一种新型的高性能双极单片存贮单元

描述了一种用于几台IBM处理机的新型存贮器单元,其速度快,对读和半选时干扰不灵敏,并能给出一个大的读出信号。     

双极型半导体存贮电路

<正> 近十年来,半导体集成电路得到迅速发展,集成电路存贮器作为计算机的重要部分的存贮部件,尽管还处于幼年时期,但已占有显赫的地位。在电路研制和系统应用的研究方面都得到人们十分注意。从高速缓冲存贮器到大容量的主存贮器都在逐步采用。其主要特点是速度快,工艺简单,便于生产的自动化,有利于减轻工人的劳动强度。随着大规模集成电路的研制和工艺的逐步成熟,高速度、低功耗、高密度的半导体存贮器,     

有隐埋存贮单元的单受MOS存贮单元

比半导体读/写存贮器由单元阵列组成,每个单元有一个有源元件,即绝缘栅场效应晶体受,晶体受作在 V 形槽内,槽的正上方有一个源区或漏区,而另一源区或漏区位于隐埋的存贮电容内个。每个器件的栅极连到阵列中的一条地址线上,与地址线横交的扩散位线连到每列单元的漏极。当连接单元的位线有效,且地址线上也有电压加到栅极时,则会对单元的埋层电容充电并存贮信息,     

冷致管存贮单元

写入图1是该存贮单元的电路图,其中 abcd 是冷持电流回路,回路中有顺时钟的冷持电流表示1,无电流表示0。在写入线及助写线同时加以激励,于回路abcd 中建立冷持电流。因为助写线中的电流使冷致管变为电阻态,故写入电流通过路径 abcd。如果助写电流在写入电流切断前除去,回路能建立冷持电流。冷持电流的幅度选为     

意法半导体最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效

意法半导体最新推出的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC—DCconverters）转换解决方案。     

功率晶体管的散热

功率晶体管冷却问题的解决,涉及对从晶体管至最后的热沉的热传递机构的了解。本节将给出关于支座的安装技术及支座材料方面的知识。     

功率晶体管的散热装置

对于用銅、鋁制成的正方形散热板所测出的热阻已用曲綫形式繪制出来,并在表中列出几种已經制成的散热体。另外,可以不改变制成的散热体的外形而在散体上装上小功率的小型通風馬达,这样就能显著地改善散热性能。     

IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述

简述了IGBT的发展概况,对比了国内外的发展现状,及国内外产品的技术特点与指标。同时,还指出了IGBT的优点,研究IGBT的重要性及其发展趋势。     

双极互补晶体管逻辑(CTL)

电路中按照类似于CMOS连接的双极互补逻辑一直被认为是不实用的。真正的互补电路(没有电阻!)需要用电压输入信号控制开关。与FET场效应晶体管相对照,双极型晶体管通常是用电流信号导引的,这是因为在普通的电路中,输入电压的变化(容差、温度)会引起不容许的电流变化。下面,我们将讨论为作出真正可行的互补电路所需要的运行和设计条件。图1表示具有两路NAND CTL的门电路。这电路的输入和输出电平,在理想状态下,和供给电路的电位一样,即地或V_0。这意味着所有的晶体管的饱和压降V_(CES),在理想状态下     

功率晶体管散热器的选择

正确的选择调整晶体(PT)管的热状态是保障晶体管补偿电路(TKC)工作可靠性的重要问题之一,而对于功率调整晶体管是正确地选择散热器,并且把管子紧固在散热器上。本文不详细讨论散热器的计算问题。这些问题将在著作中加以详细讨论。     

