一种动态频率补偿LDO的电路设计

设计了一种动态频率补偿、高稳定性的LDO电路.针对具有Buffer缓冲器的LDO环路稳定特性随负载变化而变化的特点,给出一种新型的LDO频率补偿结构.这种补偿结构能很好地根据负载电流的变化,动态地改变环路次级极点的位置,进而提高环路稳定性.设计采用TSMC 0.35μm标准CMOS工艺,利用Spectre工具对电路的性能进行了模拟,仿真结果表明此电路结构在整个负载变化范围内相位裕度均大于88°,系统具有高稳定性.     

极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法

提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。     

LDO中动态补偿电路的设计

分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿,保证了LDO稳压器的UGF（Unity Frequency）基本不随负载变化,使其在所有负载内均能稳定工作.与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率.     

一种应用于LDO稳压器的 CMOS误差放大电路的设计

本文设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构,并通过嵌套密勒补偿和动态频率补偿技术,显着改善了其性能指标.采用Hynix0.5 μ m CMOS Hspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,增益高于60dB,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70dB左右.     

LDO的三种频率补偿方案实现

从理论上分析了三种不同的LDO电压转换电路及各自的频率补偿方案,并基于sPEcTRE对此三种LDO的各项性能进行了仿真,仿真采用0．6μm 5 V CMOS工艺。在此基础上,对这三种LDO电路各自的优缺点进行了比较以便于在不同应用场合下能够选择合适的LDO结构。     

一种LDO自适应电流频率补偿技术

为解决LDO稳定性高度依赖负载电容和ESR零点补偿可靠性差的问题,提出了一种宽负载电流范围下(0~1 A)自适应电流频率补偿技术。通过分段电流补偿设计了轻重载下动态极点和独立阻抗,在优化环路稳定性的同时,进一步减小了静态功耗;通过阻容网络信号叠加产生了随负载电流和电容变化的动态零点。经仿真及流片验证,全负载范围内最差相位裕度为55°;可空载,且空载下静态功耗仅为52.3μA;适用负载电容范围≥2.2μF,ESR范围≤1Ω。该环路具有高稳定性和宽负载电容适应性。在应对负载突变时恢复曲线平滑,无欠阻尼振荡现象。     

一种适用于LDO的动态频率补偿方案

设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)中的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix 0.5 μm CMOS 模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1 mA 变化至300 mA时,系统环路增益的0 dB 带宽保持在70 kHz到100 kHz之间,相位裕度保持在60o以上,保证了LDO 稳压器在全负载范围内均能稳定工作.     

一种用于LDO的动态频率补偿技术

低压差线性稳压器(LDO)广泛应用于各种供电系统中,但对于不同的负载电流,系统的极点将有很大的变化,如果不进行补偿,系统有可能不稳定。设计一种新颖的动态密勒补偿电路,使系统在不同负载时选择不同的主极点,电路可以更加稳定。该电路不需要外接ESR进行频率补偿,并且增加了系统带宽。此方法设计的LDO具有响应速度快、稳定性好、节省空间等优点,并且具有更高的电压调整率和负载调整率。     

一种用于LDO稳压器的折返式限流电路

本文介绍了一种用于LDO稳压器的折返式限流电路,并针对实际应用中可能出现的问题进行了优化设计。仿真结果表明,对于一款最大带载能力为150mA的LDO稳压器,与常规的恒定电流限制相比,该电路能使系统在限流状态下将功耗减小2/3。     

一种跟踪负载电流变化的LDO频率补偿方法

分析了低压差稳压芯片(LDO)的环路频率特性及其与负载电流的关系,提出了跟踪负载电流变化的LDO频率补偿思路和方法,并给出了具体的电路实现。在意法半导体公司的0.8μm BCD工艺下的仿真结果表明,该电路能显著提高LDO的频率稳定性和瞬态响应。     

利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题

针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路。与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片,验证了该方法的正确性和可行性。     

片上低压降电源调节器的稳定性分析和频率补偿

分析了片上低压降(Low Dropout)电源调节器稳定性的极限条件,在此基础上,提出了一种实用的频率补偿技术。此技术无需额外电阻和偏置电压,即能为系统产生零点,实现系统的主、次极点分离(pole-splitting),从而增加相位裕量,使系统保持稳定。实验表明,采用该技术的电路结构简单、实现容易、占用面积小,能够使片上LDO在负载电阻、负载电容大范围变化的情况下保持稳定,特别适用于片上电源管理系统。LDO采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。     

一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。     

一种加入动态补偿电路的快速响应LDO设计

当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点.针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流或者输入电压下系统的稳定性能.其适用电压范围为4.5～16.0V,输出电压5.0V,具有低功耗、带宽宽等特性.使用Hspice软件对设计的LDO进行了仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 mA/μs突变时,输出电压突变量最大为105 mV,响应恢复时间平均约2.1 μs.环路特性仿真结果表明,该LDO带宽为4.9 MHz,3 dB带宽为3.5MHz,相位裕度为约76°,且片内补偿电容仅0.3 pF.