TiB2复合材料的研究进展及其应用

本文以TiB2陶瓷为研究对象,从原料的结构特点、性能、烧结工艺、显微结构及复合材料的发展方向等方面对其进行了分析和讨论;评述了近十几年来TiB2陶瓷及其复相陶瓷的研究进展;指出了目前限制TiB2陶瓷及其复合材料快速发展的主要问题在于：原料价格昂贵,难以烧结致密,材料的性能有待进一步提高;提出了解决上述问题的可行办法。     

TiB2粒径对BN-TiB2复相陶瓷致密化和性能的影响

以平均粒径分别为8.1μm和12.2μm的两种TiB2粉末为原料,通过热压烧结方法制备BN–48%（质量分数）TiB2复相陶瓷,研究了TiB2粉末粒径对复相陶瓷致密化和性能的影响。结果表明：平均粒径小的TiB2粉末所制备的复相陶瓷致密化速率更快,致密度更高;在1 850℃烧结1.5 h后,表观相对密度为95.3%,体积...     

TiB2陶瓷的放电等离子烧结

利用放电等离子烧结技术制备TiB2陶瓷。分析了烧结温度、保温时间和升温速率对烧结体致密度及显微结构的影响。实验结果表明：随着烧结温度的提高，烧结体的致密度及晶粒大小均增加。延长保温时间，样品的晶粒有明显长大。提高升温速率，有利于抑制晶粒生长，但样品的致密度降低。在TiB2的烧结过程中，存在颗粒间的放电。在烧结温度为1500℃，压力为30MPa，升温速率为100℃／min，真空中由SPS烧结制备的TiB2陶瓷相对密度可达98％。     

TiSi2提高TiB2陶瓷烧结致密性机理研究

以TiSi2作为烧结助剂,采用热压烧结制备了TiB2陶瓷.对烧结试样进行了XRD、SEM与EDS分析,对TiB2-x％ TiSi2系统进行了热力学计算分析,探讨了TiSi2促进TiB2陶瓷低温烧结致密的机理.结果表明:添加6.0wt％TiSi2作为烧结助剂,可以使TiB2陶瓷在1650℃热压烧结致密.TiSi2促进TiB2陶瓷烧结致密机理为:一是TiSi2熔点低于烧结温度,通过液相传质提高了烧结速率;二是通过高温烧结反应,形成了高熔点的Ti5Si3相以及SiO2玻璃相,SiO2以玻璃相的形式填充气孔并促进液相传质,使坯体致密.     

TiSi_2改善TiB_2陶瓷烧结性能的研究进展

本文介绍了硼化钛陶瓷的性能与应用,重点介绍了不同的烧结方法、不同的烧结助剂对硼化钛陶瓷烧结性能的影响,在对TiSi2材料性能特点分析的同时,阐述了TiSi2作为烧结助剂改善硼化钛陶瓷烧结性能与抗氧化性能的依据,指出了开展TiSi2改善TiB2陶瓷的烧结性能与抗氧化性能的研究亟待解决的问题,提供了一条改善TiB2陶瓷烧结性能的新途径,具有理论意义与应用价值。     

前驱体法制备B4C-TiB2复相陶瓷及其性能研究

以B4C粉、钛酸四丁酯为主要原料，通过烧结过程中的原位反应，在2100℃热压烧结制备了B4C—TiB2复相陶瓷。分别采用XRD和SEM分析了其物相组成和显微结构，并测试了其致密度和力学性能。结果表明，在B4C基体中生成了弥散分布的超细TiB2颗粒，TiB2的引入使样品的致密度提高。添加2vol％TiB2的样品的硬度、抗弯强度、弹性模量和断裂韧性分别达到了31GPa、586．6MPa、4087GPA和7.61MPa.m^1/2，比相同条件下制备的碳化硼单相陶瓷均有提高。     

合成和烧结工艺对PZT95/5陶瓷致密化影响的研究

以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料，Nb2O5为掺杂剂，利用固相法制备钙钛矿型PZT95／5陶瓷。采用正交实验优化合成和烧结工艺．综合分析了合成温度、合成时间、烧结温度、烧结保温时间、升温速率和烧结气氛对陶瓷体致密化影响的规律性变化。结果表明：其中合成温度和烧结温度是影响陶瓷致密化的重要因素。     

SPS烧结层状TiB2／BN陶瓷的界面研究

本文采用放电等离子烧结(SPS)技术烧结层状TiB2/BN陶瓷，研究其界面结合的性质和状况。并讨论了当夹层厚度不同的时候，界面结合的不同机制。     

微波烧结CaZrO3陶瓷的研究

以CaZrO3为原料，利用微波等离子体烧结技术制备高密度的CaZrO3陶瓷。研究了工艺参数对CaZrO3陶瓷结构的影响。测试了CaZrO3陶瓷的性能。结果表明，微波等离子体烧结技术与常规法相比，其烧结时间明显缩短，性能有所改善。而微波功率和压力是获得优质CaZrO3陶瓷的关键。     

工艺参数对反应烧结AIN陶瓷的影响

以Al,AlN粉为原料，采用反应烧结技术制备AlN陶瓷。Al粉含量、Al粉粒径、成型压力和升温制度是RBAN的重要工艺参数，优化工艺参数可制备出性能良好的AlN陶瓷。Al体积分数45％,1700℃温度下可制备出烧结密度为93％，抗弯强度为292MPa的AlN陶瓷。