低噪声高电流增益晶体管

晶体管噪声新的表示方法,所有四端网络的噪声特性可以用图1中示出的输入转换噪声电压源e_n和噪声电流源i_n以及相关系数γ表示。当给出噪声源并作某些假定之后,且与晶体管参数相比较,这些噪声源可表示为:     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

晶体管h参数转换图

晶体管特性表中常常给出某一特定工作点的h参数.利用本图可方便地将共发射极参数转换成共基极参数或予以相反的转换.除了反向电压放大系数h_(re)或h_(rb)外,其他参数均能方便地直接从图表中转换.共集电极的参数则不能从图表中方便地求得.图表是由下列方程式而求得的:     

超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性

研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的.但是,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加.对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明,软击穿后的电流机制是FN隧穿,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的.     

超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性

研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的.但是,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加.对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明,软击穿后的电流机制是FN隧穿,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的.     

晶体管参数|h_(fe)|及截止频率f_T的测量

晶体管在射频段使用时人们最感兴趣的h参数是:晶体管短路输入阻抗h_i、晶体管开路输出导纳h_0和晶体管短路电流放大系数h_(fo)关于h_i和h_0可以用普通的射频阻抗(或导纳)电桥通过适当改装后来测量,h_f也可以利用实验室的通用电子设备如信号发生器、高频微伏表等配合起来进行测量.本文仅限于介绍晶体管在射频段共发射极短路电流放大系数的模值     

双极型晶体管低能电子辐照的研究——第一部分:实验

本文报道双极型晶体管的低能(5～20keV)电子辐照实验。结果指出:除了电子束功率极小的情况外,低能电子辐照引起晶体管电参数的变化并不取决于电子辐照剂量而取决于电子束功率和辐照时间。晶体管电流放大系数随电子束功率的增大或扫描次数的增加呈现波浪形变化。当电子束功率足够大、辐照时间足够长时,电子束辐照芯片背面与辐照芯片正面同样能改变晶体管芯的电流放大系数和开关时间;但当电子束功率很小时辐照芯片背面不影响晶体管的电参数。文中还报道了电子辐照晶体管的热处理和高温贮存实验结果。     

硅双极型晶体管的直流电流特性

晶体管的电流放大系数h_(FE)要随集电极电流I_C发生变化。在小电流时,h_(FE)随I_c增加而增加;当I_c增加到一定数值时,h_(FE)基本保持不变。但是,当I_c超过某一临界电流数值以后,h_(FE)会快速下降,这种现象在低集电极电压时更为明显。 本文分析了决定硅双极型晶体管电流放大系数h_(FE)的各种因素,讨论了晶体管的大电流特性,并且分析了h_(FE)随I_c增加而下降的各种机理,给出了各种分析模型的数学表达式。     

应用电源电流读出技术的运放转换器

在集成电路高度发展的今天,集成运算放大器是模拟电路中应用最为广泛的一种功能块.它配接不同的外部元件,能够完成多种信号变换、测量等操作.目前,它的使用几乎和单个晶体管器件一样普遍. 1979年以来,国际上有人应用电源电流读出技术把镜象电流源与运算放大器结合起来,组成一种新型电路,简称为OMA(OperationalMirroredAmplifier)电路.它具有完备的电流与电压间的转换功能.目前,国外已报道制出此类电路的单片集成电路. 根据四端网络理论,一个四端网络的输入与输出间的正向转换关系无非是下列四种. 电压-电压转换器,即电压控制电压源,常用符号     

直线性运用的晶体管参数

(一) 引言直线性运用中的晶体管线路在网络理论中可被视为一个直线性的四端网络。每个四端网络可以六组不同的直线方程式代表,产生六组不同的参数。在用晶体管组成的网络中,已有z,y,h(定义在第二节内说明)三组参数被广泛的应用。另外有T及H两组参数(见第     

双极型功率晶体管的温度分布和直流安全工作区

当晶体管的热点温度保持在 200 ℃时,晶体管的额定耗散功率随集电结电压增加而减小.本文试图由温度分布随集电结电压的变化来解释这现象.介绍一个计算热阻和温度分布的方法并给出详细的热扩展系数图表.将其和晶体管发射极电流方程相结合得到不同偏置下晶体管的热点温度.计算结果与红外显微镜实测结果相符.     

圆柱形场效应晶体管

基于平面形场效应晶体管的肖克莱理论,分析推导了圆柱形场效应晶体管的特性。发现圆柱形器件能给出二倍于平面形器件的电压放大系数。它的频率特性和肖克莱的元件是可比拟的。由于少了一个自由度,使圆柱形场效应管的跨导和功率特性明显地受到限制。实验数据证实了分析结果。     

4H-SiC npn双极型晶体管的研制

采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低。为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护。器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3。     

符号网络函数在晶体管交流参数提取中的应用

介绍了一种用于晶体管交流模型参数提取中特性估值的新方法。它采用晶体管等效电路的Ｚ参数符号网络函数来计算晶体管交流特性，消除了常规方法中通过求节点电压方程获得我氕 耗时过程，因此大大提高了提取效率。最后给出了一个提取实例。     

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进

针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度.     

收讯放大管输入阻抗的测量方法

引言当电子管工作在特性曲线的直线部分时,可以把电子管看成为一个线性的等效四端网络,如图1。也就是说四端网络中的电流和电压成正比,并表示为I_g=y_(ST)U_g y_(fz)U_a;I_a=y_sU_g y_(sc)U_a。式中 U_a 和 U_g 代表板极和栅极的交变电压;I_a和 I_g 代表板极和栅极的交变电流,系数 y 是复数,它具有导纳的量纲,称为电子管的特性导纳。其中 y_(sr)就是电子管的输入导纳。它表示为当 y_(fz)(反作用导纳)被完全补偿时,输入电流对输入电压的作用,即     

双极场引晶体管:I.电化电流理论(双MOS栅纯基)

本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随直流电压变化,输出和转移电流和电导.电子和空穴表面沟道同时存在,这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路.     

LC振荡器输出幅度的分析和计算

LC振荡器工作在稳态振荡时,运用到晶体管非线性区域,其输出幅度不能简单的采用晶体管小信号等效电路来分析和计算。晶体管非线性特性,可用非线性跨导来描述。本文在分析LC振荡器工作过程后,引出非线性等效电路和输出电压计算方法。供工程设计时参考。     

双极场引晶体管:I.电化电流理论(双MOS栅纯基）

本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随直流电压变化,输出和转移电流和电导.电子和空穴表面沟道同时存在,这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路.     

基于电压阀和电流阀模型的晶体管放大电路分析

依据已经提出的电压阀和电流阀两种非线性电路模型以及由电压阀和电流阀构造出的晶体管模型,进一步对各种晶体管放大电路进行了非线性模型等效,并在等效的模型电路基础上,研究晶体管放大电路的静态工作点计算方法、动态参数计算方法.该方法具有电路直观、概念清晰、分析计算准确等特点,而且能够判断出晶体管是否截止或饱和、动态工作范围大小等.