宽禁带Ⅱ—Ⅵ族四元合金Zn1—xMgxSySe1—y成分的定量俄歇分析

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－７薄膜，在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ１－ｙ和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各 相     

宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（     

Si上Si1—x—yGexCy三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯（Ｃ２Ｈ４）作为Ｃ源在Ｓｉ（１００）衬底上生长Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜的实验结果,经喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式Ｃ含量的Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４流量比有助于提高代位式Ｃ含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中化学反应动力     

InP与In1—xGaxAsyP1—y／InP的电解液电调制反射光谱

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱，利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量，增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子，并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界能量值Ｅ０和Ｅ２。     

Pd—Ag—Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究，结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度的均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构，经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

化学镀Ni—W—P合金功能特性的研究

本文研究化学镀Ｎｉ－Ｗ－ｐ合金的结构和性能，结果表明：由于Ｗ的引入，显著增加了镀层的硬度、耐磨性、耐蚀性和热稳定性。     

Si1—xGex合金半导体及其应用

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金及其与Ｓｉ构成的应变层异质结构，量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料，本文着重综述了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的结构，电学，光学性质及其广阔和应用价值。     

Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数

分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用，Ｓｃｒ取０．３０．用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数．用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数，直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系．本文同时修正了Ａ１－ｘ－ｙＢｘＣｙＤ型四元合金带隙的计算公式．     

生长在Si（001）衬底上的GexSi1—x合金的电子能带结构

采用紧束缚方法对生长在ＳＩ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较。计算结果表明，对大部分合金组分ｘ，形变层的导带底片在△轴上；当ｘ≥０。９后，导带底处在Ｌ点。形变层直接能隙Ｅｇ及间接能隙Ｅｇ和Ｅｇ都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大。形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓｏ也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组     

生长在GexSi1—x（001）衬底上的量子阱Si／GexSi1—x的电子能带结构

根据电子能带的畸变势常数计算了生长在ＧｅｘＳｉ－ｘ（００１）衬底上的量子阱Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ的电子势垒高度随合金组分ｘ的变化情况，并用包络函数方法计算了不用合金组分ｘ时的量子阱的子能带结构，计算结果表明（００１）及（００１）导带底电子量阱处在Ｓ层，而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层，两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分ｘ的增加而增加。     

红外椭圆偏振光谱研究GaxIn1—xAsySb1—y材料的禁带宽度

采用红外椭辰我谱研究了与ＧａＳｂ衬底近晶格匹配的不同组分ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱。根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效率确定了ＧａｘＩｎ１－ｘＡｓｙＳｂ１－ｙ样品的禁带宽度,并发现在组分ｘ＝０．２￣０．３之间禁带宽度随组分ｘ近似于线性变化。     

Two—Stage Address Coding in MFSK／FH—CDMA System

Ｔｗｏ－ＳｔａｇｅＡｄｄｒｅｓｓＣｏｄｉｎｇｉｎＭＦＳＫ／ＦＨ－ＣＤＭＡＳｙｓｔｅｍＷｅｉｄｏｎｇＭａｏ；ＲｙｕｊｉＫｏｈｎｏ；ＨｉｄｅｋｉＩｍａｉ（ＹｏｋｏｈａｍａＮａｔｉｏｎａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，１５６Ｔｏｋｉｗａｄａｉ，Ｈｏｄｏｇａｙａ－ｋ...     

Sn—Zn—In软钎料合金初步研究

对Ｓｎ－Ｚｎ－Ｉｎ钎料合金的性能进行了研究，钎料铺展性和剪切强度试验结果表明，央Ｓｎ－９Ｚｎ－Ｉｎ软钎料合金中，随Ｉｎ含量增加，铺展面积增大，钎焊接头剪切强度降低。钎粒熔点和接头组织等性能的综合分析结果表明Ｓｎ－９Ｚｎ－１０Ｉｎ的性能已接近或超过传统的Ｓｎ－Ｐｂ共晶。     

结构应用的CVD钨和钨—铼合金

研究了ＣＶＤ钨和钨－铼合金的显微组织，估价了它们作为高温材料的适用性。我们发现反应室的分压影响了沉积纯钨和钨－铼合金的显微组织和表面粗糙度。沉积纯钨和钨－铼合金的晶粒度都在０．５ｕｍ以下。实验证明，细晶粒钨的硬度（Ｈｖ〉１０００，室温（Ｒ．Ｔ）、弯曲强度（Ｒ．Ｔ￣１１７５Ｋ，δ＝７００￣１２３０ＭＰａ）和线性热膨胀系数（５７５￣１１７５Ｋ，β＝４．５￣４．９×１０＾－６Ｋ＾－１）比柱状结构钨大。     

InP与In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－y）／InP的电解液电调制反射

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子。并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界点能量值Ｅ０和Ｅ２。     

Cu—Zn—Al合金中贝氏体的扫描隧道显微镜分析

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气中研究了Ｃｕ－２７．２ｗｔ．％Ｚｎ－４．７ｗｔ．％Ａｌ合金中的贝氏体的精细结构，并与透射电镜（ＴＥＭ）及扫描电镜（ＳＥＭ）下的形态进行了比较，发现Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中虫氏体是由亚片条或亚单元组成，亚单元由超亚单元构成，进而为贝氏相变机制的再认识提供了重要的实验基础，并在此基础上提出Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的形成模型。     

电沉积La—Fe—Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ＾３＋的含量应远高于Ｆｅ＾２＋及Ｃｏ＾２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％￣３０％。     

Cu—Zn—Al合金贝氏体的三个生长阶段及其精细结构研究

利用透射镜研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体α１相在相变过程中的精细结构变化，发现贝氏体的生长经历三个阶段：初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构，α１依台阶机制长大到一定程度后，内部出现层错；随转变进一步进行，α１内的层错结构逐渐消失，发生“过退火”，最终向平衡相转变。     

内热式液态合金离子源

本文介绍了一种实用的液态合金离子源结构，我们利用本结构研制成功了Ａｕ－Ｓｉ和Ａｕ－Ｓｉ－Ｂｅ液态合金离子源，测出了它们的发射特性。