ONFI联盟正式成立 NAND闪存接口规格有望统一

据台湾媒体报导，半导体业龙头英特尔日前正式成立ONFI（Open NAND Flash Interface）联盟，计划推出统一的NAND型闪存接口规格，这一接口规格预计于第二季完成。ONFI首批创始成员包括英特尔、海力士（Hynix）、美光（Micron）、Sony以及中国台湾地区的群联共五家厂商。     

NAND Flash与AT91RM9200的接口设计

以三星公司的与非型闪存(NAND Flash)器件K9K8G08U0A为例,介绍了NAND Flash的存储结构和接口信号以及AT91RM9200对NAND Flash的接口支持,分析了NAND Flash两种接口方式的优缺点,阐述了AT91RM9200对NAND Flash的初始化过程,重点以表格形式说明了接口时序的设计,最后对坏块的概念和ECC校验算法原理做了简单的介绍。NAND Flash的复用I/O接口为更新更高密度的器件提供了相同的引线,使得系统的扩展性大大提高。     

三星东芝支持新一代NAND闪存标准

三星和东芝共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存,即toggle DDR 2．0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。     

基于FPGA和NAND Flash的嵌入式存储系统设计

为了有效解决恶劣工作环境下对体积有特殊要求的数据存储问题,设计了基于FPGA和NAND Flash的小尺寸嵌入式存储系统。系统选用FPGA为控制核心,以NAND Flash作为存储介质,采用LVDS接口存储和回放数据,通过以千兆网与计算机通信,以文件方式管理数据,并采用坏块管理和ECC技术保证数据完整性。实测表明,该系统具有高带宽、体积小等特点,同时具有实时存储、回放、加载、卸载和管理功能,并可在恶劣环境下稳定工作。     

SLC NAND闪存针对嵌入式市场升级工艺标准

日前,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion NAND闪存产品开始出样,它采用4xnm浮栅技术,专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列,存储容量在1Gb～8Gb之间,该产     

一种基于虚拟NAND闪存接口的条码解码芯片及设备的设计方案

针对条码解码芯片的实际推广应用,本文介绍了一种基于虚拟NAND闪存的接口模块设计,并根据条码解码芯片及其接口性能指标,给出了几种应用方案。     

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计

NAND闪存以非易失性、低功耗、抗辐射等优点,被广泛应用于嵌入式系统中.由于闪存写前需先擦写和高坏块率等硬件特性,成为其在应用中的障碍,需要通过闪存映射层进行存储管理.通过给出一种基于NAND型闪存的自适应闪存映射技术,对数据访问模式进行判断,为不同的访问模式提供不同粒度的地址映射方法,用于充分利用NAND闪存的优势克服其缺点,提高系统性能.该方法在Linux系统上予以实现,并进行了性能测试.     

从NAND闪存中启动U-BOOT的设计

本文介绍了S3C2410中NAND闪存的工作原理,分析了从NAND闪存启动U-BOOT的设计思路,并着重描述了NAND闪存支持U-BOOT的程序设计,移植后U-BOOT在嵌入式系统中运行良好。     

适用于缺少NAND接口的便携式系统的闪存控制器

NAND闪存控制器解决方案基于基于超低功耗PolarPro和Eclipse Ⅱ可编程逻辑器件，专为用于便携式应用的各种应用处理器而设计，例如Marvel PXA2xx应用处理器系列和BlackfinDSP系列，同时支持Linux和WinCE软件驱动程序。     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

一种NAND Flash控制器验证平台的设计

讨论了验证平台的设计理论、功能以及结构几方面问题,并使用硬件描述语言搭建了自检查的NAND Flash控制器验证平台,在此基础上对控制器进行了全面的功能验证过程。仿真结果验证了该方法的正确性,此方法提高了验证效率、缩短了芯片的研发周期。     

Fast NAND Flash Memory System for Instruction Code Execution

The objective of this research is to design a high‐performance NAND flash memory system containing a buffer system. The proposed instruction buffer in the NAND flash memory consists of two parts, that is, a fully associative temporal buffer for temporal locality and a fully associative spatial buffer for spatial locality. A spatial buffer with a large fetching size turns out to be effective for serial instructions, and a temporal buffer with a small fetching size is devised for branch instructions. Simulation shows that the average memory access time of the proposed system is better than that of other buffer systems with four times more space. The average miss ratio is improved by about 70% compared with that of other buffer systems.     

