韩国制成高水平超微细半导体

日前韩国LG(高士达)半导体公司成功地开发出世界上最高水平的超微细半导体,进一步提高信息处理速度.LG半导体公司采用0.35微米超微细技术制造超微细半导体.这种技术与64兆位动态存储器的线路扫描相对应,使其具有集成度高、信息处理速度快的特点.门脉冲增加到480万个,信息处理速度提高到89万亿分之一秒.     

采用纳料材料的新超微细加工技术

日本日立公司开发了一种不采用光而可进行纳米级超微细加工新技术。该新技术是 :利用称谓自保共聚物 (bLock -CopoLymer)的纳米材料自然形成超微细结构。该技术可实现薄膜化。且仅用热退火而形成纳米级超微细点 (dot)图形。当将此图形腐蚀 (RIE :ReactiveIonEtching) ,便可将超微细图形复印在硅衬底上。采用此方法 ,则不需要使用高价的曝光装置 ,而可简单地在硅衬底、玻璃衬底上、金属薄膜上等形成15～ 2 0nm任意直径大小的整齐的孔。并期待此项新技术应用于硬盘存储媒体、单电子元器件等采用纳料材料的新超微细加工技术@嘉明…     

用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构

用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面...     

基于XML和关系型数据库的分布式通用工作流引擎

针对关键业务的应用开发离不开工作流技术的支持。通过对关键业务的实际开发需求的分析，在传统的关系数据库的基础上。结合XHL的结构化、层次化的特征，提出了一个适用于关键业务开发的基于XHL和关系型数据库的分布式通用工作流引擎的框架结构。此工作流模型由信息模型和控制模型两部分组成。文中详细地给出了相关的信息模型和控制模型的设计原理以及具体的表示和实现方法。其原型已经应用于实际系统中，实践证明，利用此工作流引擎可以显著地缩短关键业务的开发周期。     

日立开发新的制作超微细图形的“SPACE”技术

在下一代的VLSI的开发中,将会进行很激烈的竞争,而超微细加工技术作为最基本的技术发展趋向更高。日立公司开发用于制作更超微细图形的新技术“SPACE”,获得了0.1μm的分辨率的图形,已在12月进行的电子通信学会/半导体晶体管研讨会上发表了。     

富士通开发成功高温超导材料——BiSrCaCuO的单晶薄膜生长技术

<正> 据日本电子材料杂志1988年第6期报道,日本富土通研究所现已首先开发成功具有最高临界温度高温超导材料的BiSrCaCuO系的单晶薄膜形成技术。 到目前为止,高温超导材料的薄膜形成技术,采用高频溅射蒸发、电子束蒸发、分子束蒸发等方法,都存在1μm左右大小的结晶晶粒边界(一种单晶块)。该公司把卤素化合物用于源材料,采用汽相生长装置,在825℃加热的MgO单晶衬底上,用10nm/min的生长速度生长厚度为0.3μm的BiSrCaCuO。由于能形成均匀的单晶薄膜,正在向微细加工和器件集     

超快激光调控晶体形核与生长过程研究进展

物质的结晶在生物制药、大分子结构分析等领域有着重要的应用,这些应用对结晶结果(包括晶体数量、大小、晶型等)提出了一定的需求,而通过蒸发溶剂或改变温度使溶质析出结晶的传统方法,存在结晶结果难以控制的问题。近年来,超快激光在调控晶体形核生长中的应用得到了关注和研究。超快激光以其超快、超强的特点,在调控晶体形核与生长方面具有独特的作用,且具有热影响区域小、适用材料范围广等优势。本文综述了超快激光调控晶体形核生长过程的研究进展,主要包括超快激光诱导结晶形核、控制晶体生长过程以及晶面图案化加工三个方面,并对超快激光调控晶体形核生长研究的应用前景进行了展望。     

新产品

日本松下技术研究所等新近开发出一种超微细加工模拟系统。 通过采用基于原子三维模式的分子动力学方法,该系统首次实观了真正的微细加工模拟。尽管需要庞大的计算量,但通过采用超并行计算机ADEBART,实现了高效处     

微细电解加工中工具电极的制备及应用

超微细电极的获得和工艺过程控制是电化学加工的关键,给出了超微细电极制备及其在高精度三维金属结构加工中的应用研究结果.采用电化学腐蚀法制备微细电极,通过测量回路中的电阻变化值控制电极直径,加工出直径为3 μm～20μm的单个微细电极和直径为40 μm的微细群电极.在电极制备基础上,进行微细孔/缝结构小间隙加工和脉冲加工实验,获得了直径为110 μm的群孔和20 μm宽度的槽.     

