Ce:LN晶体的生长和位相共轭效应

铌酸锂(LiNbO_3简称LN)具有电光效应和非线性光学效应,用以制做调制器,Q开关,倍频器等激光器件。但在激光密度较强时,晶体产生光折变,限制了LN在激光技术中的应用。利用LN晶体折变效应,在     

Mg:Ce:Fe:LN晶体的生长及位相共轭分析

在Ce:Fe:LN中掺进不同摩尔分数(0,2%,4%,6%)的MgO首次以提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体,并对晶体进行极化、氧化和还原处理。测试晶体的吸收光谱和光损伤阈值。Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收光谱吸收边相对Ce:Fe:LN晶体发生紫移。Mg:Ce:Fe:LN晶体光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体增大,研究了Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收边移动机理和光损伤阈值增加机理。采用4波混频光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率和响应时间,Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率相对Ce:Fe:LN晶体降低,但响应速度增加。以x(Mg)2%(摩尔分数):Ce:Fe:LN晶体位相共轭镜消除信号光波的位相畸变。     

全息法研究LN和Mg:LN晶体波导基片的光损伤

本文报道了用全息法研究铌酸锂(LN)晶体和掺镁铌酸锂(Mg:LN)晶体波导基片光损伤的结果。分别采用钛扩散和质子交换工艺制作波导基片;其中Mg:LN晶体波导基片的抗光损伤能力高于LN基片,质子交换波导片的抗光损伤能力高于钛扩散波导片。     

LN调制器电光与声光效应的共振耦合

本文报导和讨论了激光FM锁模中LN调制器电光与声光效应之间的共振耦合现象。     

声共振时LN晶体的声光-电光耦合作用

对LN晶体在声共振情况下的声光—电光耦合现象进行了实验研究,报导了有关实验结果。     

铌酸锂低半波电压电光调制器研究

对降低铌酸锂(LN)电光调制器的半波电压进行了研究,探索了利用反射结构实现低半波电压的原理.通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器.测试表明,这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压.     

双掺Mg：Fe：LN晶体中构造光子晶格的实验研究

为了提高光子晶格的衍射效率,加快晶格写入时间,尝试在掺Fe浓度相同的双掺Mg：Fe：LN晶体（ Fe：0.03 wt.%, Mg：2.0 mol）和Fe：LN晶体（ Fe：0.03 wt.%）中分别用λ为488 nm半导体激光器和532 nm Nd：YGA固体激光器写入一维光子晶格,对比研究了两晶体内光子晶格最大衍射效率η和时间t的关系。实验结果表明,在双掺Mg：Fe：LN晶体内写入光子晶格时间比Fe：LN晶体所需时间短、衍射效率高。     

连续可调V_π的LN电光调制混合型光双稳设计原理

本文在研究LiNbO_3为非线性介质,利用电光调制特性实现了LN晶体混合型光学双稳态的基础上对“调制函数曲线”进行了初步探讨,提出了《调制函数曲线》的平移方法:当原光双稳系统插入单轴折射晶体后其原调制函数曲线不但相位发生了改变而且将晶体的半波电压1435伏降为750伏。据此,绘制了θ与V_π关系曲线。此曲线被称为LN晶体半波电压工作曲线,亦即LN晶体调制函数曲线。由实验得知:当双轴折射晶体与两平行偏振面的调制夹角θ_j=10°、20°……45°,则非线性晶体半波电压降为V_(πj)=125、     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

硅酸镓镧晶体电光调制器

用新型非线性材料硅酸镓镧(LGS)晶体制作了电光调制器,研究了单晶硅酸镓镧晶体的电光效应。利用极值法和倍频法测定了硅酸镓镧晶体的半波电压值,计算出电光系数γ11分别为1.85pm/V和1.90pm/V,对比发现倍频法比极值法实用、快速、方便。测定了在0.3～0.6328μm波长内硅酸镓镧单晶的旋光率为21.1°～2.6°/mm。利用自制的高压调制电源进行了调制实验,实验结果表明:有旋光性非线性材料硅酸镓镧晶体是一种新型电光晶体,可用作电光调制器,调制信号稳定。     

碲化镉电光调制器性能研究

在阐述了平行板型碲化镉电光调制器的有关特性和理论的基础上，分析了设计１０．６μｍ激光波段的碲化镉电光调制器应该考虑的问题和解决的方法，叙述了利用国产碲化镉单晶在国内首次研制的平行板型集总参数碲化镉电光调制器的基本结构、调制实验及对该调制器碲化镉晶体电光张量的测试。     

