无引线片状固体钽电容器的封装技术

本文根据无引线片状固体电解质钽电容器的研制,提出了封装材料选择依据,并进行了理论概述。介绍了适宜大生产的封装工艺和工艺原理,指出了该工艺的特点和封装技术的发展方向。     

改造无引线插座CSP封装

无引线插座封装（LLP） LLP是一种“无引线插座封装”,这种封装的表面并无凸出的管脚,其焊盘不加掩蔽,并与封装底部对齐,因此可以令封装体积更为小巧。只要将连接管芯的无掩蔽焊盘焊接到电路板上,便可为芯片提供一条导热管道,让热能可以由封装传导至印刷电路板,确保封装可以发挥卓越的散热性能。     

QFN封装元件组装工艺技术的研究

QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引线封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。本文介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。     

新型引线框架封装集成QFN、TQFP

Amkor最近推出了“整合四边封装技术”,这是一种基于引线框架的塑料封装技术平台,融合了无引线四边扁平封装（QFN）和薄四边扁平封装（TQFP）两种技术。有趣的是,这种方法消除了过去外围引线结构的引脚数限制,可将标准引线框架封装的外围I／O接口数增大两倍,接近400个分离引脚——同时,对于特定的引脚数,该方法也缩减了50％的封装面积。其基本思想是,将标准外围引线有选择地与一排或两排内部焊盘相结合。     

无引线封装高温压力传感器

研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构。采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试,测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0~0.7 MPa,非线性优于0.2%FS,工作温度上限可达450℃。     

芯片封装引线电性能的测试

随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展，封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大，封装引线电性能的测试与控制也越显重要。     

芯片封装引线框架的应用及市场

集成电路IC半导体产业的制造流程被分为芯片制作前工序和芯片封装测试后工序两大生产系统。封装起到保护芯片、重新分布输入／输出I／O获得更易于装配处理的引脚节距．为芯片提供良好散热通路．便于测试和老化试验等极其重要作用。IC封装有许多种板结构尺寸、外形和引脚数量．以满足各类IC发展和系统的不同要求。IC封装两个主要基本结构类别为引线框架式封装和基式封装，前是一类十分重要而技术悠久的封装，采用引线框架的产品类型仍在半导体产业中占据主导地位。     

IC封装用铜合金引线框架及材料

本文评述了国内外IC封装用铜合金引线框架及材料的研发现状,主要涉及封装对引线框架材料的要求,铜合金引线框架材料的特性,铜合金引线框架材料研发动态,引线框架的制作技术以及市场需求等内容,并由此分析它们的发展趋势。     

封装引线框架产业大有可为

本文叙述了半导体封装产业发展趋势及市场前景,同时指出了封装引线框架面临的良好市 场前景,我国的引线框架业将会大有作为。     

QFN用环保塑封料研究

环氧塑封料是微电子工业和技术发展的基础材料,作为IC产品后道封装的三大主材料之一,随着IC封装技术的发展,对其特性的要求也越来越严格。IC产品未来发展趋势倾向于小体积高性能化的方向,QFN即为顺应此发展趋势所开发出来的封装形式。针对此封装形式长兴电子材料(昆山)有限公司开发出EK5600GH环保塑封料产品,此产品具有低吸湿率、低收缩率、高流动性及高可靠性的特点,可以满足QFN封装要求。同时还分别介绍了QFN用环保塑封料的测试数据、可靠性测试结果和客户端可靠性评估结果。     

QFN封装芯片切割分离技术及工艺应用

总结当前QFN封装芯片切割分离方式的优缺点,从QFN封装器件材料特性出发,提出一种砂轮切割技术,并通过QFN芯片切割实验,探索能有效抑制铜材料特有毛刺发生的工艺条件。     

QFN封装分层失效与湿-热仿真分析

采用湿度敏感度评价试验及湿-热仿真方法,分析了温湿度对于QFN封装分层失效的影响.通过C-SAM和SEM等观察发现,QFN存在多种分层形式,分层大多发生在封装内部材料的界面上,包括封装塑封材料和芯片之间的界面、塑封材料和框架之间的界面等.此外,在封装断面研磨的SEM图像上发现芯片粘结剂内部有空洞出现.利用有限元数值模拟的方法,对QFN封装的内部湿气扩散、回流过程中的热应力分布等进行了模拟,分析QFN分层失效的形成原因.结果表明,由于塑封器件材料、芯片、框架间CTE失配,器件在高温状态湿气扩散形成高气压条件下易产生分层.最后提出了改善QFN分层失效的措施.     

微波QFN芯片的SMT技术研究

QFN封装的微波芯片采用一种较新的封装形式,这种封装体积很小,特别适合高密度印刷电路板组装.着重介绍微波QFN芯片的表面组装技术,从QFN的封装形式、PCB的焊盘设计、组装工艺、QFN焊点检测及QFN器件的返修等方面加以详细论述,并对针QFN芯片总结出一套完整的组装技术.     

多目标优化方法在叠层QFN封装结构优化中的应用

文章采用响应曲面法试验设计与有限元仿真相结合的方法对叠层QFN封装器件在热循环条件下进行仿真分析,通过优化结构参数来降低叠层QFN封装在热循环条件下的Von Mises应力和封装翘曲。使用多目标优化设计方法中的统一目标法来综合考虑Von Mises应力和封装翘曲。应用遗传算法对评价函数在约束条件下进行搜索最优解,得出叠层QFN封装结构优化的方案,以提高封装的可靠性。     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时 ,常常会导致封装开裂甚至失效 .热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的 .因此 ,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的 .采用 ABAQUS有限元计算软件 ,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳 ,建立了功率器件封装的三维计算模型 ,进行了应力和变形分析计算 .计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进、协调发展、密不可分的关系。     

QFN器件焊接缺陷分析与工艺优化

QFN器件具有良好的电气性能,但器件回流焊接过程中极易产生底部热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠、桥连等缺陷,当一个印制板焊接多个QFN器件时,缺陷发生率颇高。在高可靠性要求的航天产品焊接过程中,器件返修次数有限制,且返修会造成器件性能下降、组件可靠性降低等问题,因此亟需对QFN器件一次装配良率和焊接效果进行提升优化。为此,从原理上分析QFN器件热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠缺陷产生机理,并从产品焊盘工艺性设计、钢网模板设计、焊接温度曲线设计等方面开展分析与优化。优化后,QFN器件一次装配良率提高,没有产生锡珠、虚焊等缺陷。     

堆叠封装技术进展

目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封 装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。