应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构

本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。     

激光场空间的横向分布对多光子电离过程的影响

多光子电离技术(MPI)使研究原子、分子体系单分子禁戒跃迁能级成为可能,同时是研究里德伯态的有效手段。激光场对MPI的影响已做了不少分析和研究,但是以往的工作中,在讨论激光场的空间横向分布对分子共振多光子电离(RMPI)过程的影响时,许多因素未加以考虑,使分析问题的前提条件与实现情况有较大的偏离。     

用激光共振电离方法研究Eu原子的自电离谱

用激光三步共振激发方法观察了Eu原子的自电离谱,测定了Eu原子宇称,能量在45740.3-47341.0cm~(-1)范围的75个能级位置,识别了收敛于EuⅡ4f~76S~7S_3的4f~76S(~7S)np(n=12-46)的自电离里德堡系列,第一次报导了这一系列在此能量范围的能     

激发态Na(3P)原子碰撞的缔合电离截面

钠蒸汽被连续染料激光器激发,产生大量的Na(3P)原子,两个Na(3P)原子碰撞,可以产生缔合电离。 Na(3P)+Na(3P)→(Na_2)_-~++e~-K_(AI)是缔合电离率系数。由上述过程产生的单位时间,单位体积内的电子数n_e=K_(AI)[n_(3p)(n.y.z)]~2,n_(3p)(x.y.z)是Na(3P)原子密度。把钠池中的电子都收集起来,得到?     

双色三光子共振电离测量钐原子高激发态4f~6s7S新能级

本文报道用双色三光子共振电离法测量钐原子高激发态78个新能级。这些新测定的偶宇称能级属于4f~66s7S电子构型,位于33477～37758cm~(-1)能量范围。     

用热离子二极管测量铷原子高里德伯态

为了开展里德伯原子实验研究,我们首先研制了热离子二极管,利用无多普勒双光子激光光谱方法,测量了铷原子nD和nS高里德伯态.     

硅中铂能级的DLTS研究

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.     

硷土金属原子的多步共振光电离研究

原子、分子的激光多光子电离光谱学是近年来发展起来的研究原子、分子物理的新领域。原子内部能级之间的光激发、光电离以及自电离态能级等的研究和光电离截面的测量,是原子、分子物理中非常感兴趣的问题之一。同时也是激光物理、天体物理、等离子体物理等其它领域的研究所感兴趣的课题。在激光分离同位素的研究中,最关键的问题是能否找到     

金属/n型AlGaN欧姆接触

用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降.     

金属/n型AlGaN欧姆接触

用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降.     

贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定

本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.     

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

分子的里德伯态和里德伯-价混合态光谱

Peyerimhoff等人于1981年详细计算了Cl_2分子电子态的势能曲面,结果表明:Cl_2分子在8.86—10eV能量区间具有复杂的能级结构,这是由于里德伯态与价态的相互作用而导致的一系列双势阶结构的态的出现造成的。无疑仔细研究里德伯-价态的相互作用,对弄清该区域的能级结构、惰性气体氯化物准分子形成的态对态反应动力学等的研究都是非常重要的。本工作结合多光子离化谱、激光诱导荧光及荧光激发谱技术,系统仔细地研究了三光子态选择     

研究进展

实时观察隧穿电离强激光脉冲产生的电场可以使原子外围电子在1as(1as=10-18s)内发生隧穿电离出来。这个过程非常快,目前设备很难观察到电离的原子,更不用说这种中间态了。最近德国物理学     

确定激光材料光谱参数的简单方法

在探索和研究激光材料的工作中,常常需要系统地大批地测定材料的光谱参数,例如荧光寿命τ、受激发射截面σ(或增益系数β)和量子效率η)等。这些量的绝对测量虽然已比较成熟,但对于大量的、系统性的激光材料测量,尚存在许多不便。这里介绍一种简单的方法。 对于任意线型的荧光带(或线)的辐射跃迁几率A为: A=8πn~2c·Δλ·σ_P/λ~4 (1) 其中σ_P为峰值受激发射截面,λ为荧光带的平均波长,Δλ是荧光有效带宽,c为光速,n为介质的折射率。积分荧光强度I_p与荧光跃迁初始能级的粒子数密度和相应的跃迁几率成正比 I_p=8πn~2c~2h·σ_p·N/λ~5 (2)其中N是荧光初始能级的粒子数密度。如果采用稳定的弱激发,在稳态条件下 N=N_0σ_AI_Eτ (3)式中No为样品中的总粒子数密度(或基态粒子数密度),σ_A为光泵吸收截面,I_E为平均激发光强,对于固定的实验条件I_E可认为是不变的,τ是荧光能级的寿命。     

激光共振电离光谱

激光共振电离光谱由于激发过程中至少经过一个束缚态——束缚态跃迁,有很高的选择性;又由于在共振态之间激发跃迁或电离,易于达到炮和,电子(离子)检测效率可达到百分之百,灵敏度高;同时可适用于周期表上大部分元素,因此它广泛被用来对原子(分子)进行高选择性、高灵敏度的探测,并被用来测量与研究元素的高激发态或自电离态的能级结构以     

I_2和IBr分子光解产物的态分布及其多光子电离光谱的研究

本文报道了经多种激光波段解离I_2和IBr分子所生成的I(~2P_(3/2)~0)、I~*(~2P_(1/2)~0)和Br(~2P_(3/2)~0)、Br~*(~2P_(1/2)~0)原子的共振电离光谱。实验采用YAG激光泵浦的可调谐染料激光器,分别在470.0～490.0nm、364.7～369.0nm、277.5～282.5nm及222.0～223.2nm波长范围内,研究了I、Br原子的3+1、2+1及3+2、4+1电离过程中电离信号与光强的关系,标定了各个电离信号所对应的原子能级。本文通过对不同解离波长得到的I、Br原子电离谱的比较,定     

Si:Pd深能级的研究

用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62eV两个浓度居统治地位的新的电子陷阱能级.从实验上证明了以上两个能级确是由进入硅点阵中的钯杂质所引起,并确定了它们和文献报道过的Si:Pd 能级间的相互转化关系.由这些能级的产生条件,退火特性以及电学测量结果来看,这两个新能级应分别与硅中间隙钯所引起的两种不同荷电态的施主中心相对应.     

激光脉冲双光子激发方法测量Xe原子能级的寿命

本文报导Xe原子4f_(5/2)~2,4f_(3/2)~2两个能级寿命的首次测量。实验采用方向相反的两束脉冲激光进行双光子激发,以达到单光子禁戒及单光子能量所不及的高能态,同时避免了多普勒效应和受激辐射的影响,提高了能级的分辨率和实验精度。1.Xe原子的双光子跃迁 多光子过程是辐射场与原子相互作用的过程。用一束或波长相同的两束偏振光进行激发时双光子激发的跃迁几率为:     

半导体中杂质的自电离态的理论

本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ_7对称性的受主自电离态的能级和宽度.