等离子体增强型化学汽相淀积氮化硅薄膜的研究

一、引言等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)氮化硅(Si_3N_4)薄膜技术,在半导体器件,特别是在大规模集成电路和CCD中,为制作器件的钝化膜已得到广泛的重视。随着器件向高速化,高集成化发展,提高器件的稳定性和可靠性尤为重要。为更有效地保护铅条不产生断裂,并在钝化工艺完成后MOS结深不受影响,采用常压CVD和低压CVD(LPCVD)淀积Si_3N_4薄膜已不能适应器件的要求。必须寻求在更低的温度下(400℃以     

化学汽相淀积多晶硅

半导体器件工艺中多晶硅膜的应用越来越广泛。本德等人首先描述了单晶器件介质隔离用的厚多晶硅膜的热传导。最近在制作场效应晶体管(FET)的自对准栅法中采用了多晶硅做栅。在本文发表之前,范等人关于在多晶硅膜中制作相当好FET的报导,使多晶硅纳入有源器件材料。当然,在要求高速度和高封装密度的应用中,多晶硅绝比不上单晶硅器件。但是要求大面积上制作器件和不能用单晶衬底的应用中多晶硅器件则可以满足需要。     

釆用等离子体化学汽相淀积工艺制作氮化硅薄膜

近来,由于微细加工技术的进展,半导体器件的高集成化正迅速发展,每块芯片内集成的门数不断增加,并实现了短沟道化。这样,提高半导体器件的可靠性则日益成为重要课题。特别是塑料封装是降低成本的重要手段,因此必须提高处理芯片过程中的钝化技术。 到目前为止,集成电路的最终钝化膜主要采用化学汽相淀积磷硅玻璃。这对防止离子沾污来说,确实具有特别良好的钝化作用,但由于这种钝化膜中有一定浓度     

等离子化学汽相淀积

等离子激活化学汽相淀积工艺(PCVD)在许多方面都相似于熟知的化学汽相淀积工艺(CVD),它从射频激发的辉光放电得到反应能。该工艺在低温、低压下操作,可在所有光刻图形的台阶上淀积均勿一致的薄膜,而且产生的额外颗粒物质极少。     

化学汽相淀积设备

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。     

等离子体化学汽相淀积磷硅玻璃

本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比.     

Ti的激光化学汽相淀积

用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电     

化学汽相淀积技术的发展

CVD 技术是半导体器件和电路制造中应用最广泛的重要技术之一,本文首先阐述了薄膜 CVD 技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了 CVD技术从常压 CVD 向低压 CVD 和等离子体激活 CVD 技术的新发展,最后对各种 CVD 技术进行了比较。     

汽相淀积多晶硅

1.引言 近年来,多晶硅薄膜已越来越广泛地应用于半导体器件。在大规模MOS集成电路中,具有重要地位。其原因在于: (1)多晶硅薄膜作为硅栅电极代替铝栅电极具有下列优点: a.可采用自对准技术,它不存在沟道复盖问题,从而减少了单管面积,提高集成     

化学汽相淀积的发展趋势和设备

新工艺和设备以及原有工艺规程的高可靠性都愈来愈强调采用CVD加工方法;许多市场上可买到的系统的处理能力是非常灵活的。     

低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定

本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采用俄歇电子能谱仪(AES)和二次离子质谱仪(SIMS)测定膜的组份比和膜中的氧含量,特别是用(AES)法详细分析了氮化硅膜的抗氧化能力.     

二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相淀积与应用

开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。     

化学汽相淀积(CVD)技术

一、引言 化学汽相淀积技术,人们又习惯地称为CVD技术。 早在上个世纪末,有人就做过汽相淀积高熔点金属及其它化合物的试验。一百多年来,随着整个科学技术的发展,CVD技术的发展也很快,到现在为止,几乎所有物质都可以采用CVD技术。 近来,在半导体工艺中,CVD技术已占有与其它单项工艺相同或更高的组合工艺的地位。其原因是由于半导体工艺特别是集成电路工艺已成为极其微型化的技术,微细控制的必要性日益增大,而CVD技术的良好的控制性正好是解决这些问题的最适当的方法,因此,CVD技术不仅在半导体工艺方面,而且在更广阔的领域受到了重视,自     

低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.