上海交通大学研制成功LSI/VLSI设计验证测试系统

上海交通大学电子电工学院LSI研究所采用世界上先进的理论和算法,研制成功大规模集成电路(LSI)/超大规模集成电路(VLSI)的计算机辅助设计验证、测试系统,为各种MOS及双极型ECL工艺的     

氩离子与白光激光器侦察系统

美帝空军在1970年11月进行氩激光器侦察系统的飞行试验,该系统由激光科学公司制造。同时为紫外监视系统进行试验的是一台由空军设计的白光激光器。     

国外MOS集成电路发展概况

MOSD晶体管自1962年发明以来,在短短十年中,经历过MOS晶体管、MOS集成电路、MOS大规模集成电路这样三个阶段。实际上由于MOS集成电路工艺与MOS晶体管相同,所以可以说MOS集成     

美帝研究激光对导弹弹头材料的作用

美帝正制造具有较好保护设施的弹头以对付改进了的高能防御设施。美帝空军特种武器实验室已安装一台800瓦连续波CO2激光器,以研究铝与多种其他材料的高能辐射效应。     

关于MIS器件的栅极保护

最近,美帝宇宙航行局经研究认为 MOS 集成电路的20%～40%的缺陷是由过量电压和氧化物中存在缺陷而引起的,其结果导致栅极的短路和漏电流的增加。由栅导体电击穿引起的栅短路,使 MOS 晶体管及集成电路的成品率和可靠性都存在问题。在防止过量电压的 MOS 器件的栅极保护方面,过去广泛使用的是 J·莱兰特·赛里的方法,把 PN 结与栅极并列放置,向 PN 结施加反向偏压而使晶体管工作。     

隔离平面技术

美帝费尔查尔德公司所报导的“隔离平面工艺”——Isoplanar technique(又称“等平面工艺”)实际上是用平面氧化法代替常规的扩散法来达到隔离集成电路元件之目的。据称,其双极型电路的封装密度已达到用新的平面技术所制成的 MOS 电路密度之水平。     

LOCMOS——互补MOS电路的一种新工艺

虽然互补MOS晶体管的优良性能已为人们熟知好些时候了,但是由于其工艺复杂,封装密度低,因此很少用于大规模集成电路。现在,由于采用了硅的局部氧化(LOCOS)技术,我们可应用互补MOS晶体管来制作封装密度高、电性能好的大规模集成电路。     

三用激光系统介绍

美帝空军将于1967年11月初在爱格林空军基地再次进行三用激光系统样机试验。如果试验情况良好,将成为空军的第一种地对地激光测距装置。此种激光系统具有三种用途：目标定位、报警（闯入探测）和保密通话,系美帝无线电公司空间系统部为罗姆航空发展中心研制的。系统包括两台激光器——一台是掺钕钇铝石榴石激光器,对目标测距、定位、测高;另一台是砷化镓激光器,在远达2.5公里的距离上进行高度准确的无噪声通话,并当有人侵入,遮断光路时,敲响警铃。还可以配上一个星光镜（光增强装置）,以加强夜间目标定位的能力。     

前言

随着计算机应用领域的日益扩大,对存贮器的容量及速度不断提出了新的要求,从而有力地推动着半导MOS存贮器技术的发展。七十年代是大规模集成电路(LSI)的年代,八十年代则是超大规模集成电路(VLSI)的年代。据估计,其集成度平均每年约增加一倍,而价格却降低一半。     

超大规模集成电路微细加工技术的新局面 光刻法的极限是0.6微米吗?

用光制作集成电路图形,也就是光刻,从光的性质来看,可以说存在着本质上的极限。目前光刻作为可靠性最高的技术应用在大规模集成电路的研制中,并将得到进一步地发展。现在批量生产的全属氧化物大规模集成电路(MOS LSI)光刻工艺为6微米,但以4—5微米为标准的大规模集成电路的生产也进入了成批生产阶段,以2—3微米为目标的大规模集成电路的批量生产也将为期不远。     

模拟MOS集成电路教材之进展

当前,大规模集成电路与系统技术发展显示出如下特征:(1)从数字系统到数字与模拟混合系统。(2)从应用于计算机领域进入通信领域。(3)从通用集成片设计到广泛的专用(或半专用)集成片设计。形成这种局面的背景主要是模拟(与数字混合)MOS集成电路研究与生产之进展及其在现代通信系统中的广泛应用。模拟MOS集成电路形成了一个新兴的技术领域。为适应这方面设计、研究与教学的需要,1980年,P.R.Gray,D.A.Hodges和R.W.Brodersen等人     

用于卫星通讯中继站的激光器

美帝空军将在今后几年内研制一种空间激光通讯分系统,它能转播由军用通讯卫星处理及侦察卫星收集的大量宽带信息。此项价值数百万美元的先进技术项目由美帝空军的空间与导弹系统组织及赖特·帕特森空军基地的航空电子学实验室联合研究。     

美帝空军发展激光测距轰炸系统

美帝休斯飞机公司即将接受由俄亥俄洲炸系统。赖特-帕特森空军基地美帝空军航空系统分部授与的一项合同,研制并试验激光测距轰炸系统。     

测量气候对激光通讯的影响

美帝空军正用两台很小的便携式激光电话测量气候对激光通讯的影响。雾与大雨等大气现象严重地限制了样机系统的通讯距离。在极坏的天气下,能进行通讯的最大距离仅几千英呎。     

国外简讯

美帝Sylvania公司为美帝空军研究了这种用太阳能直接泵浦的实验性激光,它有可能用于卫星-卫星通讯。利用直径24吋的反射镜收集太阳能并聚焦在Nd:YAG激光棒的末端进行激励。这样做能     

砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

一种降低氧化物表面态电荷密度的新方法——C_2HCl_3氧化技术

本文介绍一种降低硅氧化物表面态电荷密度的新工艺——三氯乙烯(C_2HCl_3)氧化技术。采用本工艺能较稳定地将表面电荷密度N_(ss)控制在10~(10)数量级,在10～12Ω-cm的P型衬底上制作出N沟增强型MOS器件。经过系统的实验,在研制N沟MOS大规模集成电路的栅氧化工艺中已用C_2HCl_3氧化取代了HCl氧化,成功地研制出了N沟MOS大规模集成电路。     

初学者知识园地

它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟MOS集成电路,以P型沟道MOS晶体管构成的集成电路称为P沟MOS集成电路,二者统称单沟MOS电路。 N沟器件的多数载流子是电子,P沟器件的多数载流子是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件,电子比空穴的有效质量小,迁     

研制轻便的步枪式激光照明器

美帝空军航空电子学实验室把金额为144000美元的一种轻便激光目标照明器的研制合同交给国际激光系统公司。     

国外数字集成电路现状

在国际上,数字集成电路已进入大规模集成电路(LSI)的生产阶段和超大规模集成电路(V-LSI)的研制阶段,故本文介绍的国外数字集成电路现状,自然也就是数字LSI的发展现状了。 自从1969年LSI问世以来已经十年了,这十年中的发展是甚为迅速的,以MOS存储器为例: