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相似文献
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2.
介绍了E类调谐功效的主要特点,提出一种分析与设计的新方法,实验结果与理论分析基本相符。  相似文献   

3.
射频E类功率放大器并联电容技术研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法.  相似文献   

4.
电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在.E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景.论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸多挑战以及一些相应的解决措施,并以0.18μm CMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类功率放大器.Spectre仿真结果表明,所设计的功率放大器在 25.5 dBm的输出功率时,具有52.8%的功率附加效率.  相似文献   

5.
研制了2.14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键参数Cds,并在此基础上进行电路仿真,设计了馈电网络和负载匹配网络,有效抑制谐波分量。给出了功率放大器的实验结果,输出功率达到38.55dBm时,附加效率达到64.1%,与仿真结果吻合良好。  相似文献   

6.
研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力.在本文中,用0.6 u m CMOS工艺实现了E类放大器的设计.  相似文献   

7.
SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容,适合用于设计E类功率放大器.设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络,可以匹配至标准电阻,且抑制高至5阶的谐波.用ADS软件进行电路仿真,在2.14 GHz频率点下,峰值功率附加效率(PAE)为70.5%,漏极效率可达80%,功率增益约为10 dB.  相似文献   

8.
E类功率放大器是一种新型高效率放大器。是实现通信对抗领域用高效率、高功率、小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计计算方法,并根据计算结果设计了一款短波500W高效E类功率放大器,实际效率接近90%,而且体积小、增益高。  相似文献   

9.
曹韬  吕立明 《半导体技术》2012,37(9):715-719
介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性。详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程。选用GaNHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路。实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高达78.1%,功率附加效率为75.2%。实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性。  相似文献   

10.
介绍了E类调谐功放的主要特点,提出一种分析与设计的新方法,实验结果与理论分析基本相符。  相似文献   

11.
针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求,提出了一种Cascode结构的2.4 GHz E类高功率放大器。它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了片内全集成,包括输入与输出匹配网络,具有结构简单、高集成度等特点。同时,考虑了器件的击穿电压,高电流下的电迁移和高功率的稳定性等问题,并进行了优化设计。结果表明,在10 V电源电压时,放大器的输出功率高达30 dBm,效率PAE为39.69%,最大功率增益达14 dB。  相似文献   

12.
本文阐明了低频低噪声运放XD1531的设计原理。从电路和版图设计两方面论述了该电路整个设计过程。针对电路第一级的结构,采用低频低噪声方法进行设计。在版图方面主要考虑了降低低频噪声,尤其是降低表面1/f噪声的措施。通过对XD1531噪声性能的分析以及与国内外同类产品的比较,说明了该集成电路具有低噪声特性。同时,说明本文提出的设计方法对于降低集成电路的低频噪声是有效的。  相似文献   

13.
为了分析CDMA类宽带信号激励下MESFET功放的副谐波负载牵引特性,推导了一组基于MESFET非线性模型的功放电路Volterra转移函数解析式,利用此解析式,建立了三阶交调分量与副谐波负载的解析关系,分析了不同副谐波负载情况下副谐波牵引特性;并推导出了最优副谐波负载的表达式。该文还从两个三阶交调幅度的差异着手,证明了电抗性副谐波负载是造成这一差异的主要因素,上述推导得到的结果与采用ADS软件谐波平衡法仿真得到的结果吻合得很好。  相似文献   

14.
高效率E类放大器   总被引:10,自引:1,他引:10  
E类放大器是一种新型高效率功率放大器,理论效率接近100%,有很好的发展前景,本文介绍了E类放大器当前发展概况、电路结构、工作原理、技术特性;给出了理论分析、设计方法以及微波频段E类放大器出现的新问题,最后给出集中参数电路和微带电路的E类放大器实例。  相似文献   

15.
设计、制作并测试了一个Ka波段八路合成宽带功率放大器.测试结果表明在26.5GHz上最大输出功率约为4.2W(连续波),在26.4GHz上最大合成效率约为72.5%,在25.1~28.4GHz范围内合成效率大于60%.这种功率放大器的基本组成单元是一对含对称尖劈过渡结构的柔性基片集成波导(FSIW).将一组该单元上的对称尖劈沿波导窄壁分别插入相应的输入和输出矩形金属波导,就可在波导内实现宽带、高效率的功率分配和功率合成.结果表明这项技术可方便地用于宽带毫米波固态功率放大器设计.  相似文献   

16.
In this paper,we investigate the performance of the two-way Amplify-and-Forward (AF) relaying systems in an interference-limited Rayleigh fading environment.More specifically,assuming the presence of R...  相似文献   

17.
提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB.  相似文献   

18.
This paper focuses on a general model M/M/C queue for the switch path application, solving the case when packets at the head-of-line position have the same destination. These packets can pass through C paths to the same output port simultaneously. There are two types of service: the first in first out (FIFO) and the random order of service (ROS). Research concludes that among three switching paths, the response time of the FIFO type, under 70 per cent load condition, is better than that of the ROS type by 10 per cent. The theory of the binary hypercube is also used as a model for finding the steady-state probability (P000) in the case of zero packets in the system. Using P000 to determine performance, the authors’ proposed approach is shown to be superior to previously suggested methods.  相似文献   

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