立方氮化硼薄膜的制备工艺

本文介绍了几种最新的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）薄膜的制备工艺，并对薄膜中立方氮化硼相形成的影响因素进行了讨论。     

室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜．沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件．分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大，但晶核的生长则部分地依赖于衬底．     

Effects of Deposition Temperature on the Structure and Hardness of BN Films Prepared by a Gradient Temperature Method

采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜。研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能。结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高。相对于传统薄膜制备方法,温度梯度方法具有更高的效率。     

沉积温度对温度梯度法制备氮化硼薄膜结构和硬度的影响（英文）

采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜。研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能。结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高。相对于传统薄膜制备方法,温度梯度方法具有更高的效率。     

气相沉积立方氮化硼薄膜的研究与发展状况

简述了立方氮化硼的优异性能，国内外研究立方氮化硼薄膜的历史，现状，应用前景及存在的问题。     

立方氮化硼薄膜的形核与生长过程试验研究

采用离子束辅助沉积法在硅片上成功制备了一定立方相含量的氮化硼薄膜,采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）和原子力显微镜（AFM）等分析方法;并利用FTIR结果系统研究了衬底的表面清洁度和辅助能量、辅助束流、辅助气体中氮气含量、温度以及离子原子到达比等参数对膜中立方氮化硼含量的影响.试验结果表明：立方氮化硼薄膜成核与生长的条件窗口比较窄,要获得高质量的立方氮化硼薄膜,各种镀膜参数的相互合理调整与匹配是必要的.     

室温低下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜，沉积薄膜的衬底材料分别选用单昌硅，氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜，透射电镜，红外吸收谱仪，扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件。     

立方氮化硼单晶——金刚石薄膜异质P—N结

本文在Ｓｉ掺杂Ｎ型片状立方氮化硼单晶（１１１）面上利用热灯丝化学汽相沉积方法生长了掺Ｂ的Ｐ型金刚石薄膜，从而制得了立方氮化硼单晶－金刚石薄膜异质Ｐ－Ｎ结，测试了该Ｐ－Ｎ结的Ｖ－Ａ特性，结果表明其整流特性良好。     

CVD技术在超硬涂层制备中的应用

类金刚石薄膜、金刚石薄膜、立方氮化硼薄膜等是近年来超硬涂层材料研究中引人注目的三种功能型薄膜材料，它们在机械、电子、光学等领域有着可观的应用前景，而这三种超硬薄膜的制备，ＣＶＤ技术起着至关重要的作用。本文简要评述了ＣＶＤ技术在近年超硬涂层发展中的应用。     

石墨烯/氮化硼/石墨烯三明治薄膜的制备和导热性能

采用简单的真空抽滤方法,制备了石墨烯/氮化硼/石墨烯的三明治薄膜并对其导热性能进行分析。结果表明,三明治薄膜的面内导热系数达53.09 W/(m·K),较纯石墨烯薄膜(21.5 W/(m·K))高,将在散热领域有潜在应用。     

离子束辅助沉积合成B—N薄膜的分析

用离子束辅助沉积(IBAD)技术合成氮化硼薄膜,红外吸收谱和透射电镜的观测结果显示,薄膜含有c—BN和h—BN相薄膜Knoop硬度值高达35GPa。逐层剥离的AES谱结果表明,薄膜表面存在氮离子的注入效应,薄膜由注入层、成分均匀层和离子束混合过渡层组成     

立方氮化硼薄膜的制备与表征

在对国内外立方氮化硼薄膜的制备工艺及其表征方法进行了综述的基础上，分析了立方氮化硼膜制备中存在的问题，即薄膜的内应力高，结合强度低，沉积温度高，沉积速率低，沉积速率低，以及cBN中SP^3键含量不稳定。并提出了今后的研究方向：①cBN膜成核生长机理问题；②低温下大面积、高速生长的异质外延和定向生长问题；③膜基结合问题；④发展新的成膜技术，寻求无毒无污染的反应材料；⑤开发cBN膜的应用。     

宽带隙薄膜材料核化与生长机制及其性质的研究

宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本，在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。     

