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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
为节省试验时间和资源,可靠性寿命试验通常采用定数截尾和定时截尾两种方法。但是它们有相同的不足,就是在试验结束后才进行数据分析,无法进行实时的动态控制。为解决这一问题.提出了寿命试验的动态截尾方法,利用该方法研究寿命服从指数型分布产品的可靠性试验.提出了试验动态截尾的数据处理模型及判据。该方法的思想可以推广应用于其它产品的可靠性试验与分析中。  相似文献   

2.
Optek Technology推出OV4Z Optimal IV星形系列LED组件。该系列LED组件的特点是将四个1W的LED裸片集成于单一组件.以进行固态照明应用。  相似文献   

3.
主要讨论了不同定时截尾数据剩余寿命评估的问题。利用样本空间排序法对指数分布和威布尔分布下不同定时截尾数据的可靠性参数进行估计,并进一步将参数估计值代入建立的剩余寿命评估模型,求取产品的剩余寿命。结果证明样本空间排序法在样本量较少的情况下,精度满足要求。  相似文献   

4.
平均寿命是LED应用产品可靠性的重要参数之一,也是LED可靠性研究的重点,但LED的可靠性评测并非易事。针对LED应用产品可靠性评估的问题,对电子行业的可靠性概念进行了简要介绍。对LED应用产品的失效模式和失效机理进行分析和研究,提出了采用定时截尾试验的点估计和区间估计方法,通过此方法来有效地评估LED应用产品的平均寿命。在求得平均寿命后,计算平均寿命的倒数即可得到该产品的失效率。该方法可以在较短的时间内方便、有效地对LED应用产品的平均寿命指标进行评估,从而避免一些标准要求较长的试验时间给生产企业带来的困扰。  相似文献   

5.
针对寿命分布服从指数分布的产品,研究总结其工程应用中的经典统计标准型定时截尾试验方案的设计特点,论述应用贝叶斯统计理论设计标准型定时截尾试验方案的数学方法。  相似文献   

6.
张晨朝 《电子测试》2020,(6):48-49,62
COB封装的LED器件应用日趋广泛,但是其寿命评价方法仍限于做3000h或6000h的光通维持率试验,试验本身耗时较长,因此本文基于半导体器件的指数衰减规律和LED光通量的慢退化特性提出一种加速试验方法,对器件进行高温加速寿命试验,并对试验结果进行计算,得到了器件在加速试验温度下的L70寿命,然后利用相应水平的激活能,得到了在较低结温下的L70寿命。  相似文献   

7.
液晶显示器寿命评估   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了一种液晶显示器寿命评估方法。介绍了加速寿命实验的基本原理和实验方法,并对加速模型进行推导,在进行分布验证的前提下进行寿命计算,通过加速状态下测试的产品寿命计算任意环境下的寿命,完成液晶显示器的寿命评估。  相似文献   

8.
CCD组件参数综合测试系统配备了PCI高速数字图像采集卡获取测试数据,显示测试图像.分析了各参数的综合测试方法与原理,优化的结构设计保证了一台仪器就能够对帧频、饱和输出幅值、均方根噪声等多种性能参量测试.利用统计学的方法对多次测试结果进行了误差分析.试验表明,测试系统具有测试过程自动快速及测试数据准确稳定的优点.  相似文献   

9.
针对LED照明产品,提出一种寿命快速评价的方法.通过对样品在3种温度应力水平下进行加速寿命实验,以光通量的衰减作为失效判据,并对实验结果进行了分析,以威布尔分布来描述产品的寿命分布,利用最小二乘法和阿伦尼斯模型对试验数据进行统计分析,最终外推得出正常应力水平下产品的寿命.  相似文献   

10.
LED可靠性评估的加速寿命试验设计方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种关于发光二极管(LED)可靠性评估的加速寿命试验设计方法。通过这个方法,在针对LED的性能退化现象和运行不稳定问题进行加速试验设计时,可以在已知目标可靠度和置信度的前提下,定量地确定满足可靠性要求的试验用样本量、加速应力水平以及试验时间。同时,用于发光二极管加速寿命试验的基本设计思想,可以广泛地应用于常见电子元器件的器件产品质量认证或可靠性评估等试验设计中。  相似文献   

