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相似文献
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1.
功率型白光LED封装设计的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了功率型白光LED封装的研究现状和存在的问题,着重从LED封装结构和封装材料两个方面进行了详细的评述,在现有蓝光芯片激发钇铝石榴石(YAG)荧光粉来实现节能、高效的白光LED照明的基础上,介绍了可以提高功率型白光LED的取光效率和空间色度的均匀性的各种封装结构和材料.指出新的封装结构、封装材料和封装工艺的有机结合以获得高取光效率,延长功率型白光LED的使用寿命,节约整体封装结构的成本,从而推进LED同体光源的应用是今后功率型白光LED研究的重点.  相似文献   

2.
LED作为第四代光源——固态冷光源,因具有结构紧凑、重量轻、体积小、响应速度快以及发光高等优点而现已被广泛应用于照明领域,LED已成为该产业未来发展的重要趋势之一。因此,对功率型LED封装技术的探讨有着重要的意义。本文先具体对功率型LED芯片结构及其封装工艺进行分析,然后再对功率型LED封装的关键技术进行具体阐述,以此来为业内人士提供相关的参考。  相似文献   

3.
用于LED的微透镜阵列的光学性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
功率发光二极管(LED)的发展迫切需要提高取光效率,微透镜阵列的二次光学设计是改善其光强分布的有效途径.建立了一种大功率LED的封装结构,二次光学设计采用了微透镜阵列技术,运用光线追踪法研究了这种封装结构的光学性能.分析结果表明,利用微透镜阵列技术能显著改善LED的光学性能,改变其光束分布,将LED的照度衰减降低12%以上,从而得到更加均匀的照明系统.  相似文献   

4.
大功率LED用封装基板研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
LED被称为第四代照明光源及绿色光源,近几年来该产业发展迅猛.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命和可靠性等,因此散热问题已经成为大功率LED产业发展的瓶颈.文章阐述了大功率LED基板的封装结构和散热封装技术的发展状况,从基板的结构特点、导热性能及封装应用等方面分别介绍了金属芯印刷电路基板、覆铜陶瓷...  相似文献   

5.
大功率白光LED封装技术面临的挑战   总被引:1,自引:0,他引:1  
发光二极管(LED)是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件,具有一系列优异特性,被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍,重点论述了封装的关键技术,包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术,最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。  相似文献   

6.
LED封装中的散热研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
文章论述了大功率LED封装中的散热问题,说明它对器件的输出功率和寿命有很大的影响,分析了小功率、大功率LED模块的封装中的散热对光效和寿命的影响。对封装及应用而言,增强它的散热能力是关键技术,指出对大功率LED和LED模块散热设计很重要,因为大功率白光LED的光效和寿命取决于其散热。目前大功率LED的重点是提高散热能力,说明封装结构和封装材料在提高大功率LED散热中的影响,LED模块的散热是未来的重点。通过选用高热导率材料可以使温度得到显著控制,重点论述了封装的关键技术,最后指出了未来LED封装技术的发展趋势。  相似文献   

7.
功率型白光LED平面涂层技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于水溶性感光胶的白光LED表面涂层技术,阐述了含有荧光粉感光胶悬浮液的配比和封装结构对白光LED出光效率的影响,提出了相应的改进措施,通过实验证实提高了白光LED器件的整体性能.同时,对利用该法得到的功率型白光LED进行了光衰减测试,LED在700mA电流下点亮168 h后,光输出为初始光输出的95.95%,满足实用要求.  相似文献   

8.
LED封装结构对出光率的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
出光率是影响LED发光效率的重要因素之一,优化LED出光率可以提高LED的器件发光效率。文章利用TracePro软件模拟分析了封装结构对LED出光率的影响,分析结果表明:封装腔体的形状与出光率关系不大,而封装腔体的张角、封装腔体顶面的凹凸性与出光率有较大关系,另外出光率还与腔体的高度、封装腔体的反射率、腔体的母线均相关。总之LED封装结构会影响LED出光率,在进行LED封装时,要选择合适的封装结构才能获得较高的LED出光率。  相似文献   

9.
胡爱华 《半导体技术》2010,35(5):447-450
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。  相似文献   

10.
高效率、高可靠性紫外LED封装技术研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
对硅胶和环氧树脂的紫外光透过率、耐紫外光辐照和耐热特性进行了对比研究,进而提出了一种高效率、高可靠性的波长小于380 nm的紫外LED封装方案.实验结果表明,新封装结构的LED,发光功率提高了60%以上,是金属与玻璃透镜封装LED的2.7倍;连续工作800 h后,发光功率衰减小于5%.  相似文献   

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