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综述了用等离子体法制备碳化硅超细粉的进展,并将制备方法归纳为固-固、固-气-气反应法。评述了者为提高SiC的纯度而作的努力。 相似文献
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砂磨粉碎制备SiC超细粉体 总被引:5,自引:0,他引:5
砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备SiC超细粉体,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂6磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响,在一定工艺条件下,将中位粒径为7.3um的高纯SiC粗粉砂磨粉碎18hr,得到了中位粒径为0.47um、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1.5wt%的超细SiC粉体。 相似文献
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砂磨粉碎制备SiC超细粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一 ,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备 Si C超细粉体 ,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响 ,在一定工艺条件下 ,将中位粒径为 7.3μm的高纯 Si C粗粉砂磨粉碎 1 8hr,得到了中位粒径为 0 .4 7μm、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1 .5wt%的超细 Si C粉体。 相似文献
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论述了碳化硅晶片作为补强增韧材料的优点,阐述了其制备机理和国内外的各种制备技术以及碳化硅晶片的提纯方法,并对碳化硅晶片的研究重点和发展趋势作了简要的评述。 相似文献
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运用透射电子显微镜对超细粉的形貌和粒径进行了研究、分析,比较了液相法和气相法民得超细粉的性能,得出了液相和气相法是制备纯度高、粒度小、粒径分布范围窄的超细粉的较佳方法。 相似文献
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镁铝尖晶石超微粉的制备方法 总被引:7,自引:0,他引:7
主要介绍了国外近年来制备MgAl_2O_4超微粉的各种方法、特点,并比较了它们的优缺点,根据合成原理将制备方法分为二大类:液相法和固相法。 相似文献
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本文报道了SiH4/C2H4体系激光合成SiC超细粉研究及对合成的SiC超细粉进行的TEM(TED)、XRD、FTIR、XPS及Raman散射等测试分析。在部分样品中发现了SiC空心颗粒,讨论了SiC超细粉的成核成长规律,得出了一些有价值的新结果:SiC超细粉的合成由Si成核生长和碳化组成;反应温度较高时,为获得接近化学计量化的SiC超细粉,要求有较高的源气C/Si比,并且高的C/Si比有利于降低 相似文献
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B4C超细粉末的制备及烧结 总被引:4,自引:1,他引:3
采用气流粉碎对B4C粗粉(比表面积0.52m2/g,中位粒径20.4μm)进行了一系列粉碎实验,研究了气流粉碎次数、成形压力和烧结温度对烧结密度的影响.结果表明,当粉碎次数达到3次后,可获得<1μm的B4C超细粉末.经过4次气流粉碎的B4C超细粉末的比表面积为2.53m2/g,中位粒径为0.56μm;粉末分别于2200和2250℃压烧结1h,其烧结密度分别达到理论密度的78.6%和82.5%,平均晶粒尺寸分别为28和50μm抗压强度分别为390和555MPa. 相似文献
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超细粉体静电切向分级研究 总被引:2,自引:0,他引:2
根据粉体颗粒所带饱和电量和颗粒的直径成正比的关系,提出一种新的粉体分级的方法———静电切向分级法,研究粉体带电颗粒在静电场中运动规律以及在粉体分级中的应用。 相似文献
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溶胶-凝胶工艺合成ZrO_2超微粉末的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以自制Zr(OC_3H_7)_4和Y(CH_3COO)_3为原料,应用溶胶、凝胶法制备了组份为ZrO_2-9mol%Y_2O_3超微粉末.实验表明:温度、湿度、溶液的浓度.介质和催化剂等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素.通过TG-DTA、XRD、BET比表面积测量以及TEM等分析手段研究了粉末的结构与性能.结果表明:钇稳定立方相二氧化锆(YSZ)超微粉末的合成温度在470℃左右.粉末经500℃以上热处理后变为纯立方相结构.500℃煅烧2h后的超微粉末颗粒呈球形或近似球形,比表面积为64.04m ̄2/g,粒径为15.7nm.随着烧结温度的升高,YSZ超微粉末的比表面积减小,粒径增大,预示着颗粒间发生团聚,一次颗粒间的团聚引起了表面积的明显损失和界面的形成. 相似文献