11.
加速寿命试验评估功率发光二极管平均寿命   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用恒定温度应力的加速寿命试验,对XR7090BL-LI-B3-0-0001功率型蓝色发光二极管(LED)的平均寿命进行了评估.参照已有的发光管光功率缓慢退化公式,采用图估法和数值分析法进行试验数据处理,得到了该型号功率发光二极管工作结温不超过80℃、光通量衰减至70%的平均寿命.
Abstract:
Based on constant temperature stress,an accelerate life test was carried out on a type of power light-emitting diodes (LEDs) named XR7090BL-L1-B3-0-0001.Yamaoshi's slow LED degradation formula was consulted and test data were processed through chart eastimate and numerical analysis method.Then mean life of XR7090BL-L1-B3-0-0001 satisfying the conditions that the working junction temperature was lower than 80 ℃ and the luminous flux decreased to 70% were finally obtained.  相似文献   

12.
功率LED使用寿命评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
概述了照明用功率LED的发展历程,遵循LED的退化规律和退化系数与结温间满足阿列尼斯方程的关系,提出了一种实用的温度应力加速寿命试验对功率LED寿命进行评价的试验方法,并利用上述方法对CREE公司生产的功率型红光LED的寿命进行评价,采用图估法和数值分析两种方法进行数据处理.获得了其工作结温不高于80 ℃的使用寿命,对功率LED可靠性研究具有一定的意义.  相似文献   

13.
基于LSM的红外LED加速寿命试验数据的统计分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用最小二乘法(LSM)完成了红外发光二极管(LED)恒定与步进应力加速寿命试验数据的统计分析,并自行开发了可视界面和通用性强的寿命预测软件.数值结果证实了红外LED的寿命服从对数正态分布以及加速寿命方程完全符合逆幂定律,并精确地计算出预测该器件寿命所用到的关键性参数,从而使其在很短的时间(1000h)内估算寿命成为可能.  相似文献   

14.
大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析   总被引:14,自引:1,他引:14  
郑代顺  钱可元  罗毅 《半导体光电》2005,26(2):87-91,127
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.  相似文献   

15.
对数正态分布下基于MLE的红外LED的寿命预测   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了获得红外LED的寿命信息,采用对数正态分布函数描述了红外LED的寿命分布,利用极大似然法(MLE)估计了对数均值和对数标准差,完成了恒定及步进应力实验数据的统计和分析,并自行开发了寿命预测软件。数值结果表明,红外LED的寿命服从对数正态分布,其加速模型符合逆幂定律。精确计算的加速参数使得快速估算红外LED寿命成为可能。  相似文献   

16.
GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型。同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值。  相似文献   

17.
本文提出了一种LED器件质量的评定方法,将电光转换效率和光功率保持率引入表征LED器件质量的关键参数;以芯片尺寸和电流密度来规范评定LED器件质量的测试条件;为了剔除早期失效的器件,给出了筛选方法;最后,介绍了与可靠性相关的LED器件耐久性试验。  相似文献   

18.
使用环境对LED显示屏寿命的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李琳 《现代显示》2006,(6):56-58,55
通过分析LED显示屏不同的使用环境来探讨它的可靠性和寿命。  相似文献   

19.
针对LED灯具寿命受温度影响的问题,提出了一种较为完善的优化设计方法。通过对影响LED灯具寿命因素进行分析,指出温度是影响LED灯具寿命的关键。重点分析引起MOSFET发热严重的原因,并提出切实可行的优化方案,即对LED芯片串并联方式进行优化设计,并进行了试验。实验结果表明,通过改变LED芯片排列方式,可有效地将MOSFET的温度降低10℃左右,证明了该优化设计的可行性。  相似文献   

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