用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构

用氦离子等离子体辅助分子束外延（PAMBE）方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究结果发现,PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层,测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了注量为１．６＊１０＾１６ＣＭ＾－２Ｒ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＩｎＰ产生的辐照效应。实验表明辐照在ＩｎＰ中产生单空位型缺陷。     

等离子体表面处理的正电子湮没研究

本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究。测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象。     

用正电子湮没方法研究有机导体

本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。     

用正电子湮没寿命方法研究低温镀铁层的结构和晶粒

低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。 在45号钢上用无刻蚀镀铁工艺产生0.5mm厚的镀铁层,经100～1200℃和10～420分钟的不同退火温度和退火时间热处理,平均寿命τ_m的变化见图1、2。     

85MeV~(19)F离子辐照GaP的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了 2 .4× 10 15 cm2 和 2 .2× 10 16 cm2 85MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明 ,辐照在GaP中产生浓度较高的单空位 ,且随辐照剂量增大浓度增加     

用正电子湮没和超声衰减方法研究金属疲劳

用正电子湮没寿命方法和超声衰减方法对金属铝合金和钢疲劳样品进行了测量。结果表明,在疲劳加载次数较小时,正电子参数将随着疲劳加载次数的增加而增加;但当疲劳加载次数足够大时,金属样品内部发生了结构的变化,如空位之间发生合并而形成空位团,位错之间发生命并、缠绕,这些结构的变化导致正电子平均寿命到在最大值后下降。在用超声方法对金属疲劳样品进行测量时,观察到衰减常数有类似的变化趋势。     

85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了2.4×10     

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针,测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数,讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系,所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层,５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低,膜中将会含有大量的空位型缺陷;温度太高,杂质在材料中会有明显的扩散行为,对产品性能发生较大影响。     

He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 ,而且尺度增加     

脉冲慢正电子束流的检测

本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法.通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据.