锗药—一类抗病保健的奇药

1.锗药的由来七十年代以来,微量元素对人体健康和治疗疾病的功效,引起了各国科学家越来越大的兴趣。锗及其化合物对人体健康和治疗疾病也成了研究的“热点”。和其他元素不同,迄今为止,尚未发现摄入或缺锗而引起的区域性疾病,但对于抑制疾病和增进人体健康的作用,早已引起人们的注意。早在四十年代,就有人对锗的化合物(如 GeO_2)的生物化学特性进行了研究,并得出锗的毒性很低的一致结论。同时还有人根据燃煤(煤中含锗)工业区因空气中含一定数量的 GeO_2,其结核病率低于一般环境工业区的事实,实验了 GO_2对结核病的疗效。又如人们发现法国——西班牙交界的法国境内的卢尔德村有一种“奇迹水”。这     

锗酸盐及硅锗酸盐

火法加工含锗矿石或固体燃料时,一般可获得高品位含锗产物。火法过程是在多组分体系中进行的,原则上可以形成各种类型的锗化合物。但是,为了便于研究并考虑到原料中锗化合物的形态,通常认为在火法过程中首先形成的是锗的“一代”化合物——一氧化锗(GeO)、二氧化锗(GeO_2)、硫化锗(GeS及GeS_2)以及元素锗。而这些“一代”化合物又可进一步与原料中的常量组分起反应形成一系列更为复杂的“二代”化合物——锗酸盐、硫代锗酸盐或锗的合金。下面着重叙述锗的“二代”化合物——锗酸盐及硅锗酸盐——的形成规律及物理化学特性。这对于采用湿法冶金过程从各种含锗产物中提取锗具有重要意义。     

废锗的再生

在锗资源中,锗石、硫银锗矿和硫锗铁铜矿等富矿,在自然界是很稀少的,大量锗均以分散的伴生态存在。由于锗资源的稀少及其冶炼技术的困难,故重视锗资源的综合利用,研究废锗金属的再生是很有意义的。目前国内锗以化合物状态(GeCl_4,GeO_2)被应用的数量较少,绝大部分是以元素状态被     

SiO_2对锗尘高温富集-盐酸浸出蒸馏中Ge提取的影响

为有效回收锗尘中的Ge,采用高温火法二次富集-盐酸浸出蒸馏对锗尘进行处理。研究了高温火法二次富集过程中SiO_2与GeO_2间相互作用规律及SiO_2对盐酸浸出蒸馏提取Ge的影响。将不同比例的SiO_2与GeO_2在不同温度下处理6 h,分析处理后物相及其对盐酸浸出蒸馏的影响。结果显示,随着处理温度升高,GeO_2固溶于SiO_2中的含量不断增大,当处理温度高于1 140℃后,GeO_2能够全部固溶于SiO_2中,盐酸浸出蒸馏Ge回收率仅11.3%左右。在SiO_2-GeO_2体系中添加CaO形成三元系后,GeO_2与CaO能够形成CaGeO_3复合氧化物,使得SiO_2中GeO_2的溶解量大大降低,盐酸浸出蒸馏Ge回收率也提高,1 140℃下添加与GeO_2相同摩尔含量的CaO后,盐酸浸出蒸馏Ge回收率从11.25%提高到87.24%。     

从含锗废料中回收锗

目前,大部分锗是从加工铅锌精矿和含锗煤过程中作为副产品回收的。工艺复杂,能耗高、消耗资金也多。随着锗器件、锗制剂等的发展,从不同含锗废料中回收锗的问题和方法已引起重视。本文综述了目前从四种含锗废料(生产锗、制取半导体器件,锗光导纤维和锗制剂)中回收锗的方法,具体的方法应视废料含锗品位和被污染情况而定。但不管用什么方法处理都需制成四氯化锗后,再按加工锗精矿的各工艺,最后生产出锗锭或单晶锗.从不同废料中回收锗,一般工艺简单、既能降低锗产品的成本,又能提高企业的经济效益,因而,具有重要的现实意义。     

电炉挥发回收锗的几个问题

我矿所产铜精矿中伴生有0.002～0.0045％的锗,为综合回收其中的铜和锗,我们曾进行过多种方案的试验,但都不太理想。后采用鼓风炉熔炼铜精矿,获得含锗一次烟尘,再用电炉挥发富集,产出含锗0.5％以上的二次尘送湿法处理,得到锗精矿(含锗10％士)的流程(见附图)。     

锗等杂质对锌电解过程影响的研究

锗经常伴生在某些氧化铅锌矿中。用湿法处理这种矿石的烟化挥发物提取锌时,锗是经常存在的杂质之一。在锌电解液内,通常认为,锗是最有害的杂质,甚至每升含锗十万分之一克,对电解沉积锌就会引起有害作用。溶液中合微量锗时,锌电流效率就会急剧地降低,并使锌变为疏松多孔。电解液含锗在1(毫克/升)以上,则不能得到完整的     