用于聚焦微离子束装置的静电透镜系统的设计分析

聚焦微离子束技术是一项有前途的超微细加工技术。聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文主要叙述和分析静电双透镜的离子光学特性,探讨采用静电双透镜的离子束聚焦系统的基本性能,在此基础上提出一种适用聚焦离子束装置的五极单电位静电聚焦系统。     

等离子体蚀刻及其表面反应

本文所述等离子体蚀刻技术是超微细薄膜加工技术,它是半导体高集成器件的关键.LSI的高集成化需要大幅度提高微细化的水平,最近研究的存储器16M DRAM使用了0.5～0.6μm刻线的微细加工.     

湿法和干法刻蚀相结合提高微细线条的刻蚀精度

在薄膜微波基板的光刻过程中，材料刻蚀工艺是其关键工序。本文以实验为基础，比较了不同腐蚀方法对微细线条的腐蚀效果，实验结果表明：湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的腐蚀方法与单一使用湿法腐蚀或干法刻蚀相比较，前一种方法对微细线条的腐蚀效果更好。通过将两种腐蚀方法结合，并优化相关的工艺参数，较好地控制了腐蚀过程中的钻蚀现象，成功的制作出了最小线宽为20μm的线条。     

金刚石薄膜生成技术扩大了MEMS的应用范围

Argonne国家实验室(位于伊利诺州的Argonne)的研究人员成功地开发了一种被命名为超纳米结晶膜的金刚石薄膜。此种薄膜技术预计将大大加速MEMS(微机电系统)技术的发展。此种薄膜将金刚石本质的优良机械性能,摩擦性能,和热性能(优异的硬度,耐磨损性,和极低的摩擦系数等)引入了迅猛发展的MEMS领域。 迄今为止,许多MEMS装置由于采用的硅材料,在耐久性和耐摩擦方面不够理想,因而不能胜任;现在由于超纳米结晶膜的出现,有     

在GaAs衬底上形成量子点

<正>据日本《于L/亡汐,>学会志》1992年第10期报道,日本新技术事业团在GaAs衬底上已成功制成称作量子点、大小为100nm以下的超微细晶粒。量子点把电子控制在超微细空间中时,是利用量子效应器件的基本结构,有可能成为超高速光开关和高效激光器。 所发展的技术是在GaAs衬底上,利用CVD法把InP生长成岛状,形成边宽75nm,高25nm锥形的点,把这种InP岛状晶体埋到InGaP中,照射Ar激光,在室温下可观察到波长约800nm的强发光。因发光波长移动到短波侧,这样,岛状晶体可产生量子效应。进一步控制岛状晶体的排列,并制成均匀的结构,可望实现实用化的量子点器件。     

TECAN集团研发用于下一代喷墨喷嘴的UV-LIGA技术

TECAN集团将UV-LIGA技术成功用于下一代MEMS和微型超精密金属部件的批量生产,引起设计师和设备制造商（OEM）的关注。该项技术在微铣削、微细电火花加工及微激光技术应用方面受益匪浅。首先,如果采用分子生长工艺PEF生产微部件,可以生产出高精度、无应力、无毛刺的部件。采用微铣削和微激光技术生产部件会产生毛刺和应力,     

中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶

清华大学微电子所已初步建成了国内第一条1—1.5微米CMOS VLSI电路(超大规模集成电路)芯片工艺研制线,独立地开发成功了1.5微米设计规范的CMOS VLSI电路成套工艺技术。这一套工艺在研制1兆位汉字只读存贮器中得到了充分的验证。 成套工艺技术包括各项工艺条件摸索,工艺流程的设计和检测方法的确定。突破主要关键工艺包括微细线条曝光,显影,全正胶刻蚀,图形形貌的精度控制,细线条测量,高质量薄栅氧形成,离子注入技术,线结低温工艺,铝硅铜溅射工艺,硼磷硅玻璃等。     

InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构     

国外点滴

国外点滴继激光器和发光二极管之后的第三种半导体光源日本ＮＴＴ公司已实现用半导体三维微波空腔谐振器对自然放射光施加控制的新型发光器件。这种发光器件使用半导体结晶成长和微细加工技术，在薄薄的发光层两侧加上多层结构反射镜，构成与光波波长相匹配的谐振器。借助...     

日本开发成功45nm晶圆洗净技术

大日本屏幕制造成功开发了45nm层叠LSI组件的晶圆洗净技术。将配备今后该公司所有的枚叶式洗净装置,将其定位于由槽式向枚叶式过渡的核心技术。该公司表示已完成了采用该技术的装置的检测。此次开发的是将微细液体粒子喷射在晶圆表面进行洗净的“Nanospray2”的技术。可以减轻对集成在晶圆上的微细组件的损坏。该技术相当于该公司2003年上市的65nm装置中导入的“Nanospray”技术的改进版。日本开发成功45nm晶圆洗净技术