退火对铌酸锂晶体电光性能的影响

铌酸锂晶体加工过程中产生的内应力使其变为双轴晶,并引起电光感应轴的偏离。本文分析了感应轴偏离对组合调制器性能的影响.应用退火工艺可以消除铌酸锂晶体感应轴的偏离,提高了组合调制器的电光性能。     

Cu:Fe:LN晶体光折变性能的研究

在Fe∶LN晶体中掺进不同质量分数(0.08%、0.12%、0.16%)的CuO以提拉法生长Cu∶Fe∶LN晶体,对晶体进行极化,还原或氧化处理后,对晶体的抗光致散射能力,衍射效率,写入时间和擦除时间进行了测试,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明,Cu∶Fe∶LN晶体全息存储性能优于Fe∶LN晶体。以Cu∶Fe∶LN晶体中Cu作为深能级,Fe作为浅能级,可实现双光子全息存储,且衍射效率不随时间发生变化。     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

锡焊PM/LN声光器件的频率特性

本文简要叙述了锡焊PbMoO_4(PM)晶体与LiNbO_3(LN)Y-36°切换能器的声光器件性能.用Mason等效电路和Sittig方法计算了TL-f/f_0的关系,确定了换能器3分贝带宽及其相应的工艺参数.锡焊PM/LN用冷压焊法,在70公斤/厘米~2压力下,获得了大于50公斤/厘米~2的抗拉强度.已制作成的声光脉冲调制器,在6328埃光波长下测量,驱动功率<1.5瓦时,衍射效率>80%,脉冲上升时间的25毫微秒,脉冲重复率7兆赫以上.     

激光光强稳定装置

为了解决激光强度波动问题,我们应用ADP晶体电光调制器,加上晶体管电子线路来控制He-Ne激光光束,试验结果可以达到这个目的,由于通过电光调制器后的光强是随着加到调制器上的电压大小而变化,那么可以将激光输出的波动分量变为电信号加以放大,然后再加到调制器上,控制通过调     

通信用高功率高速率LiNb03电光调制器

由于光波通信比无线电通信具有诸多优点,日益成为当前研究热点.以用于自由空间光通信的高功率、高速率电光调制器为主要研究对象,从LiNbO3横向电光调制理论基础入手,对电光调制晶体调制器件的设计进行了讨论,并设计出了高功率高速率LiNbO3电光调制器,满足了最大输出光功率为150mW,总的激光利用效率为10%的技术指标,最后对电光调制器分别在室内18m、室外6.4 km进行了信号传输能力测试.     

高重复频率的双晶体光调制器Q开关

美帝西屋公司新产品部出售一种在高重复频率时提供精确电子控制Q开关的双晶体光调制器。此种光调制器是一种普克耳斯盒用作Q开关、光调制器或光闸。它的特征是低驱动电压和髙频率响应。调制器的工作性能、不受温度的影响,因为所用两个电光晶体装在对温度变化不灵敏的晶体盒里。     

RbTiOAsO4(RTA)晶体的电光性能

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４（ＲＴＡ）晶体的电光系数、介电常数和交流电导率,结果为：电光系数γ１３＝１０．８,γ２３＝１７．３,γ３３＝４０．０,γ５１＝１２．３,γ４２＝１４．６ｐｍ／Ｖ;介电常数ε１１＝ε２２＝１２,ε３３＝２１;交流电导率σｃ＝３．６×１０－８ｓ／ｃｍ。结果表明ＲＴＡ晶体波导调制器的品质因子ｎ７γ２／ε比ＫＴＰ晶体高１５％,但是其交流电导率比ＫＴＰ晶体小了两个数量级。这些性能使ＲＴＡ晶体有希望应用于波导调制器和其它电光器件。     

高频10.6微米红外激光束高效率调制

本文介绍一种工作在10.6微米并具有提高了调制效率与通带乘积的电光调制器。此调制器是一块砷化镓晶体作成,使光束在晶体内经反射几次后再通过。这项技术可增大调制效率同时保存着具有大带宽所适合的晶体容量。采用20瓦激励功率可达到:在1～250兆赫带宽内,调制效率为10％;55～85兆赫——40％。