国外可控硅器件

可控硅是采用PNPN构造的各种开关元件的总称,1957年美国通用电气公司(GE)以SCR为名发表了第一个可控硅(16安培400伏)。 目前,美、英、日、法、西德几个主要资本主义国家商品化的可控硅大约有14000多个型号(不包括触发等其他元件),电流从0.3毫安到2000安,电压从几十伏到4000伏。研制的可控硅电流已达4000安以上,电压已达10000伏。     

冷阴极电子束持续激光系统

美国麦克斯韦实验所最近向海军研究所交付了一台冷阴极电子束持续的激光系统。这种紧凑的激光装置产生一大面积的电子束,1~5微秒内为1~10安培/厘米2之间,并以之激励在1~5个大气压下的CO2激光器。该扭键装置由以下部件组成：由300千伏马克斯发电机供电、200~300千伏范围内运转的电子束枪、由75千伏/25千焦耳持续器组供能的激光腔、涡轮式分子真空泵、高电压电源和充电触发控制系统。该装置的总尺寸为20×6×6呎。     

陶瓷金属结构充氢二极管

一种陶瓷金属结构的充氢二极管的研制结果表明。该管能承受33千伏反向电压,平均电流1.5安培,脉冲电流可达150安培以上,点火电压不大于2千伏,脉冲管压降在80伏左右。该管是为脉冲调制器上的削波电路(消除脉冲形成线上的反电压)而设计的,估计亦可用于整流或充电电路。该管使用傍热式氧化物阴极,当脉冲调制器负载打火时,通过管子的脉冲电流超过额定值的好几倍,这种短时间过载不会使管子捐坏。整管高180毫米,直径120毫米。全管系金属陶瓷结构,具有耐震、耐冲击等优良性     

1千瓦大功率晶体管

大功率晶体管可以分成高耐压化和大电流化两种。高耐压的晶体管,已有V_CBO在1500伏以上的晶体管制品达到实用化。据日刊《电子材料》报导,日本新电元公司已于1970年秋研制完成了集电极电流300安培、V_CBO为150伏、集电极耗散功率为1千瓦的大功率晶体管,自称是当今世界上功率容量最大的晶体管。该管的V_CBO电压为100伏,V_CBO为4伏,在V_CE=5伏、I_C=200安培条件下的电流放大系数h_EE为10,截止频率f_ae为200千赫。制管工艺采用三重扩散工艺,硅NPN结构,为了尽量提高发射极一基极周边长度及发射极面积,该管选用了圆形芯片,管芯直径为29毫米,使用直径为35～40毫米的硅     

消除无线电及电子设备电源电路内脉冲干扰

本文推荐一种确定低通滤波器元件参数的方法,此法在极大程度上能抑制脉冲干扰沿电源电路进入负载。由于在故障状态或其他情况的整流过程中,引起电压短时间起伏(十几秒钟),其幅值可能达到1. 5～2. 0千伏。这些脉冲电流极易     

S波段高增益中功率脉冲速调管

(1025管)是一只lO公分高增益脉冲中功率速调管,它用作脉冲高功率速调管(如D4009)的前级,是专门为100Mev电子直线加速器微波功率源配套而研制的。工作频率2856兆赫,工作电压25千伏,脉冲电流2.7安培,输出脉冲功率大于15千瓦,效率大干40％,增益大干55分贝。     

长脈冲高效率开关管的研制

本文介绍罗姆航空研究中心高功率实验室对一种高功率线性注四极开关管所作的试验与鉴定。采用该器件作速调管放大器的串联调制器,所达到的参数为视频输出120千伏,工作比0.05,脈冲宽度达300微秒。效率、收集极降压、导流系数、控制栅截获、阳极(帘栅极)电流和收集板损耗等参数的测量均已完成。实验证明,它能在各种电压与功率电平上控制脈冲宽度和形状。试验结果表明,用一适当的负载管,以0.06的工作比工作于140千伏、100安培是可行的。这种开关管是在罗姆航空研究中心的赞助下,由维里安公司设计与制造的。文中详细介绍了该器件的优点,除罗姆航空研究中心的广泛鉴定外,对维里安的初始试验也作了详细说明。     

华北光电所研制成功雪崩晶体管快速开关

华北光电所研制成功雪崩晶体管快速开关。其跃变时间2毫微秒,抖动不到1毫微秒,雪崩电压3～4千伏,振荡幅度为主峰的1/     

激光器Q调

本专利的基础 1.范围本专利是叙述激光器Q调,调制加在电光调制器(如普克尔盒)上的电场,降低电压开关条件的更具体的简化电路,以调制激光腔的Q。 2.先前技术的介绍在电光Q调激光器工作中,一般需要开关高电压,开关的电压一般在3千伏到6千伏之间,这与晶体和波长有关。例如铌酸锂普克尔盒(1×1×1厘米)用于Nd:YAG     

一种新型功率开关用的MOS栅双极晶体管

已研究成功一种新型单片集成功率开关器件(MOS栅晶体管MGT),其结构是:双极晶体管作输出级,两个MOS FET作驱动级。研究的目的是为了获得一种具有如下特性的功能开关器件:容易驱动,关断时间短和电流密度大。研究的器件结构特点是,在一个小单元内集成三个元件,MGT芯片由很多这种小单元组合而成。这种器件没有寄生闸流管,使它避免了闭锁现象。已研制成功具有阻塞电压为400～500伏的单元MGT器件。它能达到:在2伏集电极-发射极电压下,电流密度高达90安/平方厘米,关断时间短至1μs。一个MGT器件芯片包含36个小单元,制作在5×5mm的芯片上。在150℃时,其阻塞电压为500伏,在10A的电流下,开态电压为2.3伏,关断时间为0.5μs。     

工业用无行程压电按钮开关

制成了一种以压电效应为基础的陶瓷电键开关元件.这种按钮开关能响应手指对开关没有明显的位移时所产生的压力变化.这种开关主要是为电梯键盘研制的,但也普遍适用于在潮湿、易爆环境下运行的24伏工业设备.电子元件装在坚固的机械结构内因而有很高的机械强度.     

