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烧成工艺与钽钌酸铅厚膜电阻高阻特性的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
<正> 一、前言影响厚膜电阻特性的因素是多方面的。对钽钌酸铅电阻来说,氧化钌处理温度高,阻值高、噪声大,处理温度低,阻值低,电流噪声也低。氧化钌比表面积大,阻值小;比表面积小的,阻值大。玻璃粉料的颗粒越细,阻值越高;颗粒粗,则阻值低。本文主要讨论钽钌酸铅电阻浆料同Pd-Ag导体浆料一次烧成或分次烧成与电阻特性的关系。试验发现,一次烧成的电阻与导体的端头部位有气泡产生,阻值高,噪声大。分次烧成 相似文献
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本研究了埋入电阻式多层印制板的制作工艺,重点讨论了电阻设计、网印工艺、电阻浆料后固化工艺以及多层板的后续加工工艺对阻值的影响。通过试验掌握了电阻浆料的阻值变化规律,解决了埋入电阻式多层印制板制作过程当中的重要难题,对今后埋入电阻式多层印制板的批量生产有重要的指导意义。 相似文献
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片式电阻器在生产中多次印刷、烧结,使其发生工序阻值变化,影响产品最终的阻值命中率。本文通过对电子浆料和工序因素的分析,设计了先行试验方案,提出了工序中应控制的因素,为片式电阻器生产过程控制、提高阻值命中率提供了依据。 相似文献
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通过在钌系电阻浆料配方中加入多种金属及金属氧化物粉末的大量实验,推出了制备高性能钌系低阻值(≤10Ω/□)厚膜电阻浆料的方法。 相似文献
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厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施陶文成,苏功宗,张代瑛,李同泉(昆明贵金属研究所昆明650221)1前言近年来,我们在研制和生产电阻浆料的过程中,发现某些中阻值电阻浆料出现严重的胶冻现象,我们称这种浆料为胶冻浆料。其胶冻现象与南方某公司使用进口的电阻... 相似文献
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用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了用于AlN陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低PbO含量晶化玻璃料配制银导体浆料,玻璃软化点430~450℃。电阻浆料采用PbO(质量分数小于6%)的晶化玻璃料B、C、D三种,软化点分别为520℃、690℃、610℃。改变RuO2与玻璃相的质量比,能控制电阻浆料的方阻值。质量比在50比50至15比85之间。加入添加剂MnO2可改善电阻浆料的TCR,阻值在20Ω/□~1MΩ/□范围内,TCR绝对值小于200×10-6/℃。 相似文献
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在陶瓷多芯片组件中 ,应用埋置厚膜电阻可以提高组装密度 ,降低成本。研制了一种用于 L TCC基板的埋置用厚膜电阻浆料 ,分析了三种主要工艺对埋置电阻性能的影响。结果表明 ,热压力对电阻的阻值有一定影响。增加热压力 ,可使电阻的阻值增大 ;调阻槽对埋置电阻的阻值影响不大 ;厚膜电阻的埋置深度不会明显改变电阻的阻值、 α及稳定性。 相似文献
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本文研究了在低温烧陶瓷基板表面上电阻浆料中导电相和玻璃相对电阻器的阻值,温度系数和稳定性的影响,分析了LTCC基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明,选择RuO2为导电相,含适量的PbO和SiO2的铅硅硼系玻璃为玻璃相,能制得性能较好的适用于LTCC表面的电阻浆料。 相似文献
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研究了导电相和玻璃相对低温共烧陶瓷表面电阻的阻值、温度系数和稳定性的影响,分析LTCC基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明,选择RuO2为导电相,含适量PbO和SiO2的铅硅硼系玻璃为玻璃相,能制得性能较好的适用于LTCC表面的电阻浆料。浆料中加入MnO2添加剂能调整电阻的温度系数。 相似文献
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研制了一种厚膜片电阻用低熔点玻璃保护浆料。这种浆料由玻璃粉、颜料及有机载体按一定比例混合而成。烧结温度约600℃,黏度180~240Pa·s,颗粒度不大于3μm,被封电阻烧成后,平均阻值变化率为0.65%。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2015,(5)
研究了高温共烧厚膜导体钨浆料的制备工艺,分析了金属钨粉微观形貌及粒度分布,无机粘结相含量对印刷分辨率、金属化与陶瓷基板的结合强度、金属化层方阻值的影响。为满足微电子封装要求,通过选用粒度小于5μm、表面光滑的球形的两种钨粉进行混合,添加适量无机粘结相和以乙基纤维素为主的有机载体,采用球磨或者三轴研磨机进行有效分散,并将浆料粘度控制在一定范围内,制备出适合100μm线宽/间距精细印刷、金属化与陶瓷基板的结合强度54 MPa、方阻值为6mΩ/□的金属化浆料。将研制的金属化钨浆料应用在作为微波器件封装外壳的信号输入输出端口的陶瓷绝缘子上,在29~31GHz的Ka波段,绝缘子的插入损耗为0.4dB,电压驻波比(VSWR)小于1.15。 相似文献
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通过对Mn-Co-Ni系过渡金属氧化物材料和导电相进行热处理,使Mn-Co-Ni浆料制作的热敏电阻敏感特性和阻值分散性明显改善。 相似文献
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本文介绍了一种以具有烧绿石结构的铌钌酸铋镉为导电阻,铅硼硅酸盐玻璃为无机粘接相的NTC热敏电阻浆料。该NTC热敏电阻浆料阻值范围宽,电阻温度系数负、阻温特性呈线性变化。实现了使用厚膜工艺制备线性NTC热敏电阻元件,推动国内相关热敏电阻器产品的研发。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1995,(2)
TN60·95020654片式阻容元件的现状和发展方向/戴富贵(宏明电子实业总公司)11电子元件与材料一1 994,(5)一6一11 在国外的片式元器件中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,文章综述了国外阻容元件在这方面的进展,指出我国的差距,提出了我国如何发展的措施.图2表2参5(许)代瑛,李同泉,陶文成(昆明贵金属所)11电子元件与材料一1994,(6),一16~21 通过在钉系电阻浆料配方中加人多种金属及金属氧化物粉末的大量实验,推出了制备高性能钉系低阻值厚膜电阻浆料的方法。图8参3(许)TM54 95020655高性能钉系低阻值厚膜电阻浆料的研究/… 相似文献