退火CdS/SiO2介孔组装体系光吸收的行为

用溶胶-凝胶法获得多孔SiO₂载体,浸泡合成法得到不同复合量的CdS/SiO₂块材介孔组装体系.研究了复合量、气氛条件及退火温度对其光吸收特性的影响,发现吸收边随复合量增加往长波方向移动;在氮气和空气中退火时,随退火温度升高前者表现为红移而后者表现为蓝移,这归属于量子尺寸效应.     

退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响

本文作者通过溶胶-凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO₂组装体系(CdS/SiO₂)块体样品,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气和空气气氛中退火处理后,发现吸收边位置随复合量和退火温度不同而移动。经计算,CdS颗粒粒径的理论值与其自由激子半径相当,说明吸收边的移动起因于量子限域效应。     

ZnS/ SiO2 介孔组装体系的发光性质

通过Sol-gel 法得到SiO₂ 介孔固体, 浸泡热分解后获得ZnS/ SiO₂ 介孔组装体。吸收光谱和荧光光谱表明: 随复合量增大, 蓝移量减小; 在氮气中退火后, 吸收边位置和荧光谱中的峰位随退火温度升高向长波方向移动且发光增强, 450 ℃以后减缓。经计算, 颗粒尺寸的理论值与其自由激子半径相当, 说明吸收边的移动起因于量子尺寸效应。      

纳米PbS/SiO2气凝胶介孔组装体的制备及光学特性

对用自行研制的ＳＣＤ－Ｉ型高压釜制备的ＳiO2气凝胶与用胶体化学方法制备的ＰbS纳米粒子的组装体系的光学性能进行了研究,用透射电镜观察了其形貌,用光吸收谱仪及荧光光谱仪测定其光吸收谱及荧光谱。发现样品的光吸收边随温火温度升高由可见逐渐移到红外波段,样品的光致发光强度随退火温度上升先增强直至５７３Ｋ,而后随退火温度上升而减弱,我们认为光吸这红移是由量子限域效应引起的,而荧光强度变化与ＰbS表面缺陷及激光子的复合几率变化有关。     

纳米CeO2/TiO2介孔复合体系的合成与表征

采用结构导向-超临界流体干燥(SCFD)-浸泡沉淀法制备了CeO2／TiO2介孔组装纳米复合粉体，通过TEM，XRD,BJH和BET等技术对获得的粉体进行了表征，并将其应用于光催化降解3B艳红染料和干电流变体中．结果表明，将稀土粒子CeO2组装到介孔TiO2的纳米孔道中形成的复合体系的光催化、光吸收和介电特性不同于纳米TiO2颗粒，表现出了明显的增强效应．     

CeO2 / TiO2 复合体系的有序介孔结构表征

通过有机模板-溶剂热-超临界流体干燥法获得四方相TiO₂有序介孔(2～4 nm) 粉体, 利用浸泡沉淀法将CeO₂ 填充到TiO₂的介孔孔道中, 并用HREM、TEM、BET 等分析技术, 对CeO₂ / TiO₂ 复合体系的有序介孔结构进行了表征, 初步探讨了TiO₂ 介孔结构和CeO₂ 纳米团簇结构的形成机理。结果表明, 所制备的CeO₂ /TiO₂ 体系实现了纳米尺寸结构的均匀复合。      

Ni/SiO2介孔复合体的组装与光吸收性质研究

采用溶胶-凝胶方法制备二氧化硅介孔固体,通过镍的硝酸盐溶液浸泡、干燥和随后氢热还原法,形成Ni/SiO2介孔复合体.根据DSC,XRD,TEM表征结果,纳米Ni颗粒尺寸为7～9nm,均匀地分布于SiO2介孔基体中.随着热处理温度提高,纳米颗粒尺寸增大,Ni/SiO2介孔复合体光吸收边明显发生红移.     

介孔组装纳米颗粒

利用介孔材料的纳米孔道组装纳米颗粒可获得单分散性的功能材料.本文中介绍了介孔材料的基本特性和水热法、溶胶-凝胶法、微波法等合成技术,作者率先开发了从硅酸盐矿物通过机械活化浸出来合成微介孔材料的新方法.阐述介孔材料组装精细单质、硫化物、氧化物和复合纳米颗粒的相关技术和功能化特性,分析纳米颗粒的介孔组装机理,总结了分形在介孔材料组装体系表征中的应用,并展望介孔组装纳米颗粒的发展前景.     

纳米镍/介孔二氧化硅复合材料的组装及结构和性质 Ⅰ : 纳米镍/介孔二氧化硅复合材料的制备及结构表征

利用介孔组装,可以进行纳米复合材料结构和功能设计。通过溶胶-凝胶方法,采用混合、浸泡和氢热还原工艺,获得纳米镍/介孔二氧化硅复合材料。运用DSC、XRD、XPS、TEM等手段对纳米镍/介孔二氧化硅复合材料进行表征。结果表明,纳米金属Ni颗粒的尺寸由介孔SiO₂的结构和孔径分布决定,受还原温度和成分等影响,在8~20nm范围变化,浸泡法更容易获得纳米金属颗粒均匀分布的复合材料。由于SiO₂介孔结构连通,纳米Ni表面存在氧化,纳米颗粒存在于介孔中形成壳结构。介孔二氧化硅基体中添加稀土元素Ce,有利于增强介孔基体骨架强度,限制纳米颗粒聚集长大。      

