Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的离子束磨削

本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的小位错坑。这些位错坑具有巴尔格矢量为1/2 o〈110〉的棱边取向和具有填隙性质。这些位错位于磨削表面下大约50nm的窄带内,比氩离子射程大一个数量级。于是认为以级联形式出现的填隙就从较热表面区域扩散到样品体内。由于该材料中的快速扩散,填隙浓度梯度很小,于是在较冷的深层区域的过饱和填隙要超过该表面的填隙,因而这个深度利于成核。也观察到了在室温下储藏一时期后,这些位错坑有收缩现象,表明了在这种材料中的快速扩散。     

碲镉汞材料的离子束蚀刻研究

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)材料的离子束蚀刻规律进行了一些探索。结果表明可以选取低能量、小束流密度,用302光刻胶作掩模来蚀刻MCT材料,蚀刻的图形边缘整齐,边壁陡直。随着MCT组分x值的增大,其蚀刻速率减小是由于x值大的MCT材料中Cd-Te键占的比例大,Cd-Te键的结合要强于Hg-Te键。     

提高抗激光烧蚀能力的表面尖形微结构器件

讨论了光刻热熔成形工艺灰度掩模技术结合离子束蚀刻制作面阵尖形微结构器件的问题,分析了几种凸尖及凹尖结构抗烧蚀的能力强于平面端面同质器件的原因,所作的若干分析结果可用于这类器件的实际制作的应用。     

非梯度折射率型面阵平面微透镜

采用常规的光刻热熔法及灰度掩模技术,结合离子束蚀刻与溅射制作面阵非梯度折射率型平面折射和平面衍射微透镜,定性分析了不同的工艺条件下所得到的平面端面微光学折种和形貌特征。给出了在石英衬底表面通过光刻热熔工艺和氩离子束蚀刻所得到的两种球面及圆弧轮廓特征的面阵册形掩模的表面探针测试曲线,对平面微透镜阵列与IRCCD成像芯片和半导体激光器阵列的集成结构作了初步分析。     

微加工中的聚焦离子束直接写入技术

概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。介绍了利用聚焦离子束技术在镀金硅片上研磨出的图案及制作出的各种纳米结构。聚焦离子束诱导沉积技术为将在各种科学工程领域应用的多种微结构的实现提供了可能,如聚焦离子束真空封装技术,它可被用来真空封装MEMS器件。     

深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点.     

蚀刻机的维护与保养

本文是实践经验小结,详述了双面多层印制板制造中碱性蚀刻工艺设备每日、每周、每月维护保养的方方面面.正确维护保养蚀刻机,不仅可延续设备的使用寿命,更重要的是可保障产品稳定一致的质量.     

一种新型印制板微蚀刻剂

Ｏｘｏｎｅ是一种有效和简便的表面蚀刻剂。在通孔电镀、层压、印制阻焊膜、热风整平及电镀前的预处理中，都可以用Ｏｘｏｎｅ作为表面微蚀刻剂。     

一种新型印制板微蚀刻剂

Oxone是一种有效和简便的表面蚀刻剂。在通孔电镀、层压、印制阻焊膜、热风整平及电镀前的预处理中,都可以用Oxone作为表面微蚀刻剂。     

碱性氯化铜蚀刻机同类产品技术参数分析

<正> 前言 随着印制电路板(简称 PCB)技术的不断发展,与 之相应的各种生产设备、测 试仪器也有了不同程度地更 新。通过引进、消化、吸收、创新,我国印制板专用设备国产化取得了很大进展。如蚀刻工艺所用的关键设备——腐蚀机,无论从产品外观、主要性能、自动化程度、材料耐蚀性,都比十几年前更为成熟。特别是碱性氯化铜蚀刻机,出现不少值得称道的产品。本文就国内外同类产品的技术参数,进行分析考察。     

高精度蚀刻技术

本针对传统湿法蚀刻的固有弊端，提出了避免传统蚀刻方法固有弊端的四种高精度蚀刻。     

国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的印制板蚀刻液浅谈

文章探讨了对以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液及腐蚀工艺。利用优化实验方法,验证了以银盐代替汞盐做催化剂的可能性,以及催化剂、温度、时间、酸度等因素对腐蚀速度的影响,获得了以银盐代替汞盐为催化剂、以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液的新配方和新的蚀刻工艺条件。     

真空蚀刻技术：一项改良的超细线路蚀刻技术

蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一，简单的讲就是基底铜被抗蚀层覆盖．没有被抗蚀层保护的铜与蚀刻剂发生反应，从而被咬蚀掉．最终形成设计线路图形和焊盘的过程，当然．蚀刻原理用几句话就可以轻而易举地描述，但实际上蚀刻技术的实现还是颇具有挑战性，特别是在生产徽细线路时，很小的线宽公差要求，不允许蚀刻过程存在任何差错．因此蚀刻结果要恰到好处，不能变宽。也不能过蚀。