在MgO衬底上生长YBCO薄膜

在ＭｇＯ衬底上生长ＹＢＣＯ薄膜美国海军科研实验室的科研人员应用金属有机物化学气相沉积法，在梯形（１００）ＭｇＯ衬底上成功地生长出了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｓ）超导薄膜。当外延薄膜厚度为１００ｎｍ时，其超导转变温度为８８Ｋ，临界电流密度为２×１０６Ａ／ｃ...     

绝缘衬底上异质外延生长硅

兰宝石绝缘衬底上外延沉积单晶硅层,制作互补金属—氧化物—半导体(CMOS)集成电路,抗核辐照器件等,是研制大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路的理想材料。它的研制成功,解决了一般硅集成     

MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg1—xCdxTe和过渡层研究

用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。     

硅衬底上异质外延GaAs

综述了ＣａＡｓ／Ｓｉ异质外延材料的性能及应用前景，分析了进一步提高材料质量所面临的问题，重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展.     

MBE法生长硅薄膜

以乙硅烷(Si_2H_6)为气体源,在Si(001)基底上均质外延生长了不掺杂硅薄膜。基底温度为533～1000℃,在此温区内均可获得单晶外延层。文章探讨了外延层生长速率、结晶度和杂质在晶体生长过程中的再分配问题。700℃制成的试样为 n     

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上，以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜，得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840s。采用高分辨率DCXRD，扫描电子显微镜(SEM)分析。结果表明，以1040℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构，是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0．21，GaN峰强达7K。     

Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响

利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层，再沉积得到了(110)择优取向生长的La08Sr02Mn03(LsMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明：当沉积温度为600℃时，增加缓冲层SMO的厚度，LSMO薄膜的取向性变好；当缓冲层SMO厚度为45nm时，LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征。进一步的工作证实：提高沉积温度，能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小，并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度；当沉积温度为800℃时，由于类退火作用的存在，厚度为10nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。     

硅衬底上MOCVD GaAs中位错密度研究

本文用平面 TEM 和熔融 KOH 刻蚀完成了GaAs/Si 中位错密度和 EPD 的估算。GaAs/Si 位错密度可通过原位热循环退火(TCA)和包括原位TCA 和应变层超晶格(SLS)结构的联合生长法来减少。用联合生长法制成了三种含有或不含有错合位     

反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层

用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在（1 102）蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈（111）取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的（111）取向减弱,（002）取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈（111）取向和（002）取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下（衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1）制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。     

GaAs衬底上立方GaN的低温生长

研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。     

铋系超导薄膜

日本特殊陶业综合研究所与名古屋大学工学部的早川尚夫研究室共同研制成功成膜后不需热处理的具有95K临界温度的高温相铋系超导薄膜。 首先在基片上生成一层厚约70A的铋—锶—铜氧化物的半导体相以作为缓冲层,然后在此缓冲层上再形成一层厚约700A的高温相超导薄膜,基片温度为760℃。其结果,可获得临界温度为95K的     

铋系超导薄膜

日本名古屋大学早川尚夫教授等的研究小组与日本特殊陶业公司共同研制成临界温度达97K的铋系超导薄膜。 铋系超导体虽在整体上其临界温度(115K)比钇系的(90K)高,但因构成五元系的元素种类多,晶体结构复杂,致使薄膜化时的临界温度下降。早     

超导薄膜的生产

在衬底上涂超导体薄膜的生产方法是将脉冲激光束辐射到靶上,然后把它沉积在衬底表面而形成超导体膜。 本专利改进部分是当把靶中含Nd、Ba、Cu总量确定为100％时,而Nd=10～30at％、Ba=20～40at％、Cu=40～60at％。     

麻省理工学院首次在石英玻璃上生长成单晶硅薄膜

美国麻省理工学院林肯实验室 H.I.Smith 等人发展了一种在无定形材料衬底上生长定向晶体硅薄膜的工艺,据弥这将是制造太阳电池和集成电路的革命性方法,世界上第一次在不是单晶的衬底上生长了单晶硅。这项新技术被称为图像外延(graphoepitaxy)。     

金属基体上YSZ过渡层及YBCO薄膜结构与沉积条件的关系

研究了两种在金属基体（ＨａｓｔｅｌｏｙＣ）上沉积的、以钇稳定的ＺｒＯ２（ＹＳＺ）为过渡层的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ薄膜结构，并讨论了结构与沉积条件的关系。当沉积速率低时，ＹＳＺ层致密、均匀，存在织构取向，且与基体连接良好；而高速率沉积的ＹＳＺ层疏松，与基体结合差。ＹＢＣＯ薄膜的结构和性能与沉积时的基体温度相关。     

硅上异质外延高温超导体薄膜的进展

硅上生长高质量高温超导体薄膜的工作促进了微电子学和高温超导电子学的结合。这种新材料能集中半导体和超导材料的优异特性,将导致半导体和超导体组成的新一代混合集成电路的出现。本文综述了目前硅上生长高温超导薄膜的研究进展,介绍了工艺中遇到的问题和解决的途径。     

硅基薄膜太阳能电池及硅锗薄膜在其中的应用

综述了近年来国内外硅基太阳能电池及其材料的研究和发展现状;探讨了硅基薄膜材料的制备工艺与材料的性能,以及采用它们所生产电池的优势与不足;并展望了硅基及硅锗薄膜太阳能电池的发展趋势。     

钇系超导薄膜进展

日本四家电子材料公司合办的超导技术实验室开发了一种改进钇系超导薄膜质量的新工艺。此工艺应用94.9MHz 高频波 RF 溅射法制备钇、钡和氧化铜薄层,从而堆垛成钇系超导薄膜。应用 RF 溅射可避免组份与表面形状的不均     

倾斜衬底上沉积的钙钛矿结构氧化物薄膜的电阻各向异性

用脉冲激光沉积法(PLD)分别在平的和倾角为10°、15°、20°的LaAlO3倾斜衬底上制备了La0 5Sr0 5CoO3薄膜和La0 67Ca0 33MnO3薄膜。用四探针法测量薄膜表面的电阻,发现平衬底上生长的薄膜没有电阻各向异性,而倾斜衬底上生长的薄膜存在电阻各向异性现象,并且倾角越大,电阻各向异性越明显。这是由于倾斜衬底上薄膜的自组织结构造成的。