PbTe／PbSnTe液相外延溶液

为了研究多元红外探测器响应波长均匀性,用PbTe/PbSnTe液相外延单相溶液进行了实验。本文论述了单相溶液的配比、结晶温度的测定、外延温度曲线、外延Pb_(1-x)Sn_xTe薄膜和溶液的分析以及用该溶液制备的PbTe/PbSnTe异质光伏16元红外探测器的性能。     

Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格的分子束外延及特性研究

用MBE技术外延生长了Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格。对单层薄膜进行了红外透射谱及光激瞬态电流谱的测量。对超晶格材料进行x光衍射测量。结果表明材料的性能优良。     

高质量PbSnTe薄膜的制备

一、用真空蒸发生长高迁移率的Pb_0.8Sn_o.2Te外延薄膜窄禁带半导体Ⅳ-Ⅵ族化合物的外延层,制作光伏红外探测器,已在光电子学方面得到广泛的应用。这些半导体材料的三元化合物(如Pb_χSn_1-χTe,Pb_χSn_1-χSe),具有特别的优点,即禁带宽度是随组分而变的。这些性质已被广泛用于研制红外探测器和红外激光器二极管。Pb_χSn_1-χTe之所以能受到大量注意是因为它能用来制备高性能的红外探测器,工作于77K和77K以上,敏感于8～14μm大气窗口的红外光谱区域。对探测器应用特别感兴     

长波PbSnTe/PbTe背面光照异质结构镶嵌阵列

用液相外延技术生长的外延层制备了Pb_(0.76)Sn_(0.24)Te/PbTe背面光照异质结构镶嵌阵列。在85K时,这些二极管的光谱峰值发生在13微米,截止波长在14.2微米。该响应波长被认为是迄今所报导的在接近液氮温度下PbSnTe红外探测器的最长响应波长之一。光谱截止波长,正如所预期的那样,在温度降低时即移向长波,在30K时达到最大值,然而,低于该温度时,光谱响应又重行缩短。这种特性可用禁带宽度、费密能级、光学跃迁的热展宽对温度的关系来说明。     

分子束外延生长条形异质结铅盐二极管激光器

用分子束外延已生长出硫族稀土铅盐二极管激光器。从PbTe衬底上生长晶格匹配的碲硒铒铅双异质结二极管激光器获得了小于5至6微米的发射波长。制作出条宽为25微米的台面二极管激光器,在高达1mW/面输出功率下,其仍具有宽的单纵模激射。这些二极管激光器在高达147K下仍可连续工作,这是迄今我们所知道已实现的硫族铅盐二极管激光器最高的连续工作温度。现今,PbTe系的波长复盖范围已扩展到4.06微米。与(Pb_(1-y)Sn_y)_(1-x)Yb_xTe限制层晶格匹配的Pb_(1-y)Sn_yTe有源区双异质结二极管激光器已得到了更长波长的复盖范围。对x=0.034,y=0.14的二极管激光器初步研究表明,连续发射波长由10.7微米(10K)变化到7.1微米(128K)。     

丝网印刷法制作红外探测器

日本研制成用丝网印刷法制作的强介质热电型红外探测器.该探测器选用Pb_5Ge_3O_(11)作为强介质.制作方法是,用有机载色体将Pb_5(Ge_(1～x)SiX)O_(11)晶体粉末制成糊状.再印刷在金箔上(印刷厚度为50～300微米).然后在空气中用L10℃和300℃加热蒸发载色体,使其燃烧,接着在725℃(常压空气中)烧1小时左右,     

国外简讯

探测公害用红外半导体激光,研究最成熟的是Pb_(1-x)Sn_xTe,一般是用液相外延的方法,在PbTe基片上,长成Pb_(1-x)Sn_xTe和PbTe层。日本电子工业振兴协会委托富士通研究所试制成了一种激光器件。为了能做到导热性能好,而且电流部分集中,因此用蒸发法形成MgF_2薄膜,做成带式结构。这种激光二极管的有效尺寸为80×200微米,振     

在Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P混合晶体中长波长光学声子谱

实验上一般用喇曼光谱和红外反射谱两种方法研究混合晶体材料的长波长光学声子谱,但红外反射谱的结果分析在一定程度上依赖于分析方法并利用调节参数。而喇曼光谱的结果直接给出了长波长光学声子模的频率,带宽和强度。我们测量了不同组份的Ga_xAl_(1-x)P和Ga_xAl_(1-x)As混合晶体材料的喇曼光谱。对Ga_xAl_(1-x)As,我们着重补充富AlAs(x≤0.5)材料的测量结果;对Ga_xAl_(1-x)P,我们着重讨论     

分子束外延Pb1—xEuxTe材料的红外透射谱研究

在2.5～25μm范围内测量了分子束外延(MBE)Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜材料(x=0,0.011,0.032,0.045)的室温红外透射谱,得到了折射率的色散关系及禁带宽度与组份x的关系,首次报道了禁带宽度与光学介电常数的经验公式,讨论了本文结果与其它报道的不同之处。     

