一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器

提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±１．５Ｖ时,功耗小于８０μＷ,线性输入电压范围约为±０．５Ｖ;当输入电压范围限于±０．３Ｖ时,非线性误差小于１．３％;－３ｄＢ带宽约为３．２ＭＨｚ。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。     

一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器

本文介绍了一种带预处理电路的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器，对其预处理电路（有源衰减器及电平位移电路）和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论．设计采用３微米Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺，并给出了电路的ＳＰＩＣＥ模拟结果．当电源电压为±５Ｖ时，功耗小于６．５ｍＷ，线性输入电压范围约为±４Ｖ；当输入电压范围限于±３Ｖ内时，总谐波失真和非线性误差均小于０．３３％，－３ｄＢ带宽为１３．０ＭＨｚ和２．２ＭＨｚ；当输入电压范围限于±２Ｖ内时，总谐波失真小于０．１８％，具有良好的性能．     

±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ,输入范围为±４Ｖ时,非线性误差小于０．９％,乘法运算误差小于１．０％;在±３Ｖ的人非线性误差小于０．４％,乘法运算误差小于０．７％;－３ｄＢ带宽一端为１３０ＭＨＺ,另一端为７２０ＭＨＺ;整个电路静态功耗为４．９０ｍＷ。     

一种混合集成12位A／D转换器

介绍了一种１２位Ａ／Ｄ转换器。就电路的工作原理、设计特点及测试结果等方面进行了探讨。电路在标准双极工艺生成单片ＩＣ的基础上，采用了陶瓷基板上的多芯片厚膜组装工艺、双层金导带布线、多芯片混合组装及大腔体管壳的储能点焊等技术，在２１ｍｍ×４１ｍｍ的陶瓷基板上混合组装了８个集成电路芯片、７个贴片电容和８个厚膜电阻。经测试，电路转换时间小于２０μｓ，最大线性误差和最大微分线性误差为０．０１２％ＦＳＲ。电路采用３２引出端双列直插全金属平底管壳（ＭＰ３２）封装，在±１５Ｖ、＋５Ｖ电源下电路总功耗低于９００ｍＷ。     

线性跨导运算放大器的改进设计

针对现有的线性跨导运算放大器存在的主要问题设计了一个新的线性ＯＴＡ，模拟结果表明在输入电压从－０．８Ｖ到＋０．８Ｖ变化时，其线性误差小于±１．５％。     

一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。     

220kV 2500A智能化磁光电流互感器

研制了２２０ｋＶ２５００Ａ智能化磁光电流互感器，得到在－３０～＋４０℃范围内不稳定性小于±０．５％，在１０００～８０００Ａ电流范围内线性误差为±０．５％的实验结果。     

一种高效率可编程力矩电机电流源设计

本文介绍一种基于ＭＡＸ７８７的可编程脉宽调制型电流源电路，该电路与通常的线性电流源电路相比，有数字化１２位程控接口，采用脉宽调制控制模式，大大提高了电原效率；高精度电流反馈设计增强了输出电流的稳定性。电路在８－４０Ｖ电压输入时，能够在０－５Ａ范围内输出稳定的可调电流，无需外接功率管进行电流扩展。     

短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造

本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。     

CMOS单片12位D／A转换器的设计优化

本文介绍了一种高速单片ＣＭＯＳ１２位Ｄ／Ａ转换器的设计。着重阐述了电阻开关网络的按比例匹配设计原理、结构特点，激光动态修调网络的结构设计，以及逻辑控制和功能特点。该Ｄ／Ａ转换器的线性误差、微分误差满刻度误差均满足１２位精度。在１５Ｖ工作电压下，满度电流建立时间为０．６μｓ，功耗２０ｍＷ。     

