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新兴的 3D 互联技术以及高产量的 MEMS 应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。最优化的 Alcatel 深层反应离子刻蚀系统可以同时满足工艺以及硬件生产性能的高要求。这些都已经在典型刻蚀工艺上进行了研究, 包括斜面刻蚀、堆叠时的 CMOS 刻蚀侧壁角度、3D 高精度惯性传感器的良好控制的形貌、大面积刻蚀的打印机喷头和硅麦克风应用。优化的工艺参数意味着在刻蚀率, 刻蚀的深宽比, notch free 的工艺, 光滑度以及高精度控制各方面的显著提高。Alcatel AMS 200 “I-Productivity”DRIE 机台用于高产量的工艺同时也确保了生产参数如整机效率的提高以及使用成本的降低, 这是通过机台的无可替代的硬件以及工艺方案实现的。 相似文献
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采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果,在进行氩离子铣的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备,但采取了一定的措施-使被刻样吕在刻蚀台座上可移动。 相似文献
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首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在等离子体刻蚀工艺中产生的刻蚀损伤进行了分类和表征,并基于该分析结果提出了工艺优化方案。最后总结了相变材料等离子体刻蚀技术的反应机理,相变材料的刻蚀是自发反应与离子辅助化学反应相结合的过程,同时物理溅射与低挥发性产物的离子激发脱附也起着重要的辅助作用。 相似文献
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高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀 总被引:2,自引:2,他引:0
初步研究了采用Cl2 /Ar /He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0. 45 Ga0. 55N材料的
ICP干法刻蚀工艺。采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加。采用传输线模型测量了刻蚀前后AlGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系。用扫描电镜( SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析。 相似文献
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Pyrex玻璃的湿法刻蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对Pyrex 7740玻璃的湿法刻蚀工艺进行了研究。实验中采用了几种不同的材料(光刻胶、Cr/Au、TiW/Au)作为刻蚀玻璃的掩膜,通过实验发现TiW/Au掩膜相对目前比较常用的Cr/Au掩膜有很多优点,如减少了玻璃的横向腐蚀,增加了深宽比,刻蚀图形边缘更加平滑等。还研究了腐蚀液成分配比对刻蚀结果的影响,发现刻蚀速率随HF浓度的增加而增加,且在HF浓度一定时,加入少量HNO3可以明显提高刻蚀速率。本文的实验结果对一些MEMS器件特别是微流体器件的制作有一定参考作用。 相似文献
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介绍了一种基于玻璃湿法刻蚀低成本的MEMS压印模版制作工艺,工艺中以单层光刻胶作为刻蚀掩模,重点研究了改善刻蚀图形几何轮廓和提高表面质量的方法。在对钻蚀形成机理进行分析的基础上,通过对比偶联剂不同涂敷方式及不同蒸镀时间对刻蚀结果的影响,优化了硅烷偶联剂的涂敷工艺,使钻蚀率降低到0.6,图形几何形状得到改善。分析了刻蚀生成物的溶解度,采用HCl作为刻蚀液添加剂对刻蚀产生的难溶物进行分解,提高了表面质量。对刻蚀表面缺陷的形成原因进行了分析,采用厚胶层工艺消除了表面缺陷。利用该工艺制作了图形特征尺寸为100μm的MEMS压印模版,并进行了初步压印实验,得到了很高的复型精度。 相似文献
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采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备(离子束斑极不均匀),但采取了一定的措施─-使被刻样品在刻蚀台座上可移动,模糊地实现了薄膜的相对"大面积"(直径φ≥20mm)均匀刻蚀─-可同时刻蚀2~3片6mm×10mm薄膜,并且被刻蚀部分表面起伏约在10nm左右。图形样品的最小线条达2μm,其Tc、Jc人与刻蚀前薄膜的Tc、Jc相当,即:TC为85~90K,Jc~106A/cm2(在77K下)。 相似文献