功率晶体管的散热计算

本文介紹了在通風工作的条件下,用于功率晶体管的直角梳状散热器的計算方法。     

单管MOS存贮单元的存贮阵列和读出-再生电路

简介——破坏读出单管MOS存贮单元的读数信号随单元面积减小而减小。要达到必要小的单元面积,必需具有大的特殊电容的器件作为存贮电容器,还需要灵敏的再生放大器和补偿噪音的阵列。 对于用硅栅工艺的单元布局设计,存贮电容器建议采用电场感应的非平衡反型层作为一个电极。 提出一个门控触发器作为一个灵敏的再生放大器,它的两个输入结点各连接一条位线。这样得到的对称阵列不但是高度灵敏的(输入电压差的不可辨区大约定晶体管阀值电压的0.3)和与制造工艺参数不相关的,而且容许在触发器的每边用一条假的字线(带有假的存贮单元)进行噪音补偿。 不同的单元和再生电路已经用硅栅工艺实现。面积为1600微米~2(2.6密耳)~2的存贮单元已经成功地进行工作,读/写周期时间为350毫微秒(存贮电容为0.134微微法,每条位线64个单元或每个放大器128个单元的位线电容为0.32微微法)。     

CMOS-LED小功率晶体管在线测试器

<正> 仅用一块CMOS门电路(六反相器ZC4069)和少量元件,就可构成一简单的晶体管在线测试器,其电路如图1所示。用它可以测试焊在印刷线路板上的小功率管的极性和好坏,给检修电子线路带来了方便。     

双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究

双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上,本文对开关特性,容量,量及开关损耗等动态参数进行了详细分析,从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义,对实际应用有指导作用。     

负阻范围可调的λ双极型晶体管

<正> 负阻固态器件λ二极管由于具有功耗低、容易制造、负阻范围较大、温噪小、集成度高等众多优点,被广泛应用于开关电路、存贮器、振荡器、放大电路以及检波整流电路。目前,在国外的计算机系统、化工安全系统、公用汽车系统以及生活日用品诸如照相机、录音机、小型电视机等等,都可找到λ二极管的应用。     

功率晶体管击穿特性及测试分析

本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。     

具有内部再生的三管MOS存贮单元

现有的大规模动态MOS读/写存贮器要求使用者周期地通过特定的地址序列循环来再生存贮的数据。这种要求使这些组件的有效性受到贬损,因为在再生时间内数据不能存取,而且使系统的外围构件增加,由于增加了产生复杂再生周期和与此有关的中断所必需的逻辑。     

电动汽车功率驱动单元设计

以电动汽车用永磁同步电机为控制对象,介绍了功率驱动单元的设计方法,包括基本结构、功率器件的选取及其驱动电路设计,以及保护电路的结构和参数设计;该方法选用MOSFET作为功率器件,降低了功率驱动单元设计的成本;采用的保护电路设计方法从参数设计入手,并通过电路布局的优化,极大地降低了MOSFET漏极和源极间dudt引发的干扰,提高了功率驱动单元的性能;应用结果表明,采用该方法设计的功率驱动单元性能优良,已成功应用于电动汽车驱动系统中。     

绝缘栅双极晶体管的并联应用及保护技术

叙述了绝缘栅双极晶体管的概况、特性及并联应用的栅驱动设计、均流、散热设计应考虑的问题.介绍了几种并联应用时采用的栅驱动电路、均流措施、过压过流保护电路.     

用双离子注入晶体管实现的双极高速低功耗电路

对于延迟时间为1毫微秒以下,并且具有低功耗的高速逻辑电路,在电路设计与工艺方面都要求取最佳的参数。虽然利用埃伯斯-莫尔(Ebers-Moll)模型或者其改进的模型可以计算电路参数,但是,为了得到可靠的结果,一般说来,晶体管实验数据还是需要的。因为这些数据都是直接和工艺流程以及晶体管的尺寸相关。对于快速逻辑电路而言,基极渡越时间短,低基极电阻以及结电容要小,都是十分重要的。高速晶体管射极掺砷较为合适。然而,发展成一种可行的扩散工艺是有困难的。离子注入技术提供了一种有效的克服工艺缺点的方法。文献[2]～[7]的许多作者建立了一种离子