硅PNP型大功率达林顿晶体管

达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。     

硅PNP晶体管高磷扩散工艺的改进

一、前言 高磷扩散是硅PNP晶体管制造过程中不可缺少的工序。对于普通硅PNP晶体管来说,高磷扩散的目的是使基区与铝电极引线之间形成N-N~ -Al结构,以获得良好的欧姆接触。而对于硅PNP超高频晶体管,高磷扩散还可以降低基极电阻从而改善高频噪声性能。在硅PNP晶体管的芯片加工制造过程中,高磷扩散一般     

电子辐照改造晶体管h_(FE)值

电子辐照晶体管技术在我国的研究和应用已取得可喜的进展。几年来我们做了一些工作,取得了一些实践经验和经济效益,我们的主要工作是应用电子辐照技术开展改造加工高h_(FE)值的晶体管产品(简称晶体管FZ加工)。     

电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响

本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.     

电子辐照晶体管的稳定性

本文表明了电子辐照晶体管经高温处理后参数是稳定的,由加速热老化实验得到,电子辐照失效激活能E=1.50eV,使用寿命为6600小时.     

电子辐照晶体管的研究

本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性.     

3CD104型硅PNP大功率晶体管的研制

讲述TO 257金属扁平封装3CD104型PNP大功率晶体管的研制过程。根据产品技术要求,进行产品结构及工艺流程设计,通过合理地减少发射区条形宽度,增大发射区周长和面积之比值。通过合理选取和控制基区宽度,解决大功率和高频率相矛盾的问题。测试和试验表明,该产品各项参数均满足设计指标。     

硅中铂杂质能级的电子辐照效应

观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂硅中的两个能级不是与同一个深中心有关的.     

硅外延中自掺杂效应

本文综述最近的一些自掺杂研究,这些研究有助於定量地了解自掺杂现象。特别强调与集成电路制造有关的埋层方面的研究。本文还介绍与自掺杂原因、流量影响、硅烷和 SiCl_4淀积间自掺杂的差别和 HCl 汽相腐蚀对自掺杂影响有关的新资料。目的在于提出一个能解释各种自掺杂效应的理论体制。     

集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响

对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.     

集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响

对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.     

高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170～240℃,240～290℃,以及290～340℃分别具有不同的失效机理,并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。     

低能电子辐照提高晶体管芯合格率

消除芯片工作区中的有害杂质和缺陷,对于提高半导体器件和集成电路的性能或合格率具有非常重要的意义。国内外均在努力发展各种吸除技术。我所七室电子束退火工艺试验组开展了低能电子辐照吸除技术的探索。前已报道,我们对低频大功率管和高频小功率管芯片进行低能电子辐照取得了提高管芯合格率的初步结果。最近,我们在长沙晶体管厂的协助下进行了一批新的电子辐照吸除实验,采用改进的电子辐照方法,获得了较好的结果。     

LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制

ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥８００Ｖ，耗散功率ＰＤ＝２０Ｗ，特征频率ｆＴ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点，设计思路及推广应用前景。     

横向PNP晶体管的实验研究

本文对横向PNP晶体管进行了二维分析.指出:除基区宽度以外,其图形结构对它的电特性的影响是次要的,主要的影响因素是外延层厚度和埋层的工艺处理过程.     

高性能高压横向PNP晶体管结构

本文介绍一种改进的高压横向PNP晶体管结构。用该结构制作的器件的H_(FE)和阿莱电压同高质量分立元件的一样良好,而且在350V下保持f_T大于1.5MHz。其制作工艺比以前介绍的生产互补纵向器件的那些工艺简单。还介绍了几种杂质分布和几何结构的实验结果。     

横向PNP晶体管的实验研究

本文对横向PNP晶体管进行了二维分析。指出:除基区宽度以外,其图形结构对它的电特性的影响是次要的,主要的影响因素是外延层厚度和埋层的工艺处理过程。