半导体离子注入用离子束加速管的聚焦特性

讨论了离子注入机用三间隙强流离子加速管的聚焦特性，计算了各种能量离子束聚焦情况，并分析了抑制空间电荷效应所需要的电场强度。最后总结了三间隙加速管设计和调试应注意的问题。     

离子注入技术及离子注入对不锈钢腐蚀电化学行为的影响

离子注入方法及注入工艺对改变金属表面成分和表面性能是极为有效的技术．离子注入对金属腐蚀行为的研究已有约30年的历史。本文概述了离子注入技术及离子注入对不锈钢腐蚀电化学行为的影响，涉及的注入离子达十余种。     

离子束生物工程学装置现状和发展

离子束生物工程学是一门带有创新的交叉学科,至今已取得许多研究成果,本文基于离子束生物学概括了对离子束生物工程学装置的要求,结合实例分析了装置的原理和结构,并对单粒子 束实现定点定时辐射技术作了介绍,最后讨论了装置的发展趋势。     

等离子体基离子注入法制备SOI材料

注氧隔离法（SIMOX）和体硅智能剥离法（Smart-cut）是目前制备绝缘体上的硅（SOI）材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要工艺过程。本文简述了等离子体基离子注入（PBII）在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状。讨论了两种方法中需要考虑的共性问题，包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等。并且针对SIMOX和smart-cut各自的工艺特点，分别讨论了不同工艺参数的选择、工艺中出现的主要问题和一些已经得到的解决办法。     

离子束薄膜合成及其应用

报道了科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入SOI材料合成的方法及其物理过程,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。     

等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。     

氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响

采用离子束增强沉积的方法,改变氧分压,在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的 氧化钛薄膜。采用 XRD,掠角衍射以及 XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析,并 通过 RBS分析计算出了薄膜的 O/Ti比。实验结果发现,所制备的氧化钛薄膜为具有一定择优取 向的多晶膜,薄膜内 TiO、 Ti2O3和 TiO2共同存在。当氧分压低于 8.4× 10-4 Pa时,氧化钛薄膜的 成分以 TiO为主,且 TiO的取向随氧分压的增加从（ 220）向（ 031）转变,氧分压对薄膜取向的影响 较大。当氧分压高于 8.6× 10-4 Pa时,氧化钛薄膜的成分以具有（ 100）择优取向的金红石型 TiO2 为主,含有少量其他结构的 TiO2和低价 Ti,其成分及取向相对较为稳定,对氧分压的变化不敏感。     

CeSi2薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性

将能量为４５ｋｅＶ的Ｃｅ离子注入到Ｓｉ单晶中,研究硅化铈摹离子束合成及其室温光致发光特性,透射电观察表明在单 晶硅的表面形成厚１００ｎｍ的Ｃｅ离子注入层,选区电子衍射和Ｘ射线衍射分析表明注入层内形成了ＣｅＳｉ２,ＣｅＳｉ２的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完善,用远紫外光激发得到了室温蓝紫色ＰＬ谱,以红光（６５０－７００ｎｍ）激发,则上转换蓝光和紫光发射的效率较高,其发光特性比较稳定,蓝光和紫光受激     

低能离子束对微生物细胞的直接作用和间接作用研究

以耐辐射微球菌和Ｅ．ｃｏｌｉ为试材,用显微扫描电镜和电子自旋共振波普仪研究了Ｎ＾＋离子注入对其细胞作用的情况。结果表明,离子注入对生物细胞既存在着直接作用又存在着间接作用;注入离子的动量传递产生了对细胞的直接作用,其能量沉积显示着对细胞２的间接作用,而且随着注入剂量的增大,两种微生物细胞受到直接和间接作用损伤的程度也逐渐加剧。     

离子注入在超导研究领域中的应用

描述了离子注入对钇系和铋系超导体超导电性的影响。从实验结果中发现，临界温度的变化与离子剂量、离子能量和电流密度有关。在热退火后，约６０％的注入引起的辐射损伤可以得到恢复。     

离子注入玻璃在非线性光学领域的应用前景

玻璃中注入金属离子导致在基底玻璃薄层中纳米金属族和纳米化合物的形成。此纳米粒子的存在和尺寸大小与基底玻璃的成分，注入离子类型、注入参数（能量与剂量）和热处理等因素有关。这些内米粒子呈现等离子激元振荡，增强了玻璃的非线性光学性质，因此离子注入玻璃在制造全光学开关器上可起重要作用。     

高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。     

Ti—O／Ti—N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性…

采用离子增强沉积等方法在热解碳，钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ，Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分，结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。     

氮离子注入法合成CNx膜的化学键表征

采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究.通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2 C-N键;≈398.5 eV则属于sp3 C-N键.结果显示:碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量.     

氮离子注入法合成CNx膜的化学键表征

采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究.通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属≈400.0 eV属于sp2 C-N键;≈398.5 eV则属于sp3 C-N键.结果显示碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量.     

等离子浸没离子注入法合成氧化钛/氮化钛梯度薄膜与控制研究

使用等离子浸没离子注入和反应沉积（Plasma immersion ion implantation and reaction deposition,PIIID）的方法合成了氧化钛／氮化钛梯度薄膜。研究开发了一套由可编程逻辑控制器（Programmable Logical Control,PLC）、D／A和质量流量控制器（Mass Flow Control,MFC）组成的智能控制系统，控制金属源阴极的推进和气体成分的改变。现场使用表明，整个控制系统稳定、可靠，具有较强的抗干扰能力，能够灵活方便地设置相应的技术参数。通过显微硬度计测试，针盘式摩擦磨损试验和结合力测试，分析了控制合成的薄膜的机械性能。采用X射线衍射、扫描电镜和SMIS，分析与评价了薄膜的特性。结果表明，控制合成的Ti-O/Ti-N梯度薄膜具有良好的机械性能。