ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等     

DLTS技术研究富氮SiOxNy薄介质膜的电学特性

采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）,测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系）,结果表明,采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜可以制备性质优良的栅介质膜。     

热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。     

256M/1G DRAM工艺及前道制造设备

介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标、工艺及前道制造设备，包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备、溅射及金属ＣＶＤ设备和绝缘膜ＣＶＤ设备等     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所遇到的问题，研究了热丝ＣＶＤ（ＨＦＣＶＤ）方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备腹晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响．     

几种制备非晶硅膜的新CVD技术

本文在介绍等离子体增强型CVD(PECVD)、光-CVD制备非晶硅膜的同时,首先概述了国内熟知并使用较多的低压CVD技术,其次简单地介绍了国外近几年报导的电子迴旋共振微波等离子体低温CVD(简称MPCVD)、CLT—CVD、均质CVD等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场。     

甲硅烷热CVD制备非晶硅薄膜的生长理论分析

本文将有关流体力学与分子传质理论及化学反应动力结合起来，对于反应室为单面加热，温度场可调节的热ＣＶＤ系统进行了边界层理论分析，得到了流体的速度、温度及浓度分布。从硅烷的气相分解及有关基团的表面反应出发，求出薄膜生长速率模型，计算结果与实验数据相吻合，表明是合理的。同时也从理论上证实了所分析的这类甲硅烷热ＣＶＤ系统是制备非晶硅薄膜的理想结构之一。     

低温形成栅介质膜电特性的容—压法分析

采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。     

PCVD制备工业硬膜研究

用等离子化学气相沉积技术制备了ＴｉＮ，ＴｉＣ，Ｔｉ（ＣＮ）和（ＴｉＳｉ）Ｎ膜及其组合的多层膜。ＰＣＶＤ具有很好的覆盖性，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有很好的耐磨耐蚀性，膜与基体结合良好，因而用ＰＣＶＤ法在高速钢刀具，模具及轴承上沉积ＴｉＮ可大大提高其使用寿命。     

氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究

介绍在硅ＣＣＤ多路传输器研制中，热壁ＬＰＣＶＤ氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。     

非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．     

氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究

用等离子体增强化学气相淀积（ Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ Ｓｉ∶ Ｈ）并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱（ Ｉ Ｒ）和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ｔｓ 和射频功率 Ｐｒｆ 的依赖关系。     

纯净化真空电弧沉积非晶硅薄膜

本文阐述了真空电弧沉积（ＶＡＤ）的各种净化方法，并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用，包括在制造太阳能电池方面的应用前景。分析表明，真空电弧沉积非晶硅膜，关键在于合理设计弧源使电弧纯净化，采取各种有效方法抑制宏观颗粒对膜层的污染，同时采用适当的等离子体诊断设备，通过调节等离子体微观参数来控制膜层质量。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

RF－PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。     

超级VCD技术及其解码系统

超级ＶＣＤ的核心技术是ＭＰＥＧ－２压缩标准和ＶＢＲ技术。介绍了超级ＶＣＤ与一般ＶＣＤ的比较,超级ＶＣＤ的主要新技术,给出了超级ＶＣＤ的编码、记录、数据格式和解码技术的硬件实现。     

扭曲向列型液晶显示器的相补偿──应用各向异性薄膜增大扭曲向列液晶显示器的视角

本文简明介绍了扭曲向列型液晶显示器（ＴＮ—ＬＣＤ）的类型以及正常白型ＴＮ—ＬＣＤ的一些特征，总结几种提高对比度，增大视角，改进显示质量的相补偿方法。阐述了聚合物取向膜提高ＴＮ—ＬＣＤ对比度与视角的原理，重点说明聚酰亚胺分子由于面内取向而具备的负性双折射对ＴＮ—ＬＣＤ的相补偿作用，即：减少偏离液晶分子光轴方向上的漏光从而提高对比度，增大视角。还具体展示了我们制备的透明聚酰亚胺薄膜对一种正常白型ＴＮ—ＬＣＤ增大视角的相补偿效果。     

硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察

硅衬底上外延ＣＶＤ金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平＊高巧君（＊北京大学电镜室，北京大学物理系，北京１００８７１）ＣＶＤ金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来，异质外延ＣＶＤ金刚石单晶是国内外研究的热点之一，这是因...     

Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

VCD,DVD技术与发展

本文介绍了ＶＣＤ，ＤＶＤ的有关技术及规格，并将之作了比较，据此，分析了ＶＣＤ，ＤＶＤ产品在我国市场的发展前景。