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低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。 相似文献
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范正修 《激光与光电子学进展》1987,24(8):21
用气相化学沉积法制备薄膜的过程,包括薄膜制备工艺本身和制备高纯度易挥发的原始材料(有机化合物,氢化物和卤化物)以及有关化学动力学和催化剂等理论问题的研究。对气相化学沉积法的巨大兴趣是用来制备光学参数较好的薄膜。一般情况下其性能大大优于用其他方法,如真空热蒸发、阴极或磁控溅射、离子辐射以及化学方法制备的薄膜。 相似文献
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用物理气相沉积技术(PVD)及化学气相沉积技术(CVD)制备的金属或金属化合物(如TiN、TiC等)薄膜,涂复在机械零件及刀、磨具的表面上,获得了日益广泛的应用。而薄膜的机械强度,是评价薄膜性能优劣的一个重要指标,本文试就薄膜抗拉强度和耐压强度的几种测试方法进行了归纳和论述,并对这些方法的适用范围及局限性进行了比较。 相似文献
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用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在40Cr钢(含Cr0.8%~1.1%)或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为250℃时,制备的薄膜厚度为0.2~0.4μm,电阻率为8×10 ̄(16)Ω·cm,介质击穿场强达到1×10 ̄7V/cm。用XPS谱研究了薄膜的结构和成分,并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。 相似文献
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以纯甲烷为反应气体,采用等离子增强化学气相沉积技术通过改变沉积气压在316L不锈钢表面制备了一系列的类金刚石薄膜。薄膜结构、机械性能和摩擦学性能分别通过拉曼光谱仪(Raman)、纳米压痕仪(Nano-indententor Ⅱ)和往复球盘摩擦磨损试验仪获得。研究结果表明,随着沉积气压从7 Pa增加到15 Pa,薄膜的sp3含量和机械性能明显增加,而摩擦学性能显著降低。随着沉积气压从15 Pa增加到31 Pa,薄膜的sp3含量和机械性能明显降低,而摩擦学性能却显著增加。 相似文献
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Si基TiN薄膜界面的显微结构程志英,朱静(冶金部钢铁研究总院,北京100081)离子束增强沉积(IBED)是指在电子束蒸发或离子束溅射沉积的同时,用一定能量的离子束进行轰击混合,从而合成单质或化合物薄膜。此方法制备的薄膜的性能优于单一的化学汽相沉积... 相似文献
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纳米硅薄膜与纳米电子学 总被引:3,自引:0,他引:3
纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的,制备可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成。纳米半导体硅薄膜对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等,很有价值。 相似文献
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PECVD及溅射/蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术 总被引:1,自引:0,他引:1
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法-等离子增强化学气相沉积(PECVD)及溅射/蒸发生长的不同特点,分别采用了两种不同的剥离工艺方案,由此实现了与IC加工工艺兼容良好的SnO2薄膜成形技术。 相似文献
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化学气相沉积(CVD))金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。 相似文献
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碳纳米管在金刚石薄膜化学沉积上的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
碳纳米管的端头部位,具有一定的金刚石结构。用于金刚石薄膜气相化学沉积,作为籽晶,可使薄膜沉积的速度加快,结晶的定向性强,生长的温度低等优点。本文探讨了碳纳米管的结构,初步研究了其在金钢石薄膜气相化学沉积上的应用,得到了较好的〈100〉方向结果的薄膜。 相似文献