一种含相加器的高速12位D／A转换器

阐述了一种含相加器的高速１２位Ｄ／Ａ转换器的设计和应用，该电路实现Ｉ－Ｖ转换和相加器功能仅用１级视频运效，其内含相加器的小信号带宽为３０～４０ＭＨｚ传输延迟１５ｎｓ该Ｄ／Ａ转换器的稳定时间为２５０ｎｓ，用于压控振荡器时，可获得的高最输出电压仅比＋Ｖｓ低２～３Ｖ，在全温范围内，其线性误差，微分线性误差，相加器线性误差，相加器微分线性误差分别达±１／２ＬＳＢ。     

一种分区式高速12位A／D转换器

介绍了一个高速１２位分区式Ａ／Ｄ转换器的设计。电路采用“３位＋３位＋８位”的三级分区式结构。其中的８位ＡＤＣ为折叠插入式ＡＤＣ，误差校正采用模拟校正、数字编码形式。采用２μｍＢｉＣＭＯＳ设计规划设计的电路，经ＰＳＰＩＣＥ仿真，在±５Ｖ电源下，采样频率高达３ＭＨｚ。     

MOS型反相器

本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这种反相器的应用实例。     

多路大功率驱动放大电路的设计

介绍了一种多路大功率驱动放大电路。该电路由七组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及籍位二极管网络构成，具有同时驱动七组负载的能力，是一种单片双极型大功率高速集成电路，适用于各类要求高速大功率驱动的系统。其工作电压大于５０Ｖ，输出电流大于５００ｍＡ，开态延迟时间小于１．０μｓ，关态延迟时间小于１．０μｓ，电流放大倍数大于１０００，温度范围为－５５～１２５℃。     

高速单片12位D／A转换器电路设计

本文描述了一种全扩散型高速单片１２位Ｄ／Ａ转换器集成电路ＣＤＡ６０１２的设计。该Ｄ／Ａ转换器集成电路由于采用了一种独特的分段式及主－从梯形网络的设计方法，在不需要精密的薄膜电阻及激光修正技术的情况下达到了１２位的分辨率。它提供了高达１３位的单调性和微分线性度，全量程的稳定时间为２５０ｎｓ，电源电压为±１８Ｖ范围，在电源电压为＋５Ｖ和－１５Ｖ时功耗可低至２３０ｍＷ左右。     

全MOS管组成的模拟四象限CMOS乘法器

介绍建立于ＭＯＳ管平方特性，由２８个ＣＭＯＳ管组成的四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器。以Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制备的电路在电源电压１／３动态范围内，有最大线性误差小于２％的特性，乘法器带宽为６２ｋＨｚ，在±５Ｖ电源电压下，功耗为５ｍＷ，芯片面积为０．４７ｍｍ２。     

用于微光刻中的一种高精密对准工作台

采用短波长光源，制作小于０．５μｍ线宽的ＶＬＳＩ芯片，对准精度必须是０．１μｍ甚至更小。该报告介绍掩模对准台在机械方面的改进，诸如Ｘ、Ｙ向位移精度的提高，Ｚ向精度的实现和俯仰运动的控制。典型样机和高精密对准台已经生产出来。为了提高Ｘ、Ｙ向位移精度，工作台采用阻尼驱动机构，且采用一种线性模拟／数字游标信号的测量方法。实验结果从Ｘ－Ｙ工作台获得小于０．０２５μｍ的位移分辨率，无间隙，无滑行，且无滞后现象。     

新产品介绍

ＡＤ７７１５单电源、低价格、低功耗１６位∑-△模数转换器特点电荷平衡式ＡＤＣ１６位无失码线性误差０．００１５％·可编程增益前端增益可设置的１，２，３２和１２８具有差分输入能力·３线串行接口·含有模拟输入缓冲器·单源３Ｖ或５Ｖ工作·低电源电流；３Ｖ供电时最大电流５００μＡ·带有可设置输出更新速率的低通滤波器·１６脚ＳＯＩＣ和ＤＩＰ封装ＡＤ２２１００／ＡＤ２２１０３单电源、低价格、单片温度传感器特点·精度优于±２．０％ＦＳ·温度范围：ＡＤ２２１００：－５０～＋１５０℃ＡＤ２２１０３：０～＋１００℃·…     

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