C型稀土氧化物的Raman光谱研究

Ｃ（立方）型稀土氧化物ＲＥ２Ｏ３在可见激光的激发下,其拉曼光谱易受到ＲＥ＾３＋光致发光谱的干扰。利用不同的激发源以及吸收谱等方法测定并辨别Ｃ型ＲＥ２Ｏ３（ＲＥ＝Ｇｄ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｙ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｂ,Ｌｕ,Ｓｃ）激发谱中的拉曼谱峰。结果表明,Ｃ型ＲＥ２Ｏ３基本上都有相似的拉曼振动特征谱,特别是３５０￣４２０ｃｍ＾－１区由ＲＥＯ６八面体伸缩振动引起的谱峰,其峰值随ＲＥ＾３＋半径的缩小而增加,进一步证     

全数字BPSK调制解调器

详细阐述了全数字ＢＰＳＫ调制解调器的原理。对实现数字锁相环（ＤＰＬＬ）所面临的各种问题。误差信号提取、相位跟踪及环路滤波进行了详细的说明。介绍了数字直接合成器（ＤＤＳ）、数字下变频器（ＤＤＣ）、数字滤波器等数字无线电经常用以的概念。并使用复杂可编程器件（ＣＰＬＤ）,实现了高速率、全数字ＢＰＳＫ调制解调器的方法及仿真结果。     

基于PLSI/isPLSI器件的逻辑设计

介绍了ＰＬＳＩ／ｉｓＰＬＳＩ器件的原理和功能以及ｉｓｐ编程的基本概念；探讨了在微机上使用ＰＤＳ软件对ＰＬＳＩ／ｉｓＰＬＳＩ器件进行开发的方法     

TlGaS_2和TlGaS_2：Er~（3＋）单晶的光谱研究

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶。长成的单晶，其光致发光机理与深层能级及Ｅｒ（３＋）离子有关。由施主─受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处，对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶，则在６３２和７５９ｕｍ处．由Ｅｒ（３＋）引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。     

激光对潜通信的PPM信号功率谱

对激光发射机平均功率受限的激光对潜通信链路，数字脉冲位置调制（ＰＰＭ）是传输信息的有效调制格式。本文推导了随机ＰＰＭ符号序列的功率谱，在该模型中考虑了激光强度变化、脉冲抖动和“静止时间”。结果表明该ＰＰＭ信号的功率谱（ＰＳＤ）由连续谱和离散谱组成。     

基于OFDM的电力线数据传输通信系统

介绍了电力线通信（ＰＬＣ）的国内外现状，提出了基于 ＯＦＤＭ的技术，采用 １６位定点 ＤＳＰ－ＴＭＳ３２０ＶＣ５４０２作为控制单元的电力线数传通信系统的方案，给出了系统的参数设计以及软件、硬件设计原理。     

基于PLSI／isPLSI器件的逻辑设计

介绍了ＰＬＳＩ／ｉｓＰＬＳＩ器件的原理和工能以及ｉｓｐ编程的基本概念．探讨了在微机上使用ＰＤＳ软件对ＰＬＳＩ／ｉｓＰＬＳＩ器件进行开发的方法。     

Fe─B─Si非晶软磁合金铁芯损耗谱的分形结构

研究了Ｆｅ─Ｂ─Ｓｉ非晶软磁合金的铁芯损耗谱Ｐ（ｆ），发现Ｐ（ｆ）具有分形结构。讨论了热处理工艺对分形维数Ｄｆ的影响。     

结构系统在随机组合力作用下的可靠性分析

给出了结构系统在取决于时间的截荷ＰＬ（ｔ），Ｐ２（ｔ），…，Ｐ１（ｔ）作用下的可靠性分析方法。按ＦｅｒｒｙＢｏｒｇｅｓ－Ｃａｓｔａｎｈｅｔａ载荷模型与Ｒ－Ｆ法，给出计算公式与迭代过程。通过数值例子，说明了上述分析方法的应用。     

SPS和EFISPS技术及其在多相催化研究中的应用

表面光电压谱（ＳＰＳ）和电场诱导表面光电压谱（ＥＦＩＳＰＳ）是研究固体功能材料表面和界面电荷行为非常有效的方法。近年来将ＳＰＳ和ＥＦＩＳＰＳ技术应用于多相催化研究领域,显示出其检测灵敏度高、再现性好、操作简单等特点。在介绍了ＳＰＳ和ＥＦＩＳＰＳ的基本原理、实验方法、技术特征等的基础上,综述了它们在诸如催化剂表面的活性评价、固体表面酸碱性的测量、催化剂的活性组份在载体上的分散状态以及催化机理的探讨等多相催化研究中的应用,并展望了它们在多相催化研究领域的发展前景。     

脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应

采用电化学脉冲腐蚀法,在P型单晶硅片上制备了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制备的多孔硅为传感元件,利用电感耦合器件(CCD)记录了乙醇蒸汽的反射干涉图.反射光谱经IGOR软件进行傅里叶变换后,得到多孔硅的光学厚度值,并以此为依据探讨多孔硅对乙醇蒸汽的传感特性.实验结果表明,当PS膜暴露于乙醇蒸汽中时,反射谱吸收峰位发生红移,相应的光学厚度也发生红移;当乙醇气体体积分数大于500×10-6时。PS的光学厚度急剧增大.     

多孔硅光致发光热稳定性研究

运用微拉曼谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品研究多孔硅的热稳定性．用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度．观察比较不同温度下多孔硅样品的拉曼谱趋向．发现在激光功率与样品温度之间的关系曲线上分为3个过程,与拉曼频移和拉曼强度的曲线相一致．所有现象都可以用Si—O健和非晶Si被光氧化的机制解释．     

p型轻掺多孔硅的发光特性研究

采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.     

金刚石类质同象置换与振动光谱

测试了湖南、辽宁、山东等地近２００颗天然金刚石的Ｒａｍ ａｎ 光谱。结果表明,在天然金刚石中存在类质同象置换现象,其振动光谱特征随置换元素的不同而不同。能类质同象置换金刚石中碳的主要有氮、氢、氧、硅等几种元素,它们可单独或几种一起置换金刚石中的部分碳。本文还讨论了金刚石的红外光谱及其分类问题。     

激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响

以SiH4和H2为气源,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了纳米晶硅薄膜,利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究.结果表明,薄膜中的氢含量(摩尔分数)和硅氢键合模式与激发频率有密切关系,提高激发频率可降低薄膜中的氢含量,并且硅氢键合以SiH2为主.     

高品质立方氮化硼薄膜的制备及应用基础研究

采用射频（RF）磁控溅射的方法，成功地在（100）单晶硅片上沉积制备出了高品质的c-BN薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了c－BN薄膜中因内应力导致的差的附着性能．进一步研究了衬底负偏压、温度与薄膜质量的关系，讨论了薄膜中内应力的状态．在此基础上，深入开展了硬质合金上沉积c-BN薄膜的工作，为c-BN薄膜的实际应用奠定了基础．     

溶胶凝胶法制备透明氧化铝薄膜及光学性能

以异丙醇铝为先驱体,采用溶胶凝胶方法制备了透明氧化铝薄膜;并采用DTA-TG,XRD, UV-vis分光光度计和PL光谱等测试手段对氧化铝薄膜进行表征.研究结果表明, 氧化铝薄膜(膜厚为100 nm) 在紫外到近红外范围内具有高的透射性,750 ℃热处理后氧化铝薄膜的光透射性最好;氧化铝薄膜在360-600 nm波长范围具有一个宽的蓝色发光带,且氧化铝膜的光致发光强度和峰位与热处理温度和激发光波长有关, 在345 nm 波长激发下,500 ℃热处理后氧化铝薄膜的发光强度最强;氧化铝薄膜的蓝色发光由氧空位缺陷(F+色心)引起.     

气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。     

高浓度锰掺杂Ca14Zn6Al10O35荧光粉的近红外第二窗口发光

为了开发新型的深红光或红外发光材料,通过高温固相法在空气中合成了锰掺杂Ca14Zn6Al10O35∶Mn荧光粉.采用X射线衍射、反射光谱、荧光光谱、荧光衰减寿命系统研究了该材料的晶体结构及发光性能.结果表明,样品中同时存在着Mn4+和Mn5+的荧光发射,前者在深红波段,后者在近红外波段.当12.5％的Al离子被Mn离子...     

基于AFAM纳米多孔氧化硅薄膜超声幅值成像的试验研究

为研究原子力声学显微镜(atomic force acoustic microscopy,AFAM)技术检测纳米多孔氧化硅薄膜的超声幅值成像的影响因素,通过基于AFAM技术的谐振频率检测及超声幅值成像系统,试验得到了纳米氧化硅薄膜和纳米多孔氧化硅薄膜的前2阶接触谐振频率及其超声幅值成像,分析试验过程中的参数如激励频率、扫描频率对稳定性的影响及超声激励对纳米摩擦力的影响.试验结果显示,超声频率会影响超声幅值成像的对比度,超声激励降低了扫描过程中的摩擦力.