单片式SAW卷积器/相关器初步探讨

ZnO/SiO_2/Si单片式SAW卷积器/相关器是一种层状结构的固态器件,具有坚实、小型、量轻、工作电压低、受环境干扰小、可程序化程度高以及能实时处理多种信号等优点.我们对ZnO/SiO_2/Si单片式结构的声卷积器/相关器进行了初步探索,器件技术指标为:中心频率60(或70)MHZ、带宽4MHz、卷积效率-63—65dBm、动态范围40dB、最小输入功率小于1dBm.本文简述器件研制过程,分析了提高卷积效率的可能性,提出了减小直接耦合信号的途径.随着器件性能的进一步提高,有可能在今后获得应用.     

单片式ZnO／Si SAW卷积器／相关器初探

声表面波(SAW)卷积器/相关器是扩频通信讯系统的关键部件。它可用作改善扩频通信系统信噪比的匹配滤波器元件。SAW卷积器/相关器还可用来消除雷达系统中的固有畸变和缩短处理时间,并能使其系统大大简化。本文叙述了制作在n型Si半导体基片上的单片式ZnO/SiSAW卷积器/相关器的设计、原理、结构、制作及其初步测试结果,并进行初略的讨论和提出改进性能的措施。     

SAW卷积器及其在信号处理中的应用

本文论述了采用聚能叉指换能器和△V/V波导进行波束压缩的声表面波(SAW) 卷积器的原理和设计.采用这种设计方案在YZ-铌酸锂基片上研制的SAW卷积器具有结构简单、卷积效率高、性能稳定可靠、一致性好和成本低等优点.在保证器件其它性能的条件下,着重提高了卷积效率,实测卷积效率(F_(Tc))为-71dB、动态范围为50dB,这种设计方案可适用于大时间一带宽积.本文还着重介绍用这种卷积器处理几种典型雷达信号(如固定载频脉冲调制信号;固定均匀脉冲串信号;线性调频信号等)的研究和实验情况,所得到的实验结果与理论分析一致.理论分析和实验结果表明,SAW卷积器能灵活而方便地处理多种信号波形.目前雷达波形设计和信号处理正经历由单一波形向多种波形程序控制,最后向波形自适应方向发展,因此SAW卷积器在雷达信号处理中将会有很大的潜力,应当加强和重视这方面的研究.     

GaAs单片式声表面波存储相关器

主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件；声表面波存储相关器，对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题：如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论，希望能对这种信号处理功能优良的器件未来的发展有所裨益。     

第七讲 声表面波卷积器/相关器

这一讲是描述声表面波卷积器/相关器,这是一类非常新颖且功能很强的信号处理器,应用潜力很广泛。因此,受到人们很大的重视并作了大量的研究。这类器件的基本原理是根据声表面波非线性效应,特别是在压电体表面上传播的声     

单片式Zno／Si Pn结二极管存储相关器／卷积器

本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。     

声表面波MZOS存储相关器／卷积器

本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。     

单片式声表面波声电振荡器

在以前发表的文章中,曾介绍了制作YZ-LiNbO_3-InSb层状结构的新技术,用这种技术制作的InSb薄膜的电物理特性如下:薄层电导率σd=(20-80)*10~(-6)欧~(-1)(σ为电导率,d为薄膜厚度);迁移率μ_d=(1000—1800)厘米~2/V_s;霍尔迁移率μ_H=(1500—2000)厘米~2/V_(so)以上述层状结构为基础的单片式声表面波(SAW)放大器在280兆赫的等幅波工作时净终端增益为15—30分贝。这种放大器的几何形状与科尔德伦的SAW等幅波放大器相似。显然,SAW振荡器和高频电振荡器都来源于具有相当反馈的放大器。 SAW放大器的性能与高频振荡器之间的     

卷积在信号处理中的应用

本文首先阐明了卷积在通信领域的意义,再利用具体的例子帮助大家深刻的理解卷积,最后对卷积在信号处理中的物理意义进行总结。     

单片式西沙瓦波卷积器的研制

单片式西沙瓦波(Seza wa)卷积器是信号处理的重要器件。本文对西沙瓦波卷积器的基本原理、主要设计参数作了描述,给出了我所研制的西沙瓦波卷积器的测试结果,并对器件的性能改进作了讨论。     

单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器

本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。     

声表面波卷积器／存储相关器用ZnO膜的制备

本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。     

声表面波弹性卷积器信号传播与相关

本文介绍了声表面波弹性卷积器的信号传播和相关,分析了卷积器的脉冲响应、自卷积及波导色散对相关峰值的影响.给出了实验结果.     

单片式振荡器在仪表中的应用

时钟可调、基于滤波器的正弦波发生器 可使一个封闭在反馈环路中的谐振器产生振荡.图1中的正弦波发生器就利用了这一点,从而免除了增设一个振幅控制环路的需要.这种在里根(Regan)谐振带通环路的基础上略做修改而成的电路是时钟可调的,并可产生正弦和余弦输出.     

声表面波卷积器在扩谱通信和宽带雷达中的应用

为了对扩谱通信和宽带雷达用的时宽带宽积超过10~3且具有连续变化扩展码的宽带波形进行匹配滤波,已研制出声表面波卷积器及其辅助电路。对扩谱通信来说,为了使时宽宽积为10~6或更大的波形与100兆赫信号的微秒级搜索窗相关,以及实现数据解调和测距的反多路径处理,提出了一些附加信号外理技术。对宽带雷达来说,包括距离选通和缓冲用的高速光电子跟踪保持电路,以及多普勒处理用的电荷耦合器件矩阵-矩阵乘积电路芯片,还有声表面波卷积器,以便为1280个距离单元的每个提供0.75米的距离分辨力和32个多普勒单元。     

单片式ZnO—SiO2—Si结构西沙瓦波卷积器

本文简述了单片式ZnO—SiO_2—Si结构西沙瓦波卷积器的原理、结构、设计、制作和实验结果,以及该器件的优点和应用前景。最后讨论了Si衬底切割和传播方向的最佳选择及增大带宽的途径。     

片式元件及其在中的应用

本文概述八十年代国内外片式元件硬其在微波集成电路中的应用,并提出今后可能的发展趋势。     

神经网络及其在信号处理中的应用

本文首先对神经网络作了概括介绍,综述了在信号处理中的应用情况,指出了一些重要的神经网络模型在不同的信号处理问题中的意义,讨论了进一步值得探索的方向。