自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

开/关控制低压降稳压器

ＭＣ３３３７５系列是做功率低压降稳压器,备有不同的输出电压和封装形式,如ＳＯＴ－２２３、ＳＯＰ－８表面贴装封装。这些器件具有非常低的静态电流（ＯＦＦ模式时为０．３μＡ,ＯＮ模式时为１２５μＡ）和低的输入输出电压差（１０ｍＡＩｏ时为２５ｍＶ,３００ｍＡＩｏ时为２６０ｍＶ）。内部保护特性包括电流和热限制。ＭＣ３３３７５有－ＯＮ／ＯＦＦ控制引脚,利用一逻辑电平信号可接通或关闭稳压器输出。其简化框图示于图１。ＭＣ３３３７５的典型应用电路示于图２。为稳定２．５Ｖ、３．０Ｖ、３．３Ｖ的输出电压,只需在稳压器…     

ROHM公司CD／CDROM用集成电路一览表

ＲＯＨＭ公司ＣＤ／ＣＤＲＯＭ用集成电路一览表ＣＤ信号处理品名电源电压（Ｖ）功能特点封装ＢＡ６３７６Ｋ３．１～３．８ＲＦ·ＴＥ·ＦＥ生成、探伤、ＡＰＣ适应电压输出拾波、可在低电压下工作、内设自动聚焦ＱＦＰ３２ＢＡ６３７７Ｋ３．１～５．５ＲＦ·ＴＥ·Ｆ...     

电源及其它

ＤＣ／ＤＣ模块化功率变换器ＰｏｗｅｒＱｏｒ系列全隔离式ＤＣ／ＤＣ模块化功率变换器采用ＭＯＳＦＥＴ同步整流器。因其本身只产生同类产品一半的热量,不用散热器,因而体积小、重量轻、成本低。ＰｏｗｅｒＱｏｒ系列产品的输出电压有１５Ｖ,１２Ｖ、ＳＶ、３３Ｖ、２．５Ｖ、ＺＶ和１５Ｖ。标称输入均为４８Ｖ。ＭＴＢＦ（平均故障间隔时间）大于２００万小时,可用于配电和备用电源系统。该产品今年２月上市。按ＯＥＭ数量订货,３０ａｍｐ系列的单价为１２１美元。Ｓｑｎｑｏｒ公司电话：（００１）４０８４３２７２２３,Ｆ：Ｘ：（…     

业界风云

ＩＲ宣布ＤＣ－ＤＣ转换新技术 国际整流器公司（ＩＲ）最新推出的功率半导体,可在三个主要领域强化直流－直流应用系统性能：首先,用于新一代电信及网络功率管理的ＩＲ１ １７６同步整流集成电路,配合新型ＩＲＦ７８２２ ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,使４８Ｖ输入／１．５Ｖ隔离输出变换器能在４０Ａ全负载环境下,达到８５％的效率水平。该芯片组可简化宽频网的低压、大电流输出ＤＣ－ＤＣ转换器设计,实现更高的效率和更佳的成本效益。其次,用于隔离及非隔离（降压）同步ＤＣ－ＤＣ变换器的３０ＶＨＥＸＦＥＴＭＯＳＦＥＴ,比业…     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

元器件快讯

元器件快讯日立公司推出超低导通电阻（４．５ｍΩ）的功率ＭＯＳＦＥＴ２ＳＫ２５５４２ＳＫ２５５４为Ｎ沟道功率ＭＯＳＦＥＴ，它的击穿电压为６０Ｖ，它的特点就是导通电阻很小，典型值为４．５ｍΩ（２ＳＫ２５８６的导通电阻为７ｍΩ），可在４Ｖ电压下工作。２ＳＫ...     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

来号显示及第三方来号显示解码电路

１２００ｂａｕｄＢｅｌｌ２０２及ＩＴＵ－ＴＶ．２３频移键控Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ－ＮＷ６００２是工作在３Ｖ或５Ｖ的ＣＭＯＳ来号显示及第三方来号显示解码电路。它能接收符合Ｂｅｌｌｃｏｒｅ－ＧＲ３０－ＣＯＲＥ＆ＳＲ－ＴＳＶ－００２４７６、ＢＴＳＩＮ２２７＆一ＳＩＮ２４２及ＣＣＡＴＷ／Ｐ＆Ｅ／３１２标准的信号。ＮＷ６００２提供１２００ｂａｕｄ的Ｂｅｌｌ２０２及ＩＴＵ－ＴＶ．２３ＦＳＫ解码。微控制器可通过二线模式串行接口提取数据。另外,ＮＷ６００２Ｏ为ＢＴ的主叫线路识别显示（Ｃａｌｌｉｎｇ　Ｌｉｎｅ　Ｉｄｅ…     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

电力器件用的6H—SiC,3C—SiC和Si的比较

为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａ／ｃｍ＾２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

C波段GaAs FET VCO设计的一种方法

在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

一种5V6位80MS／sBiCMOS闪烁ADC

一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...     

元器件快讯

IR推出全新30V功率MOSFET功率半导体国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ，简称ＩＲ）推出ＩＲＬＲ７８３３及ＩＲＬＲ７８２１两款ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,这两款器件以最新的条形沟槽（Ｓｔｒｉｐｅ -ｔｒｅｎｃｈ）技术设计 ,成为Ｄ -Ｐａｋ封装市场上通态电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））最低的３０ＶＭＯＳ ＦＥＴ。现同类直流 -直流变换器ＭＯＳＦＥＴ相比 ,它们能将效率提升高达２．５ %或节省多达２５ %的元件数目。两款新器件专为同步降压变换电路而设计 ,适用于服务器、台式和笔记本电脑 ,以及网络和…     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…