用电子能谱法研究Pb_(1-x)Sn_xTe器件表面

一、引言化合物半导体红外探测器的表面性质往往限制了器件的性能。化合物半导体的表面钝化是一个重要问题,这至少部份是由于表面化学增加了复杂性,在多组份材料中这是可能出现的。Pb_(1-x)Sn_xTe属于经常出现明     

封闭系统中Pb_xSn_(1-x)Te外延淀积在Pb_xSn_(1-x)Te基片上

在封闭系统中往Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te(100)基片上淀积载流子浓度在10~(17)/厘米~3范围内的P型Pb_(.79)Sn_(0.21)Te外延膜,速率为1.5～3.0微米/小时。这些外延膜是在425～525℃下用符合化学计量或金属略多的料淀积的。淀积的n型膜夹杂着金属。膜的结构受基片缺陷、基片温度及装料组分的影响。制成了厚达100微米的膜。采用肖特基势垒工艺,在外延膜上做出了在77K下黑体探测度为10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦的红外探测器阵列。     

Pb-Sn-Te系统液态表面的简单晶格法研究

窄禁带半导体Pb_1-xSn_xTe制作的红外辐射源在低温光电子学上得到了应用。从金属溶液中生长的外延层观察到辐射的极高量子效率。为取得给定的外延层组分,用简单晶格法研究和描述了Pb-Sn-Te和Pb-Pb_(0.75)Sn_(0.25)-Pb_(0.75)Te_(0.25)系统液态表面的数学模型。     

通过扩散Cd掺杂Zn减低Pb_(1-x)Sn_xTe载流子浓度

化合物PbTe和SnTe形成以岩盐晶体结构为特点的完整的假二元固溶体系列Pb_(1-x)Sn_xTe(O相似文献   

非制冷型中长波铟砷锑探测器

工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法在InAs(砷化铟)衬底上生长的InAs0.05Sb0.95(铟砷锑)厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge(锗)浸没透镜。傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2~9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp*达到5.4×109 cm·Hz1/2·W-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D*分别为9.3×108和1.3×108 cm·Hz1/2·W-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。     

红外探测器:开管汽相迁移生长的Pb_(1-x)Sn_x Te外延膜

开管汽相迁移已经在Pb_(1-x)Sn_xTe(100)面衬底上面生长Pb_(1-x)Sn_xTe 外延膜。就表面光滑度和电气特性这两方面而论,原生长的膜适于制作探测器列阵。所利用的料源组分从过量1%金属到过量1%碲。所实现的生长速度为每小时高达3—4微米。原生长外延膜的载流子浓度在3×10~(16)厘米~(-3)——3×10~(17)厘米~(-3)范围内,与生长温度和料源组分有关。在未经表面处理的原生长的薄膜上面制作的带有半透明电极的肖脱基(Schottky)势垒探测器。20—40     

PbS分子束外延

本文介绍了一种自行设计的、能连续制备多层外延膜的简易分子束外延装置,并用此装置在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te衬底上生长了PbS单晶薄膜。利用扫描电镜、X-射线分析,红外反射光谱等检测手段,对单晶膜的表面形态及结晶质量进行了观察和测试分析。     

宽调谐中红外飞秒及窄带长脉冲激光器件的研制和集成

中红外飞秒光参量放大器(OPA)是重要的红外飞秒激光源,笔者在此领域发展了一系列创新技术,以实现装置高效、稳定、紧凑的目标,成功地将100 fs的中红外飞秒激光在2.0～4.5μm宽波长范围内可调谐.基于OPA输出,研制了产生窄带长脉冲激光的时间望远镜,其集成化器件可输出时间同步的可调谐长短脉冲激光,在一个系统上集成了波长可调谐,高光谱(～0.1nm)分辨率和高时间(～100 fs)分辨率等三种独特的功能.     

通过表面分析来评定Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te探测器的制造过程

为了制造高性能的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 探测器,在制造过程中必须了解其表面特性并加以控制。把俄歇光谱(AES)和光电子光谱(ESCA)技术用于分析经历了探测器制造的一些步骤以后的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 表面。本文提供经过化学腐蚀、光刻工艺和热处理以后Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 材料的俄歇光谱和光电子光谱数据。此外,还对暴露于室内环境条件和高湿度条件之后的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 表面的特性作了描述。而对表面特性有了了解,就可以把它同做成的探测器的参数进行对照,从而确定出制造最优性能探测器的程序,因此也就能找到制造稳定的探测器的工艺。     

Pb_(1-X)Ge_XTe(0.05≤X≤0.11)扩散结光伏红外探测器

用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响应截止是3.5～4.5微米。禁带宽度温度系数在低于铁电居里温度时为正而在高于该温度时即转变为负。     

GH11型红外探测器用金属杜瓦瓶

(一)简要工作原理许多红外探测器都必须冷却到很低的温度才能有高的探测率、大的信噪比、长的响应波长和短的响应时间。该金属杜瓦瓶就是为了满足红外探测器有效的工作而研制的,利用液氮致冷剂相变致冷的原理,通过冷头