OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的.在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题.这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

在模拟与仿真的基础上．根据MOS器件的源漏击穿特性．分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。     

几种电流型AMOLED像素电路及其电流缩放比的分析

分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法--自动调节存储电容的电压以保证电流不变.着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析.在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善.     

基于HD66773的TFT OLED驱动电路的设计

介绍了用驱动TFT LCD的HD66773芯片驱动5cm(2in)TFT OLED的电路设计．通过对芯片做出合理的特殊设置,最终可以显示出8种颜色,达到初步点亮TFT OLED的目的．并给出了初始化软件流程和MCU接口。     

一种支持OLED亮度补偿的电流型PWM像素驱动电路

OLED(organic light-emitting diode,OLED)微显示器长时间工作在高对比度、高亮度的状态下,OLED像素衰退不一致,发光亮度衰退也不一致,会产生残影现象。因此,提出了一种改进的电流型PWM像素驱动电路,保持了对OLED像素衰退补偿效果,同时可以读出OLED阳极电压,计算得到OLED衰退信息,以便于对OLED亮度衰退进行有效的补偿。文章中分析了改进的电流型PWM驱动电路结构,及其对OLED衰退补偿和亮度补偿的原理。通过模拟仿真,得到几个影响OLED衰退补偿效果的关键参数。当OLED像素衰退电阻R_oled小于40 MΩ时,该电流型PWM驱动电路电流衰退度与传统2T1C驱动电路相比,只为其衰退度的50%。     

硅基OLED微显示器像素发光电流稳定性的研究

为了提高硅基OLED微显示器的电流稳定性，提出了一种6T1C型像素电路，该电路既可以减小驱动管阈值电压Vth的偏移，又补偿了OLED发光层电流衰减，利用HSPICE进行仿真，仿真结果表明:在阈值电压偏移量为-7.25ｍＶ~ 7.12ｍＶ和OLED内部电阻偏移量为0~ 8ＭΩ时，该像素电路的发光电流偏差分别为－0.144LSB~ 0.416LSB和-0.48LSB~0.6LSB电流稳定性得到大幅提高。同时，为了保证像素电路能精确反映OLED的电流－电压特性，提出了基于TCLC理论的OLED等效电路模型,该OLED等效电路的仿真数据和实验数据具有良好的一致性。     

项目简介

有机发光器件（OLED）具有薄而轻、低电压、低功耗、高亮度、快速响应、宽视角、高对比度、彩色显示等许多优点。被认为具有非常发展前景的下一代平板显示技术，引起人们的高度关注。OLED主要应用于手机、车载和机载仪器仪表显示、摄像机、PC、TV等，其市场近几年将发展成40～50亿美元。高性能、高品位OLED显示必需采用TFT—OLED技术。由于OLED电流驱动特点，在TFT—OLED像素电路中至少有两个以上TFT器件和存储电容器，     

卡西欧利用非晶硅开发成功OLED面板

卡西欧计算机日前开发成功了利用非晶硅TFT驱动OLED面板的技术,并试制出2.1英寸、160×128象素的产品。该公司首次开发有机EL面板,并通过自主开发的驱动电路,提高了开口率。OLED面板的驱动一般使用电子迁移率较大的低温多晶硅TFT。不过,低温多晶硅TFT目前因底板尺寸的限制,难以实现超过20英寸以上大尺寸的设计。如果将非晶硅TFT用于OLED面板,那么不仅易于扩大尺寸,而且没有低温多晶硅TFT制造设备的厂商也能够涉足OLED面板业务。目前日本国际显示技术(IDTech)和台湾友达光电等公司正在进行这方面的开发。卡西欧计算机着手开发…     

AM-OLED四管像素驱动电路特性研究

为了消除2-TFT像素驱动电路中TFT阈值电压变化对OLED像素电流的影响,设计了基于多晶硅的4-TFT像素驱动电路.使用Hspice仿真软件,验证了在该电路中,流过OLED的电流与TFT管的阈值电压无关.同时,通过选择器件参数,保证在像素选通与非选通期间,都有近似恒定的电流流过OLED.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜.所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm~2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm~2/V·s.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70～80 cm~2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×10~7,开启电压为-8.3 V.另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性.     

多晶硅OLED象素常用驱动电路分析

在多晶硅TFT-OLED中，驱动电路所用TFT的阈值变化量(△VT）会导致显示亮度不均匀，以及灰度低下。因此，需要设计特殊的象素驱动电路来克服这些缺陷。本文把一些常用驱动电路分成OLED的模拟驱动和数字驱动电路，对其性能和工作机理进行细致分析，并指出其中的电路局限性，其间给出产生高灰度的方法。     

MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究

随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要.而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤.该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3 MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图.     

一种基于低温多晶硅薄膜晶体管的交流AMOLED像素补偿电路

This paper presents a new poly-Si pixel circuit employing AC driving mode for active matrix organic light-emitting diode （AMOLED） displays. The proposed pixel circuit, which consists of one driving thin-film tran- sistor （TFT）, three switching TFTs, and one storage capacitor, can effectively compensate for the threshold voltage variation in poly-Si and the OLED degradation. As there is no light emission, except for during the emitting period, and a small number of devices used in the proposed pixel circuit, a high contrast ratio and a high pixel aperture ratio can be easily achieved. Simulation results by SMART-SPICE software show that the non-uniformity of the OLED current for the proposed pixel circuit is significantly decreased （〈 10%） with an average value of 2.63%, while that of the conventional 2T1C is 103%. Thus the brightness uniformity of AMOLED displays can be improved by using the proposed pixel circuit.     

poly—Si TFT制作工艺探索

对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究，采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜，并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ploy-Si TFT的性能进行了比较。研究了退火其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。     

AMOLED电流镜像像素电路的稳定性分析

a—Si：HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管闽值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阂值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理。结合a—Si：HTFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性。     

Poly—Si TFT理论模型的研究

建立了一个poly-Si TFT的物理模型，并在此基础上分析了poly-Si材料特性对poly-Si TFT器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了有效迁移率，推导出了poly-Si TFT电流电压关系的解析式。     

AM OLED:OLED的"明日之星"

本文对近期平板显示市场的一些变化,如液晶的大幅降价对PMOLED(被动式OLED)的冲击,AMOLED(主动式OLED)的最新变化及技术趋势进行了概括分析.