4×4光开关元件

日本航空电子在千叶县幕张Messe举行的“InterOpto2000”上宣布,该公司正在开发利用MEMS(micro electro mechanicalsystems)技术的(2×2)×32光分歧/插入多重元件(OADM:optical add/drop multiplex-er).OADM元件是在对应DWDM通信系统中使用的元件,用于筛选出某个波长的信号或者追加信号.正在开发中的OADM元件,是通过组合32个2×2光开关元件实现的.每个光开关元件尺寸为16mm×20mm,消耗功率为10μW/元件,插入损失在1dB以下,串音(Cross Talk)为70dB以上.另外,光开关结构为在正方形台面(Stage)上配置反射镜形成的.使用静电调节该正方形台面上下运动,带动反射镜随之上下移动来改变激光光路.除此之外,该公司还展示了4×4光开关.光开关元件的尺寸为10mm×10mm.消耗功率为10μW/元件,插入损失最大6dB,串音(Cross Talk)确保在70dB以上.但是该公司表示不打算组装4×4以上的大规模产品.“对于大规模要求,打算以4×4元件做为1个单元,通过组合多个单元的方法来满足用户要求”.     

峰值开关电流增强滤波器

在可控气体放电中实现电离的一种方法是使用甚短过压脉冲。典型的电压是气体击穿电压的几倍,但持续时间比电弧形成时间短。因此,气体被电离,但不会发生完全击穿的现象。达到的电离程度取决于总电荷或等效于总电荷的、在过压脉冲期间所供给的峰值电流。在35千伏电压、重复频率高达500,000赫芝时一次试验采用的典型参数为50～100毫微秒脉冲。为了供给大到200安培的峰值电流,设计并制作了刚管调制器。试验不久就需要较大的电流,而且已经表明:采用峰值电流增强滤波器,可能向负载供给350安培的峰值电流,而刚管调制器只开关200安培的峰值电流。本文叙述了这种滤波器的设计和特性。     

晶体管音频频率计

音频频率计是无线电电子学和广播通信等技术中最基本的、最常用的电子仪器之一.本文介绍一具自制的晶体管频率计,系利用国产П6Г晶体管制成.测量频率范围自10赫～100千赫,共分四档.输入电压范围共分二档:低电压输入档自0.4～5伏,阻抗约1千欧;高电压输入档自5～500伏,阻抗大于100千欧.仪器还附有5千赫内部校准器(考毕茲式振荡器).因此它也可以用作5千赫的振荡信号输出,其输出阻抗为50千欧,输出电压0.9伏.校准器滑耗功率30毫瓦,频率计本身消耗85毫瓦,整机功率清耗共约120毫瓦.仪器尚可附带测0～5伏低频电压.     

定值电源既供电又充电

图1所示是便携式应用的电路图,其中的微处理器控制给电池充电。定值开关调压器IC_1给V_(IN)升压(5伏),以提供充电电流和负载电流两者合在一起的组合供电。(注意:5伏电源必须有短路保护)。IC_2是一个高端的电流敏感放大器,监控充电电流。处理器发生的指令是CHARGE ON/OFF(充电通/断)和FAST/TRICKLE CHARGE(快速/小电流充电)。     

真空高压继电器

将继电器的基体放在抽空的管泡内,制成真空继电器,用来作成高压开关,可在20千伏的高压下接通20安的电流.国外已制成的双刀双掷开关继电器,它的动作时间不超过20微秒.继电器的标准线圈电阻为225欧,     

用于高速克尔盒和普克尔盒的微微秒精度高功率开关

本文报导用光控制的硅开关的最新成果。幅值10千伏电压,可在微微秒内开关。这个电压阶梯用作激励行波克尔盒和快速普克尔盒。     

中国科学院安徽光机所准分子激光器的新进展

我所是1975年开始研究准分子激光器,1976年初开始设计研制相对论电子束,1979年成功地研制出1.12兆电子伏、上升前沿小于10毫微秒、束宽为25毫微秒、束流为6千安培的强流电子束。利用这一装置,我们于1981年成功地获得XeF(3510(?))和KrCl(2220(?))准分子激光,激光输出能量分别为5毫焦耳和1毫焦耳。同时用它还获得Ar-N_2激光,分别于3370埃、3577埃附近各有2条强激光谱线。     

中天OPGW正沿着“电力天路”攀登“世界屋脊”

6月29日，从青海至西藏750千伏暨±400千伏交直流联网工程施工一线传来振奋人心的消息：中天供货的OPGW电力特种光缆已经顺利完成了一半的施工工作量。施工情况良好，产品性能优良。     

高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计

高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.