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预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响.结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值.同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μ_i-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低.在100 kHz、200 mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μ_i-T曲线的Ⅱ峰位置. 相似文献
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由于具有高硬度 ,良好的耐磨性和抗腐蚀性 ,由电化学过程制取的硬Cr涂层已经大量用于工程构件和光学、表面装饰等领域中。近年来 ,微机械技术迅速崛起 ,成为高技术发展的重要方向之一 ,使Cr薄膜有了更广阔的应用前景。目前采用PVD方法代替电化学沉积来制备Cr薄膜的工艺受到越来越广泛的重视[1] ,已有不少工作研究了气相沉积Cr薄膜的工艺及其性能[2 ] 。本文研究了基片温度对磁控溅射Cr薄膜的微结构和力学性能的影响。Cr薄膜采用ANELVASPC 35 0多靶磁控溅射仪制备。单晶硅基片经丙酮超声清洗、酒精脱水后送入真空室… 相似文献
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采用氧化物陶瓷工艺,按组分Li0.35+xZn0.3Mn0.06Fe2.29O4+δ+2%Bi2O3(x=0~0.180)在1 000℃下制备LiZn铁氧体,研究了不同富Li量对LiZn铁氧体微观结构、磁性能和介电性能的影响。结果表明,当富Li量x≤0.015时样品断面的微观形貌变化不大,晶粒均匀致密,而x≥0.045时,气孔和缺陷增多,晶粒尺寸减小;随着富Li量的增加,饱和磁化强度和剩磁比先略微增大后明显减小,矫顽力呈先缓慢后迅速增大趋势,而电阻率单调上升,介电损耗先下降后上升。当x=0.045时,LiZn铁氧体微观结构和磁性能较好,介电损耗角正切下降至5.25×10-4。 相似文献
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Cu掺杂对Mg-Zn铁氧体性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)自燃烧法制备了一系列Cu掺杂Mg-Zn铁氧体纳米粉,(Mg0.2CuxZn0.8-x)O(Fe2O3)0.97(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4),并用该纳米粉在1000℃/4h下,烧结成了致密的陶瓷体。该文用XRD和SEM对Cu掺杂的Mg-Zn铁氧体的相结构和显微结构进行了研究。用HP4194A阻抗分析仪研究了烧结样品的磁谱。研究发现,在掺杂一定的Cu有利于促进烧结样品的致密化过程,改善磁性能,并影响样品的显微结构。 相似文献
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采用普通陶瓷工艺,分别制备了不同ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃掺量的Y3Fe5O12(YIG)和Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4V0.6O12(YBiCaVIG)铁氧体样品。分析了样品的物相组成、显微结构及磁性能。结果表明,ZBS玻璃能有效地降低YIG和YBiCaVIG陶瓷的烧结温度,当w(ZBS)=10%时,其烧结温度可分别降低到1 280℃和950℃,但XRD显示烧结体中分别出现少量SiO2和YFeO3(YIP)杂相,SEM显示样品的晶粒大小约2~4μm,气孔率偏高。添加ZBS玻璃后材料的饱和磁化强度4πMs下降,铁磁共振线宽ΔH增大,但由于烧结体晶粒较细,自旋波线宽ΔHk较大,可作为YIG大功率材料使用。 相似文献
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利用溶胶-凝胶自燃烧法合成了-系列低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体(Mg0.2Cu0.2Zn0.6O)(Fe2-x,MnxO3)0.97(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)。该文对低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体的成相,致密化过程及锰含量对其磁性能和显微结构的影响进行了研究。研究发现,具有较低磁致伸缩系数的Mg—Cu—Zn铁氧体呈现出比Ni—Cu—Zn铁氧体更好的磁性能。因此,低温烧结的Mg—Cu—Zn铁氧体有望替代Ni—Cu—Zn铁氧体而用作多层片式电感材料。在一定Mn掺杂范围内,Mn掺杂对Mg—Cu—Zn铁氧体磁性能的改进,主要是通过其对材料内部磁致伸缩系数和内应力的调控来实现的,而不是通过对微观结构的影响而获得的。 相似文献
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BYPT高居里温度压电陶瓷结构与性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用固相合成法制备了BiYbO3-PbTiO3(BYPT)压电陶瓷材料,研究了不同含量的BiYbO3对BYPT陶瓷显微组织结构及电性能的影响规律。结果表明,BYPT陶瓷由钙钛矿相和Yb2Ti2O7两相组成,随着BiYbO3含量的增加,BYPT陶瓷中Yb2Ti2O7相逐渐增多。居里温度TC和介电常数rε随着BiYbO3含量的增加先增加后减少,介电损耗tanδ则先减少后增加,在BiYbO3的摩尔分数为10%时性能达到最佳,其TC、rε和tanδ分别为590℃、660和0.017。 相似文献