CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成.在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降.导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低.由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS.本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron·A=C·V2B,对纵向器件:Ron·A=C·VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron·A=C·V2.5B的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级.     

高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计

分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比.结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因.为了改善器件的准饱和效应,提出一种简单的优化结构,在几乎不改变器件的导通电阻和击穿电压的前提下,使器件的开态准饱和电流提高了约40%,并且利用仿真软件Sentaurus Device进行了模拟仿真.     

600V CoolMOS优化设计

CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数（外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间）进行了优化。最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RonA仅为12.5 mΩ.cm-2的CoolMOS结构,器件特性大大优于传统功率MOSFET。     

600 V C00lMOS 优化设计

Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理.通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化.最终得到击穿电压为630 V,特征导通电阻RonA仅为12.5 mΩ·cm-2的CoolMOS结构,器件特性大大优于传统功率MOSFET.     

安森美推出业界首款10A超级电容LED闪光驱动器

英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如HPFC（功率因数校正）级或PWM（咏宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、     

电源管理

英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的MOSFET英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)     

兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ）在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。     

系统工程中先进的功率半导体器件新的发展方向

本文对近来提出的一些器件的基本原理进行了比较，这些器件包括超大型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极性晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）器件。所有这些器件的阻断电压都能达到1000V，以优化设计可适合于不同的应用领域。最新一代的CoolMOS在最大电流下可同时获得极高的通态电导率和极快的开关频率，而其阻断电压也在500～800V之间。在很多场合，CoolMOS的杰出的开关性能由于其二极管的动态特性比较差而无法得到应用。因此，一系列碳化硅二极管被设计出来，使开关特性优异的CoolMOS和快速SiC二极管在为理想的组合对象。该二极管的性能随后将被探讨。和硅器件相比，SiC器件展现出优越的性能，极低的导通电阻和很高的击穿电压被认为是碳化硅功率开关器件最突出的特点。阻断电压高达18000V的MOSFETs和结型场效应晶体管（JFETs）其导通电阻分别是47mΩcm^2和14.5mΩcm^2，比较而言，碳化硅器件对系统设计者有吸引力得多。为了在器件实体上描述这些预期的特性，我们在JFETs器件上实现了纵向阻断电压为1800V和通态电阻率为12mΩcm^2的性能。我们将对此进行讨论。     

组合BoostSET IC的应用

亿恒公司近期推出世界首款将功率因数校正(PFC)控制器与被称之为CoolMOS的高压功率MOSFET集成于同一芯片上的ASIC。这种新型器件被叫作BoostSET IC,型号是ICE1PD165G。     

采用CoolSETTM-ICE2B265的30W开关电源设计

引言 CoolSETICE2B265是内带CoolMOS的集成脉宽调制器.它含有控制器和CoolMOS功率开关,价格便宜.设计者可以用它来实现当前各种新型开关电源,例如要求待机功耗低、外部元件少,电路板面积最小等等.