科技文摘

超硬薄膜的制备——稻川幸之助,《金属表面技术》,1988.NO.2,P2-11(日文)本文阐述PVD 法、CVD 法和动态混合法制备硬质薄膜以及金刚石和立方氮化硼成膜的当前研究动态与发展。活性反应蒸镀、离子镀和溅射能够以高的沉积速率     

立方氮化硼薄膜及溅射沉积的研究进展

溅射沉积由于获得的cBN薄膜颗粒尺寸小、立方相含量高,是cBN薄膜制备技术发展的一个重要方向。本文介绍了溅射沉积过程中的基体负偏压、沉积气氛、沉积温度、靶材功率等工艺参数对cBN薄膜中立方相的含量和薄膜性能的影响规律。并从优化沉积工艺参数、采用过渡层及在膜层中引入其它元素方面介绍了在降低膜层应力方面取得的研究进展。分析归纳出溅射沉积cBN薄膜目前存在的主要问题是薄膜应力过大、存在非立方相氮化硼及B、N原子的比例失配。提出了下一步研究工作的重点是通过深入认识溅射沉积cBN薄膜的的形成机理,优化沉积工艺参数及设计合理的过渡层和新型梯度涂层,以提高立方相的含量、保证B、N原子的比例、降低膜层应力。     

超硬材料薄膜涂层研究进展及应用

CVD和PVD TiN，TiC，TiCN，TiAlN等硬质薄膜涂层材料已经在工具、模具、装饰等行业得到日益广泛的应用，但仍然不能满足许多难加工材料，如高硅铝合金，各种有色金属及其合金，工程塑料，非金属材料，陶瓷，复合材料(特别是金属基和陶瓷基复合材料)等加工要求。正是这种客观需求导致了诸如金刚石膜、立方氮化硼(c—BN)和碳氮膜(CNx)以及纳米复合膜等新型超硬薄膜材料的研究进展。本文对这些超硬材料薄膜的研究现状及工业化应用前景进行了简要的介绍和评述。     

六方氮化硼合成工艺及对其性能的影响

本文讨论了六方氮化硼合成工艺对其纯度、杂质含量、石墨化指数、比表面积、成型密度等性能的影响。从原料、反应温度和后处理方面提出一些方法,合成出适合立方氮化硼合成的性能较好的六方氮化硼,并探讨了六方氮化硼性能指标对立方氮化硼合成的影响。     

纯相PCBN的研究进展

立方氮化硼以其优异的特性广泛应用于现代制造加工领域。随着制造要求的不断提高,对氮化硼的性能提出更高的要求,世界各国相继开发研究出纯相立方氮化硼的合成技术。本文对国内外纯相聚晶立方氮化硼的烧结、性能等进行了综述,并分析了各种纯相烧结方法。最后对纯相聚晶氮化硼的发展方向进行了展望。      

钛精铸用hBN-Y203复合型壳制备工艺的研究

介绍一种新型钛合金精密铸造型壳--氮化硼基复合型壳的制备工艺.在此型壳中氮化硼作为面层涂料中的主要耐火材料,钇熔胶作为粘结剂并适当加入少量氧化钇.该型壳充分利用六方氮化硼优异的化学惰性和氮化硼的密度较小的特点,使在保证型壳有很好惰性又大幅降低型壳的制备成本.不仅介绍了不同氮化硼原料配制的涂料性质的差异,还借助DSC和TG对氮化硼基复合型壳的烧结工艺进行较深入研究.     

钛精铸用hBN-Y2O3复合型壳制备工艺的研究

介绍一种新型钛合金精密铸造型壳——氮化硼基复合型壳的制备工艺。在此型壳中氮化硼作为面层涂料中的主要耐火材料,钇熔胶作为粘结剂并适当加入少量氧化钇。该型壳充分利用六方氮化硼优异的化学惰性和氮化硼的密度较小的特点,使在保证型壳有很好惰性又大幅降低型壳的制备成本。不仅介绍了不同氮化硼原料配制的涂料性质的差异,还借助DSC和TG对氮化硼基复合型壳的烧结工艺进行较深入研究。