半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。     

氧化碲非线性光学材料的研究进展

综述了氧化碲非线性光学材料(包括纯TeO_2材料和掺杂有其它物质的氧化碲基材料)的制备方法、国内外研究进展,探讨了分子结构对氧化碲基材料非线性光学性的影响,分析了采用高温熔融法和溶胶-凝胶法制备氧化碲非线性光学材料的优缺点,展望了氧化碲材料的应用前景.指出高温熔融法或溶胶-凝胶法与其他制备方法,如超声、光聚合、电化学等相结合是制备优异氧化碲非线性光学材料的有效手段.     

硫酸钙晶须制备机理及技术研究进展

硫酸钙晶须作为一种新型无机材料在建材、医药、塑料、橡胶等行业都具有广阔的应用前景。结合本课题组在硫酸钙晶须材料研究领域的工作,总结了近年来硫酸钙晶须材料的研究进展,主要介绍了硫酸钙晶体的几种形态以及水分子在硫酸钙晶体中的存在形态;探讨了硫酸钙晶须的制备机理;分析了硫酸钙晶须的制备技术及其结晶过程中的各种影响因素,最后总结分析了该领域的发展趋势和急需解决的问题。     

碳纳米管水泥基复合材料的研究进展及其发展趋势

碳纳米管具备超强力学性能、极高的长径比、优异的导电性能和机敏性以及无损改性等特点。目前,碳纳米管复合材料已经广泛用于能源、医药、环境和电子领域。综述了国内外关于碳纳米管水泥基复合材料的制备、分散、微观结构、宏观性能和多功能特征等研究进展,并结合本课题组的研究成果,阐述了当前碳纳米管水泥基复合材料研究中存在的主要问题及其未来发展趋势。     

聚甲亚胺(Schiff base)的研究进展

综述了聚甲亚胺的研究进展,结合本课题组的工作,评述了聚合物合成、结构及各种性能、存在的问题,指出了研究前景与发展方向.     

氧化锌一维纳米材料合成技术研究进展

对ZnO一维纳米材料制备技术的研究进展作了综述,根据制备过程的相态将制备方法分为液相法、固相法和气相法。对各制备方法的特点进行了归纳总结和评述,对ZnO一维纳米材料的发展趋势做了展望,也介绍了本课题组的工作。     

氧化锌一维纳米材料合成技术研究进展

对ZnO一维纳米材料制备技术的研究进展作了综述,根据制备过程的相态将制备方法分为液相法、固相法和气相法。对各制备方法的特点进行了归纳总结和评述,对ZnO一维纳米材料的发展趋势做了展望,也介绍了本课题组的工作。     

磁控溅射法可控制备有序碲纳米线阵列

采用磁控溅射法在较低基底温度下(200 ℃)制备了有序碲纳米线阵列, 并利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对所制备薄膜进行了相、形貌和微观结构分析。结果表明, 所制备的纳米线阵列由单晶碲纳米线组成, 单根碲纳米线具有针状形貌, 并沿[101]晶向生长, 平均直径和长度分别为100 nm和1 μm。氩气压力和基底温度均对碲纳米线阵列的形成具有重要影响, 以平衡碲原子沿[101]晶向和(101)晶面方向的扩散和生长。提出了碲纳米线阵列的生长机制, 包括吸附、结合、成核和生长等过程。     

新型五温区碲化汞单晶炉热场结构数值模拟

碲化汞(HgTe)晶体材料由于其优越的光电性能,在大面阵红外探测器领域有着广阔的应用前景.为了获得更适合HgTe单晶制备的温度梯度,本实验提出了一种新型五温区HgTe单晶炉热场结构,并通过对单晶炉内热场的数值模拟计算,得出了不同晶体生长阶段炉体内部的温度分布,获得了相应的温度梯度和热流密度分布,计算出梯度区内温度梯度约4.88℃/cm;同时搭建了五区加热试验平台,经过试验测得梯度区内温度梯度约为4.96℃/cm.     

耐蚀锌基合金镀层的研究现状和趋势

本文围绕提高金属镀层的耐蚀性能,综述了目前热点研究的耐蚀性能优异的Zn基合金镀层及其国际最新研究进展和发展趋势。内容包括:组分的优选,制备工艺的优化,新型制备方法的尝试及对镀层耐蚀机理的分析。此外还介绍了本课题组近几年来使用组合材料芯片技术快速制备和筛选Zn基耐蚀合金镀层所取得的成果。本文还展望了Zn基耐蚀合金镀层的未来研究发展方向。