豫金刚石拟与美晶科技合作扩产人造金刚石

豫金刚石周二盘后公告称,其拟以现金出资方式和美晶科技开展合作,扩大人造金刚石大单晶项目的产能和规模。     

(Ti,Mo,W,Ta,V,Nb)(C,N)多元陶瓷相的价电子结构

运用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了(Ti,Mo,W,Ta,V,Nb)(C,N)多元陶瓷相的价电子结构.结果表明,价电子结构参数(nA)随碳化物添加量的增加而增加.不同碳化物对价电子结构参数的影响不同,其中VC的影响最为显著.价电子结构参数(nA)可以用来评价金属陶瓷的力学性能,提出了相关的判据关系式.     

气相氧化法提纯人造金刚石的新工艺设计与评价

目前人造金刚石的提纯工艺是一道高污染的工序。基于对人造金刚石合成棒中各组分不同的物理、化学性质分析,设计了气相氧化法提纯人造金刚石的新工艺,有效避免了传统工艺带来的严重环境污染。研究了石墨的气相氧化机理,对温度、时间对石墨氧化速率的影响机制进行了分析。结果表明:采用该工艺所得金刚石成品的抗压强度、晶体形貌和纯度均达到品质指标;同时新工艺通过减少酸用量及回收催化剂合金,有效降低了成本,具有明显的经济效益。     

从专利角度分析人造金刚石技术的发展

透过专利申请可以分析行业内的前沿技术,无论是科学界还是工业界,一项新技术从诞生到消费者触手可及的产品,往往需要漫长的研发周期,在这个时间段内,要想最快速地了解行业内的研发动态以及热门领域方向,专利技术分析无疑是最好的办法.文章主要从人造金刚石专利申请年度趋势、申请人国家/地区、申请目标国家/地区、主要技术分布及技术发展...     

陶瓷相（Ti,W）C的价电子结构与力学性能的关系

计算了陶瓷相（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ的价电子结构，比较了陶瓷相（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ，ＴｉＣ，ＴｉＮ，ＴｉＯ之间的价电子结构与力学性能之间的关系，指出陶瓷相价电子结构中的最强键ｎＡ的大小在晶体结构相同时可作为硬度高低的比较标准，陶瓷相的强度可由η＝ｎｃ／ｎＴ来衡量。     

Cr3C2和VC对Ti(C,N)基金属陶瓷中环形相的价电子结构和性能的影响

根据固体与分子经验电子理论，计算了Ti(C，N)基金属陶瓷中界面环形相的价电子结构，讨论了其价电子结构与塑性间的关系。当材料晶体结构相同时，Σna可用来比较其塑性的相对高低。Cr在环形相(Ti，Mo)(C，N)中的固溶，可使其塑性增强，V在环形相中的固溶将使其塑性变差。在计算的基础上进行实验，实验结果表明：Cr3C2的适量加入确实有利于提高金属陶瓷的强度，最终所制备出金属陶瓷的强度比典型成分体系材料的提高了1倍以上；尽管VC的加入能使材料的晶粒得到有效地细化，但它使环形相塑性降低，使金属陶瓷的抗弯强度略有增加。     

Sr,Mg掺杂的LaGaO3的离子导电性与价电子结构判据

应用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了Sr,Mg掺杂的镓酸镧固体电解质材料的价电子结构,探讨了价电子结构与离子电导率间的关系.提出了离子导电性的价电子结构判据关系式,得到了与实验规律一致的结果.     

Cr与金刚石界面碳化物形成机理研究

选用含Cr活性钎料,适当控制钎焊工艺,实现了金刚石与基体的高强度连接.采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)及X射线衍射结构(XRD)分析了真空加热条件下,含铬活性钎料与金刚石之间的界面反应以及界面反应产物,探讨了钎料与金刚石界面处碳化物的形成机理.分析结果表明,活性钎料中的Cr在金刚石表面富集并与金刚石中的C生成枝状的碳化物,既实现了化学冶金结合,生成的碳化物呈枝状,也进一步加强了对金刚石的把持作用.     