一种基于AMBA总线的 NAND FLASH控制接口电路设计

NAND FLASH采用8根I／O信号线复杂的传送控制、地址和数据信息,其控制逻辑需要专门设计。该接口设计基于ARM 7TDMI核,AMBA AHB总线结构,支持1bit ECC校验和位宽转换。接口设计中的状态机由命令字发送状态组完成对NAND FLASH命令字发送,地址发送状态组完成写地址发送,读状态组完成读操作,写状态组完成写操作。该设计已通过仿真和芯片验证测试,功能符合NAND FLASH操作规范。     

超大容量NAND FLASH坏区管理方法的设计与实现

嵌入式统中存储设备的性能是决定整体系统性能的核心环节之一,NAND FLASH具有容量大、速度快、成本低等很多优点,在各嵌入式系统中广泛应用,如何有效地对NAND FLASH进行坏块管理对NAND FLASH的应用尤为重要。分析了NAND FLASH上FFS的功能结构,对存储空间管理、坏块回收、损耗均衡等控制进行了描述,然后给出了与Win-dows文件系统完全兼容的FLASH文件系统,有效地对超大容量NAND坏区进行管理。     

新型智能存储SoC中NAND Flash控制器的软/硬件设计

介绍了新一代智能存储片上系统SSC,详细讨论了SSC中NAND Flash子系统的软/硬件设计;采用基于模板的划分方法,实现NAND读写控制器的软/硬件划分.SSC已生产并通过工业测试.结果表明,采用软/硬件划分的方法,NAND控制器的面积比纯硬件的实现方法减小58%,性能仅下降16%;比单纯ARM软件实现,速度平均提高20倍,同时具有软件的高灵活性.     

一种嵌入式图形用户界面系统的设计与实现

为了满足嵌入式系统的界面设计需求,给出了一种图形用户界面系统SKY-GUI的设计思路和其在嵌入式Linux环境下的实现方法。SKY-GUI有四大组成部分:输入抽象层、显示抽象层、事件系统和窗口系统。其特点是界面美观、占用资源少、运行效率高,现已应用于嵌入式视频监控项目。实验证明其设计思路可行,性能优良,适用于典型的嵌入式系统项目。     

基于FPGA和NAND Flash的存储器ECC设计与实现

针对以NAND Flash为存储介质的高速大容量固态存储器,在存储功能实现的过程中可能出现的错“位”现象,在存储器的核心控制芯片,即Xilinx公司Virtex-4系列FPGA XC4VLX80中,设计和实现了用于对存储数据进行纠错的ECC算法模块。在数据存入和读出过程中,分别对其进行ECC编码,通过对两次生成的校验码比较,对发生错误的数据位进行定位和纠正,纠错能力为1 bit/4 kB。ECC算法具有纠错能力强、占用资源少、运行速度快等优点。该设计已应用于某星载存储系统中,为存储系统的可靠性提供了保证。     

适合NAND闪存控制器的BCH纠错编译码器VLSI实现

随着大容量MP3播放器、PMP播放器、数码相机、智能手机等消费电子产品的需求持续增长,MLC的NAND闪存已经取代SLC的NAND闪存成为市场主流。而存储容量的增大所带来良率与可靠性的下降,意味着我们需要纠错能力更强大的硬件编译码器来处理可能发生的错误。针对固态硬盘需要支持多通道的NAND闪存,纠错编译码器也要有能够处理并行I/O总线的能力,本文实现了可由软件配置、最大纠错能力t为可变的1~16b的BCH纠错编译码器,在计算错误位置多项式的过程中使用了修正的欧几里德算法。     

大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

随着嵌入式系统的快速发展,FLASH存储设备得到越来越广泛的应用。以Samsung公司的NAND FLASH器件K9F2808U0C为例,根据ARM嵌入式系统的要求以及NAND型Flash存储器的特点,设计了与LPC2210的接口电路,阐述了NAND FLASH的基本结构和对其操作程序流程,介绍了NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并将其在μC/OS Ⅱ操作系统上实现并验证,实验结果证明符合设计要求。