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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
双基极Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极晶体管的电特性=Electricalcharacteristicsofdouble-baseSi/Si_(1-x)Ge_x/Siheterojunctionbipolartransis-tors[刊...  相似文献   

2.
采用分子束外延生长的高性能Si/SiGe异质结双极晶体管=High-performanceSi/SiGeheterojunctionbipolartransistorsgrownbymolecu-lar-beamepitaxy[刊,英]/Gruhle...  相似文献   

3.
高压氧化Ge_xSi_(1-x)/si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换=TransitionbetweenGesegregationandtrappingduringhigh-pressureoxldationofGe_xSi_(1-x)/Si[刊.英...  相似文献   

4.
Si/Ge_xSi_(1-x)结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤=High-resolutionreactiveionetchinganddamageeffectsintheSi/Ge_xSi_(1-x)system[刊,英]/Che-ung.R.…...  相似文献   

5.
用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上SiC薄膜的厚度=Thicknessdetermina-tionofSiC-on-Sithinfilmsbyanisotropicreactiveionetchingandpreferentialwetetc...  相似文献   

6.
Wen  Ruimei 《半导体学报》1998,19(12):945-950
Itiswelknownthatreverseosmosis(RO)isapressure-drivenprocessofwaterflowingacrossasemipermeablemembranefromthesolu...  相似文献   

7.
硅锗基极异质结双极晶体管:一个电流增益和正向渡越时间解析模型=SiGe-basehetero-junctionbipolartransistors:ananalyticalcurrentgainandforwardtransittimemodel[刊...  相似文献   

8.
Efficiencyanalysisofa-SiC:HthinfilmlightemittingdiodesZHOUYaxun(Dept.ofPhysics,NingboUniversity,Ningbo315211,Zhejiang,CHN)Abs...  相似文献   

9.
通过应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,光吸收体i层中N型或P型掺杂都会在i层中造成低场区而不利于光生载流子传输,指出μc-Si∶Hp-i-n太阳能电池制造中采用补偿μc-Si∶H薄膜充当吸收体i层能提高长波(>800nm)载流子收集效率,从而增大电池的短路电流  相似文献   

10.
采用修改的PISCES程序作FCL缓冲器中的硅-锗基极异质结双极器件的直流和瞬态分析=DCandtransientanalysisofaSiGe-basehet-erojunctionbipolardeviceinanECLbufferusingam...  相似文献   

11.
热氮化对SiO_2/Si界面辐照加固强度的影响=Effectsofthermalnitridationontheradia-tionhardnessoftheSiO_2/Siinterface[刊.英]/de-castro,A.J.…∥J.Appl....  相似文献   

12.
结合蒙特卡罗和漂移扩散分析的混合器件模拟程序=AhybrldevicesimulatorthatcombinesMonteCarloanddrift-diffusionanalysis[刊,英]/Kosi-na.H.…IEEETrans.Comp,A...  相似文献   

13.
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡μc-Si:H p-i-n薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,光吸收体i层或P型择杂都会在i层中造成低场区而不利于光生载流子传输,指出μc-SiH:p-i-n太阳能电池制造中采用补偿μc-Si:H薄膜充当吸收体i层能提高长波(〉800nm)载流子收集效率,从而增大电池的短路电流。  相似文献   

14.
磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2/p-Si结构中硅衬底的电特性=Electricalchar-acterizationoftheSisubstrateinmagneticallyen-hancedorconventionalrfactive...  相似文献   

15.
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快  相似文献   

16.
AnalysisoftheSpherical-CircularPatchAntenna¥LiaoChengenandLiuQing(Xi'anInstituteofPostsandTelecommunications,Xi'an,710061,P.R...  相似文献   

17.
用含氟等离子反应离子刻蚀SiGe合金=ReactiveionetchingofSiGealloysusingfluorine-con-tainingplasma[刊,英]/Zhang,Y,…J.Vac.Sci.Technol.A.Vac,surf,F...  相似文献   

18.
本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的J-V特性,并用该方法模拟分析了P/I界面态。P/I缓冲层带隙梯度对Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al双结电池光电特性的影响,各子电池本征层为常数带隙的Glass/TCO/a-Si/a-SiGe/Al三结电池的光电特性及其所存在的优势。  相似文献   

19.
立体Hi-Vision的压扩设备——用一台录像机即可录制立体Hi-Vision节目□著者[日]奥田治雄久下哲郎蓼沼真译者单金龙(浙江浦江人民广播电台322200)前言随着Hi-Vision技术的普及,高清晰度电视图像已成为我们身旁伸手可及之物。但在医...  相似文献   

20.
OriginofColosalMagnetoresistanceinNd1-xCaxMnO3K.LiuX.W.WuK.H.AhnC.L.Chien(Dept.ofPhysicsandAstronomy,TheJohnsHopkinsUniversi...  相似文献   

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