24 V直流电机控制系统的设计

在PWM直流调速原理的基础上,设计了一种基于PIC16F690单片机和MOSFET的24 V直流无刷电机驱动器。介绍了以PIC16F690单片机为核心的控制系统实现方法,给出了设计的总体框图,部分硬件电路和控制软件流程图。该驱动器现已投入生产,经实际应用表明,该设计具有结构简单、精确、高效等特点,能够满足实际工程应用的要求。     

基于DSP的开关磁阻电机调速系统研究与设计

为对开关磁阻电机调速进行实时控制,设计了一款基于DSP的TMS320F2812数字信号处理器为控制核心,设计开发了开关磁阻电机调速系统。以模块化的思想设计了MCU控制系统、位置检测系统、不对称功率电路等模块。给出了软件设计的思想和方法,完成了嵌入式软件系统的开发。该调速系统结构简单、成本低廉、起动转矩大及调速范围宽等优点,具有很好的发展前景。     

安森美半导体推出18款新计算器件

功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU供电、直流-直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗安森美半导体推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直     

基于TMS320F28335的SVPWM信号发生器

电压空间矢量脉宽调制能提高直流侧电压利用率,其应用范围已跨越变频调速系统,进入各个领域。文中在分析SVPWM原理的基础上,结合三相H桥逆变电路的特点,介绍了TMS320F28335的SVPWM信号发生器设计,并实现了逆变桥一相断路情况下的SVPWM波。通过硬软件结合,在DSP实验平台上进行了调试和实验观察,给出实验结果波形。实验证明,基于DSP的SVPWM信号发生器具有实现简单方便、易于数字化的特点,能更好地满足功率器件对驱动信号的不同要求,便于实现容错控制。     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

通用变频器控制系统设计

随着电力电子技术、微处理器技术以及新的电机控制技术的发展,交流调速性能日益提高。本文给出了一种基于数字信号处理器（DSP）和智能功率模块（IPM）的SVPWM矢量控制变频调速系统的实现方案,在阐述矢量控制和空间电压矢量脉宽调制基本原理的基础上,详细介绍了系统的硬件组成及软件的设计方法。仿真结果表明,该控制系统控制性能和...     

基于MC9S12X128无刷直流电机控制系统设计

为满足对直流无刷电机控制要求精度高、调速性能好、系统实现成本低的需要,设计了一种无刷电机控制系统。该系统以MC9S12X128单片机为控制核心,采用IR2130芯片驱动MOSFET功率管,实现对直流无刷电机三相六拍PWM控制。系统硬件电路结构简单、调速方便、功耗低。实际运行测试表明,电机可以长期稳定运行。     

安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

近日电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,     

用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。     

双栅MOSFET高频特性的实验研究

设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.