混合表面活性剂法制备介孔SiO2微球及其Semi-batch法生长

以TEOS为原料，以表面活性剂CTAB与十二胺的混合物为模板剂，以C2H5OH，C3H7OH和H2O为共溶剂，在弱碱性条件下制备出单分散SiO2介孔微球．通过调变模板剂用量以及共溶剂的比例，所得微球粒径在0．2-1．5μm范围内可调节．并采用semi—batch（半间歇加料）方法进一步生长微球，使其粒径增大到3μm．此类微球具有3nm的平均孔径和较高的比表面积，有望作为高效液相色谱（HPLC）的固定相而得到广泛应用．在以上实验的基础上，本文进一步讨论了SiO2微球生长过程中的若干理论问题．     

ZrO2:CdS薄膜的光物理性质

利用吸收和荧光光谱研究了ＺｒＯ２：ＣｄＳ薄膜的光物理特性实验观察到了随颗粒尺寸的减小ＣｄＳ的吸收带边的蓝移现象,研究了不同激发条件下的荧光光谱。发现了薄膜中ＣｄＳ的微弱的荧光发射。并且分析了介质效应对ＣｄＳ光学特性的影响。     

ZrO2及ZrO2:CdS薄膜的制备和表征

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法合成了ＺｒＯ２薄膜,并通过在ＺｒＯ２薄膜中复合ＣｄＳ纳米粒子成功地制备了ＺｒＯ２：ＣｄＳ制得的ＺｒＯ２薄膜透明并具有较好的光透射性,而ＺｒＯ２的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素,分散在ＺｒＯ２：ＣｄＳ薄膜中的ＣｄＳ纳米粒子为六方相结构,并具有较好的分散性,其平均尺寸为４～６ｎｍ。实验结果表明,ＺｒＯ２颗粒的晶化会对薄膜的光学豚表面形貌产生影响,但ＣｄＳ的形成可以抑制薄膜表     

单分散SiO2/TiO2/SiO2多层复合微球的制备

采用一种以醇盐水解法为基本的生长硅溶胶的方法,制备了粒径为200nm的单分散二氧化硅球形颗粒,并将其作为核心,利用常温连续进料的钛酸丁酯水解的多步法,在二氧化硅核心外经多次包覆形成厚层二氧化钛;在正硅酸 酯的水解和陈化环境下,将上述TiO2/SiO2复合颗粒外再包覆一薄层二氧化硅,形成一种高折射率,可用于组装光子晶体的SiO2/TiO2/SiO2多层复合微球,对该复合微球用重力沉降法、透射电镜法（TEM）、X射线能谱分析法（EDS）进行了表征。其中,重力沉降法是一种将Stokes公式为基础的复合颗粒的粒径与沉降速度关系式所得的一系列数据进行拟合外延,来测定复合颗粒的粒径及包覆厚度的方法。     

NiO-V2O 5/SiO 2光催化材料的结构和光吸收性能

采用表面改性法制备了SiO2负载的复合半导体材料NiO-V2O5．用BET、TPR、XRD、Raman、TEM、IR和UV-Vis DRS技术对固体材料的结构和光吸收性能进行了表征．结果表明V2O5在载体表面以微晶形式存在，粒径约为10nm，NiO和V2O5复合后部分形成了Ni^2＋-O-V^5＋键联，而且NiO和V2O5在固体材料表面有相互修饰作用．NiO的加入有助于提高V2O5在载体SiO2表面的分散程度，抑制V2O5的聚合，减小微晶尺寸，而且可以增强固体材料的光吸收性能，提高复合半导体对光能的利用率．     

三嵌段共聚物合成SiO2中孔材料的制备化学

采用溶胶－凝胶法,以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为前驱体,添加聚氧乙烯醚（ＰＥＯ）－聚氧丙烯醚（ＰＰＯ）－聚氧乙烯醚（ＰＥＯ）共聚物为模板剂制备结构可控的ＳｉＯ２中孔材料,通过ＢＥＴ、ＴＧ／ＤＴＡ、ＦＴ－ＩＲ、＾２９ＳｉＮＭＲ等分析手段,     

Fabrication of composite film comprising TiO2/CdS and polyelectrolytes based on ionic attraction

Composite film comprising TiO₂/CdS nanoparticles and polyelectrolytes was fabricated based on electrostatic interaction. By utilizing cationic TiO₂ and anionic CdS colloids, we realized the assembly of dissimilar nanoparticles. The alternating assembly film of TiO₂/CdS and polyelectrolytes was further characterized by several methods including UV–Vis spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). Most importantly, surface photovoltage (SPV) measurements showed that interesting photoelectron energy conversion occurred in the TiO₂/CdS composite film.     

介孔复合半导体NiO-TiO2的制备与光响应性能

采用模板剂法制备了系列NiO-TiO₂复合半导体,用N₂吸附-脱附、XRD、TPR、TEM和UV-Vis DRS等方法对半导体材料的孔结构、表面构造、能带结构与其吸光特性进行了分析. 结果表明：所制备的NiO-TiO₂为介孔结构的纳米管或带,其比表面积超过100m²/g;NiO在TiO₂表面分散均匀,并部分形成NiTiO₃固熔体;NiO与TiO₂间存在明显的复合效应,当NiO含量由2%增加至10%时,其Eg值由3.82eV降至3.49eV,有效地拓展了光响应范围.