国外几种半导体新器件的发展概况

本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

光纤器件及其在光纤通信中的应用

光纤器件是光纤通信网络的基石，它的发展加速了光纤通信技术和产业的迅猛发展，它的进一步突破将会掀起光纤通信发展的新高潮。本文首先阐述光纤器件在光纤通业中的作用及其技术和产业发展的必然性；然后综述光纤器件的产业现状和发展走向。     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

应用遗传算法实现的MOS器件综合系统

为实现器件综合,即从期望的器件性能出发得到优化的器件设计参数,最关键的是要选用有效的优化搜索器件。文章将遗传算法应用于实现一个器件综合的原形系统,并通过对FIB-MOS器件的综合设计,验证了遗传算法和该器件综合原形系统的有效性。器件的参数化表示也被作为器件综合的重要问题进行了讨论。     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

声光器件中的热学效应

声光器件中的热学效应阎永志声光器件是指利用光弹效应的一类光功能器件。这种光弹效应是利用声波被施加到光学媒质上，从而改变光学媒质折射率来实现的。在激光调制、偏转、可调谐滤光以及利用多谱勒效应的光外差干涉等许多方面，声光器件有着广阔的应用前景。然而，在声...     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

合理选择模拟器件设计光纤产品

介绍MAXIM的光器件和用于光模块的周边模拟器件，以有保证激光二极管温度恒定以防止波长偏移的几种方法。     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

Wearable,Human‐Interactive,Health‐Monitoring,Wireless Devices Fabricated by Macroscale Printing Techniques

Wearable human‐interactive devices are advanced technologies that will improve the comfort, convenience, and security of humans, and have a wide range of applications from robotics to clinical health monitoring. In this study, a fully printed wearable human‐interactive device called a “smart bandage” is proposed as the first proof of concept. The device incorporates touch and temperature sensors to monitor health, a drug‐delivery system to improve health, and a wireless coil to detect touch. The sensors, microelectromechanical systems (MEMS) structure, and wireless coil are monolithically integrated onto flexible substrates. A smart bandage is demonstrated on a human arm. These types of wearable human‐interactive devices represent a promising platform not only for interactive devices, but also for flexible MEMS technology.     

埋嵌元件印制板技术的最新动向

概述了元件埋嵌印制板技术的开发必要性、背景、类型及其特征,最新的开发动向和今后的技术课题。     

GaN基短波光电器件的研究进展

介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望。     

Liquid Droplet Stamp Transfer Printing

Despite the increasingly significant role of flexible electronics in information, energy, and medical treatment, their integration with a special-shaped interface remains an unresolved challenge. The traditional transfer method, as a core technology of device integration, is still unsuitable for thinned chips and 3D sensors. Solid-contact elastomer stamp sometimes causes cracks while non-contact method such as sacrificial layer method fails to achieve precise positioning transfer. Herein, the authors present liquid droplet stamp transfer printing (LSTP) with a high yield ratio which allows flexible devices to be transferred form silicon wafer to complex special-shaped interfaces. Following the transfer scheme, the regulation of interface force is demonstrated with different thin-film patterns. Besides, the liquid droplet stamp is designed as an efficient tool to transfer thinned inorganic flexible chips. A thinned micro light emitting diode, extensively used in large-scale manufacturing of flexible circuits, is transferred and lighted successfully. In addition, a new method to fabricate 3D sensors is proposed with the liquid droplet stamp, which provides a new way of manufacturing wearable antenna and reconfigurable devices. Consequently, the LSTP has great potential for future sophisticated and system-level flexible devices transfer printing and plays a vital role in the research of 3D flexible electronics.     

能带混合量子阱与异质谷间转移电子器件研究

介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。运用这一新物理效应设计制成了新的异质谷间转移电子器件。给出了器件连续波和脉冲工作时的射频振荡特性。使用多能谷有效质量理论和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟方法模拟计算了器件直流和射频工作状态下的电子运动过程。提出了新的器件射频工作模式。最后讨论了能带理论研究在新器件开发中的重要作用和用能带理论研究设计器件的方法