射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

应用材料公司发布15年来在互连科技中最大的材料变革

日前,应用材料公司推出AppliedEndura Volta^TM CVD Cobalt系统,这是一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钻薄膜在铜工艺有两种应用,平整衬垫（Liner）与选择性覆盖层（Capping Layer）,     

气相法掺铅钛酸钡薄膜的微观形态变化

Ba（1-x）PbxTiO3是重要的电子陶瓷材料，具有优良的电学性能。而Ba（1-x）PbxTiO3薄膜更是重要的电子元件材料。薄膜材料一般是通过离子溅射、等离子体法、溶胶、凝胶法、气相淀积等工艺制备的，这些工艺各有优缺点，主要是可操作性和薄膜的质量问题。我们采用一种新型的气相掺杂工艺，即先利用溶胶-凝胶法或水絷沉积法得到纳米钛酸钡薄膜，然后用气相法进行掺杂处理，得到不同掺铅量的薄膜。     

用气相化学沉积法制备光学薄膜

用气相化学沉积法制备薄膜的过程，包括薄膜制备工艺本身和制备高纯度易挥发的原始材料(有机化合物，氢化物和卤化物）以及有关化学动力学和催化剂等理论问题的研究。对气相化学沉积法的巨大兴趣是用来制备光学参数较好的薄膜。一般情况下其性能大大优于用其他方法，如真空热蒸发、阴极或磁控溅射、离子辐射以及化学方法制备的薄膜。     

应用材料为先进微芯片设计提供突破性的流体化学气相沉积技术

美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔离20纳米及以下存储器和逻辑器件中的高密度晶体管的薄膜沉积技术。     

钛酸铅系陶瓷和薄膜

报道了九十年代通过组成和（或）工艺的调整在提高钛酸铅系陶瓷的工艺性、电性能方面的进展,以及用溶胶－凝胶、射频磁控溅射、脉冲激光沉积、激光消融技术、金属－有机物化学气相沉积和反应分子束外延制备薄膜的先进方法和检测手段。     

薄膜机械强度测试方法

用物理气相沉积技术(PVD)及化学气相沉积技术(CVD)制备的金属或金属化合物(如TiN、TiC等)薄膜,涂复在机械零件及刀、磨具的表面上,获得了日益广泛的应用。而薄膜的机械强度,是评价薄膜性能优劣的一个重要指标,本文试就薄膜抗拉强度和耐压强度的几种测试方法进行了归纳和论述,并对这些方法的适用范围及局限性进行了比较。     

用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜

采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％～１．１％）或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２～０．４μｍ，电阻率为８×１０￣（１６）Ω·ｃｍ，介质击穿场强达到１×１０￣７Ｖ／ｃｍ。用ＸＰＳ谱研究了薄膜的结构和成分，并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。     

新型高密度晶体管的薄膜沉积技术

美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer EternaFCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔离20nm及以下存储器和逻辑器件中的高密度晶体管的薄膜沉积技术。这些隔离区域可以形成深宽比大于30（是当今需求的5倍）和高度复杂的形貌。EtemaFCVD系统的独特工艺能够以致密且无碳的介电薄膜从底部填充所有这些区域，并且其成本仅是综合旋转方式的一半左右，后者需要更多的设备和很多额外的工艺步骤。     

现场制氟:用于CVD工艺的可持续清洗

在薄膜制备过程中,微粒和分子清洁度对高工艺产出起着至关重要的作用。对于化学气相沉积(CVD)工艺腔室而言,由对氟气或含氟气体进行加热或等离子体活化产生的氟自由基是首选的原位清洗剂。它们与CVD薄膜——     

晶体硅太阳电池减反射膜的研究

在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响。通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺。     

沉积气压对类金刚石薄膜结构和性能的影响

以纯甲烷为反应气体,采用等离子增强化学气相沉积技术通过改变沉积气压在316L不锈钢表面制备了一系列的类金刚石薄膜。薄膜结构、机械性能和摩擦学性能分别通过拉曼光谱仪（Raman）、纳米压痕仪（Nano-indententor Ⅱ）和往复球盘摩擦磨损试验仪获得。研究结果表明,随着沉积气压从7 Pa增加到15 Pa,薄膜的sp3含量和机械性能明显增加,而摩擦学性能显著降低。随着沉积气压从15 Pa增加到31 Pa,薄膜的sp3含量和机械性能明显降低,而摩擦学性能却显著增加。     

p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用

采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.     

Si基TiN薄膜界面的显微结构

Ｓｉ基ＴｉＮ薄膜界面的显微结构程志英，朱静（冶金部钢铁研究总院，北京１０００８１）离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）是指在电子束蒸发或离子束溅射沉积的同时，用一定能量的离子束进行轰击混合，从而合成单质或化合物薄膜。此方法制备的薄膜的性能优于单一的化学汽相沉积...     

纳米硅薄膜与纳米电子学

纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的,制备可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元：纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成。纳米半导体硅薄膜对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等,很有价值。     

PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术

针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法－等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ２薄膜成形技术。     

《玻璃表面薄膜》（内部资料）

《玻璃表面薄膜》介绍了镀膜工艺的新发展、局限性和当前的状态及总的趋势，论述了设计策略、镀膜技术、薄膜的特性和应用，溶胶凝胶浸镀和等离子驱动化学气相沉积（PICVD）两种工艺在肖特得到的应用。第1章概述了玻璃表面镀膜技术；第2章描述了光学镀膜的现代设计策略，并给出了设计实例；第3章简单回顾了主要的镀膜技术；     

化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展

化学气相沉积（CVD））金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。     

烧结温度对BaxSr1-xTiO3薄膜性能的影响

Ba、Sr0.3TiO3具有优良的介电和热释电性质，特别是可以通过改变组分来调节居里点，使其在动态随机存储器（DRAM）和红外探测器方面有着广泛的应用前景。制备薄膜的方法很多，如射频磁控贱射法、激光沉积法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶（Sol-Gel）法等。本文用溶胶-凝胶法以乙二醇甲醚为溶剂制备出BST薄膜，并用SPM对BST薄膜进行表征，得出对薄膜进行热处理的最佳条件及掺杂对薄膜表面形象的影响。     

碳纳米管在金刚石薄膜化学沉积上的应用

碳纳米管的端头部位,具有一定的金刚石结构。用于金刚石薄膜气相化学沉积,作为籽晶,可使薄膜沉积的速度加快,结晶的定向性强,生长的温度低等优点。本文探讨了碳纳米管的结构,初步研究了其在金钢石薄膜气相化学沉积上的应用,得到了较好的〈１００〉方向结果的薄膜。