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基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取 总被引:2,自引:0,他引:2
通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广. 相似文献
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为了简化亚100nm SOI MOSFET BSIMSOI4的模型参数提取过程,实现全局优化,使用了遗传算法技术,并提出了保留多个最优的自适应遗传算法.该算法通过保留最优个体的多个拷贝,对适应度高和适应度低的个体分别进行诱导变异和动态变异,在进化起始阶段和终止阶段分别执行随机交叉和诱导交叉,既具有全局优化特性,又加速了局部搜索过程,提高了最终解的质量.不同种群数和进化代数条件下的参数提取实例表明,该算法提取精度高、速度快,全局优化稳定性好;适当增加种群数,有利于加速算法的全局收敛过程. 相似文献
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通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广. 相似文献
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SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiC MOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在N0中高温退火可以显著地提高4H—SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H—SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm^2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N20退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代N0。 相似文献
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提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难度,具有很强的通用性,易于移植优化及数据拟合. 相似文献
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Hall-effect measurements of n-channel MOS devices were used to determine the main scattering mechanisms limiting mobility in SiC MOSFETs. MOS-gated Hall characterization, which was performed as a function of gate bias and body bias, indicates that surface-roughness scattering and Coulomb scattering are the main scattering mechanisms limiting electron mobility in SiC MOSFETs at room temperature. A charge-sheet model, including incomplete ionization and Fermi-Dirac statistics, is used to calculate the surface electric fields in order to develop an expression for surface-roughness scattering. In the samples used for this paper, at electron sheet densities less than 1.8times1012 cm-2, Coulomb scattering dominates, while surface roughness is dominant at higher sheet densities. 相似文献
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给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路CAD的短沟MOS器件直流模型。该模型精确、高效,可移植到HSPICE等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法,文中采用局部优化参数提取法进行MOS器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对1.2μmCMOS工艺NMOS器件的测试及参数提取,并进行模型计算,结果表明理论和实际值符合很好。 相似文献
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基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。 相似文献
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MOSFET ESD Breakdown Modeling and Parameter Extraction in Advanced CMOS Technologies 总被引:1,自引:0,他引:1
《Electron Devices, IEEE Transactions on》2006,53(9):2108-2117
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逻辑参数库中Power参数的提取 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了在LPE这个逻辑参数(电学参数)自动提取工具里,Power参数的定义以及提取Power的输入激励波形的生成算法。对于不同的Related Pin以及电路的反馈特性需要不同的激励波形生成算法。 相似文献
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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 总被引:7,自引:0,他引:7
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望. 相似文献
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