCR latching.     

一种宽动态范围跨阻放大器的设计

针对光电探测器的光电流信号弱、变化范围大的特点,设计了一种全新的检测光电流信号的跨阻放大器(TIA)电路结构,其检测电流信号范围为1.6 μ上A～1.6 mA,动态电流检测范围达到60 dB.通过在电路内部设计出两个增益可调、增益段不同的TIA,分别处理光电流的小电流段(1.6～50 μA)和大电流段(50 μA～1.6 mA),增益可调范围为56～96 dBΩ;通过外置输出电压饱和检测信号,选择所需工作的TIA及其增益段.该电路采用0.18 μm标准CMOS工艺的PDK进行电路设计、版图设计和仿真验证等.测试结果表明:在检测电流为1.6 μA时,输出电压为95 mV;检测电流为1.6mA时,输出电压为915 mV,与仿真结果相一致.电路瞬态特性良好,上升时间为5～10 ns,3.3V电压下功耗小于2 mW,各指标满足设计要求.     

The limiting performance of a CMOS bistable register based on waveform considerations

The fundamental latching behaviour of a CMOS bistable register is described. The circuit response of two cross coupled NAND gates being driven by a data and a clock signal can be decomposed into four individual regions of operation. Closed form small signal solutions for each region of operation are described and favourably compared with SPICE. The third region of operation contains the closed loop regenerative mode of operation inherent to the bistable NAND gate configuration and fundamental to the latching behaviour of a register. From these results, necessary and sufficient conditions for latching data into a bistable register are developed. Finally, from these necessary and sufficient conditions, the limiting condition for latching is presented and verified by SPICE.