人造金刚石行业市场容量与竞争格局

从全球范围看,人造金刚石生产主要集中在中国,国外人造金刚石生产企业数量较少,人造金刚石产量较低,其产品研发和应用主要侧重在人造金刚石制品、金刚石复合材料等方面。我国人造金刚石单晶合成使用自主研发的六面顶压机,相较于其他国家使用的两面顶压机,六面顶压机的结构特点决定了其具有对中性强、合成成本低、易操作、使用寿命长、设备价格低等特征,六面顶压机的广泛推广使得我国人造金刚石产业快速实现规模化生产。     

金刚石单晶/镍基金属包膜界面的相结构和形貌

利用透射电镜和原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)研究了高温高压合成金刚石过程中金刚石单晶/镍基金属包膜的界面结构和形貌.分析表明:金刚石/金属包膜界面包膜一侧由Ni3C,Mn23C,γ-(Ni,Mn)和纳米级金刚石颗粒组成,未发现石墨结构;金刚石晶面的AFM形貌与所对应的包膜表面形貌相近,但又不互为负形;金刚石(100)晶面为细小的颗粒状表面,而(111)晶面呈现出有台阶的平直表面.结果表明:金刚石的生长不是源于石墨结构的直接转变.在高温高压下,金刚石/包膜界面至包膜熔体的温度梯度差异导致了金刚石晶面形貌的不同.     

ZrC和HfC的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论,对ＺｒＣ,ＨｆＣ相的价电子结构进行了定量分析,通过键距差（ＢＬＤ）方法,计算了ＺｒＣ,ＨｆＣ晶体中各键上的共价电子数。结果表明,ＺｒＣ,ＨｆＣ晶体都是靠键距为α／２的Ｚｒ－Ｃ,Ｈｆ－Ｃ最强键连接的,且该最强键是对称分布的,从而了解释了ＺｒＣ,ＨｆＣ相本质上具有超高硬度的原因。     

TiB_2的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论 ,对TiB2 的价电子结构进行了定量分析 ,通过键距差 (BondLengthDifference)方法计算了TiB2 晶胞中各键上的共价电子数。结果表明 :B -B原子键最强 ,其共价电子数nA =0 .56561,键能EA =93.0 7kJ·mol-1,B -Ti原子键为次强键 ,其共价电子数的nB=0 .2 0 4 81,键能EB=33.12kJ·mol-1,从nA、nB 的大小及键络的分布特征对TiB2 的一些性能进行了分析。     

Ti(C,N)基金属陶瓷抗弯强度的价电子判据研究

利用固体分子经验电子理论,计算了金属陶瓷中三元复合陶瓷相（Ｔｉ,Ｍｏ,Ｗ）Ｃ,四元复合陶瓷相（Ｔｉ,Ｍｏ,Ｗ,Ｎｂ）Ｃ和（Ｔｉ,Ｍｏ,Ｗ,Ｔａ）Ｃ五元复合陶瓷相（Ｔｉ,Ｎｏ,Ｗ,Ｎｂ,Ｔａ）Ｃ的价电子结构,探讨陶瓷相的价电子结构与金属陶瓷抗弯强度关系,提出判据关系式,此外,还进行了抗弯强度的实验验证。     

铁基触媒合成金刚石形成的金属包膜成分的研究

利用电子探针(EPMA)和X射线光电子能谱(XPS)研究了包围金刚石单晶的铁基金属包膜和触媒的成分分布。结果表明,在金刚石生长过程中,接近金刚石单晶的包膜内层中的碳含量是变化的,但均高于接近金刚石的触媒层。然而,与包围金刚石单晶的触媒表面相比,包膜表面碳含量低、铁含量高。分析认为,高温高压下,金刚石生长的碳源主要来自于包膜,但碳并非均匀地在包膜熔体内层向金刚石扩散。结合前期研究发现的“包膜内层无石墨和无定形碳结构”的事实分析,金刚石生长所需的碳极有可能来源于包膜内层铁碳化物的瞬间分解,结果导致包膜表面瞬间碳含量低、铁含量高。     

MoSi2和WSi2相结构和性能的电子理论研究

根据固体与分子经验电子理论,对ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２相进行价电子结构分析,通过键距差方法,计算了ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２晶体中各键上的共价电子数。结果表明：ＭｏＳｉ２和ＷＳｉ２相是靠键距为     

铁基触媒中铁含量对合成金刚石形貌及氮含量的影响

利用3种铁基粉末触媒,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验,研究了高压高温条件下,铁基粉末触媒随铁含量的改变,石墨碳–铁基触媒体系合成金刚石条件的变化规律以及金刚石单晶的形貌,并利用红外光谱对金刚石中的含氮量进行了检测。结果表明:随着铁基粉末触媒中铁含量的增加,合成金刚石的压力和温度逐渐升高,金刚石生长的V形区上移,晶体的透明度变差,所合成晶体的含氮量逐渐减少。     

PET短纤维后纺上油衡算方程及上油形式的评价

建立了合成纤维湿热和高温上油模型及其衡算方程。该方程可用于设计参考和指导工业生产。评价了合成纤维常规上油形式的技术性和经济性,指出选择合理的上油形式,可降低油剂消耗,提高装置的经济效益。