柳暗花明—锗市场展望

锗在60年代中期以后,由于受到硅的竞争,在半导体领域内一直处于需求下降的地位,长期生产不振。但近年由于锗在半导体以外新的应用不断扩大,形势为之一变,锗市场出现了新的繁荣局面,半导体锗在锗生产中所占比重日益下降。即以锗晶体管和二极管的最     

含锗褐煤的利用现状

概述了我国含锗褐煤的资源状况,分析了我国从含锗褐煤中提取锗的方法和特点,对国外含锗煤的利用现状进行了评述,提出了含锗褐煤利用的发展方向。     

从碳酸盐铅锌氧化矿中综合回收锗的工艺流程探讨

遵照毛主席关于“综合利用很重要,要注意”的教导,我们对从碳酸铅锌盐氧化矿中综合回收锗的工艺流程进行一些探讨。锗是电子工业、半导体材料的重要原料之一,它的优异性能有其特殊作用。锗在我国首先是从煤灰中提炼而得,其后从铁矿中回收和从铅锌矿中综合回收利用,目前从碳酸铅锌氧化矿中回收的产量比重最大。由于含锗煤灰利用鼓风炉二次挥发富集成功,如能多作凋查,对含锗煤源的火电厂进行综合利用,其产量将超过铅锌氧化矿的综合回收产量。一、原料情况某矿区矿床为碳酸盐氧化矿床,也有部分硅酸盐氧化矿床,其多元素化验如表1。     

超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度,(杂质)载流子浓度越低,纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12～13) N,载流子浓度1×10~(11)/cm~2,电阻率2×10~3Ω·cm,迁移率1×10~4cm~2/(V·s)。     

含锗褐煤的利用现状

概述了我国含锗褐煤的资源状况，分析了我国从含锗褐煤中提取锗的方法和特点，对国外含锗煤的利用现状进行了评述，提出了含锗褐煤利用的发展方向。     

铁矿石中锗的光谱定量分折

方法基于测定在光谱中的一对锗线和锗线的相对黑度,用交流电弧作光源,使易挥发的硫化锗从硫化铁中分馏出来。被分析的矿石在分析前与硫、石英和内标元素组成的缓冲剂混合,用无锗的铁矿及光谱纯二氧化锗作标准,分析范围0.00055～0.1％,百分均方误差为±11.5％。 1.标准试样的制备取不含Ge及Sb的矿样作为空矿,加入一定量光谱纯GeO_2,配制一个0.1％的标准后逐渐用空矿稀释得0.1％,0.01％,0.0033％,0.0011％,0.00055％五个标样。空矿成分: SiO_2—36.44％ Al+Ti—10.09％ Fe_2O_3=30％ CaO—0.56％ MgO-0.74％ Pb-0.01％     

CL-N235萃淋树脂吸萃分离锗的研究

研究了CL-N235萃淋树脂从酸性溶液中吸附分离锗的性能。结果表明，在pH值为2．0～2．5的H2SO4介质中，在酒石酸的协萃作用下，树脂对锗有良好的吸附性能。可有效地从含锗溶液中分离富集锗，被吸附的锗可用NH4F溶液定量洗脱。对吸附过程机理进行了初步研究，证实吸附为阴离子交换过程。     

高纯GeCl_4中杂质的化学光谱测定

一、前言 锗是重要的半导体材料,近年来,随着探测器技术的发展,对锗的纯度提出了愈来愈高的要求。在锗的工艺中,锗的中间产品GeCl_4的纯度在很大程度上决定了锗的质量。因此,工艺上迫切需要解决高纯GeCl_4纯度     

从鼓风炉炼铜烟尘中提锗

滥泥坪矿铜矿石中伴生有稀散元素锗。经浮选,锗大部分富集于铜精矿中。铜精矿经鼓风炉熔炼,锗呈GeO、GeS形态挥发,进入烟气;烟气经收尘系统得出两种含锗烟尘:一种为布袋和表面冷却烟道尘(简称细尘),含锗0.085～0.27％;另一种为旋涡收尘器烟尘(简称粗尘),含锗0.01～0.03％,含铜9.1～14.6％。过去竟将粗尘当做铜精矿使用,而使其中的锗白白地损失了。     

锗的新用途应引起重视

锗目1886年问世以来,特别在第二次世界大战以后,随着电子技术的发展,锗半导体器件被大量制造和应用,使锗—跃而成为半导体领域(特别是电子技术)十分重要的元素。但是,从六十年代中期,随着硅半导体器件的发     

锗在冶金分析中几个问题的探讨

锗的治金物料种类较多,可大致分为三类：含锗原料、湿法或火法冶金中间产物以及锗粗级产品。与含锗量对应被文泛采用的分析方法也有3种：痕量锗(＜0.001%)采用萃取-笨芴酮水相光度法[1-3];微量锗(＜0.2%)采用蒸馏-苯芴酮水相光度法[4];高含量锗(＞0.2%)采碘酸钾滴定法[5-7].     

低品位含锗褐煤烟尘二次富集提锗工艺研究

考察了硫化剂黄铁矿精矿对含锗褐煤旋涡炉烟尘中低品位锗资源二次挥发富集效果的影响,并结合微观结构分析及热重分析,采用HSC软件分析了含锗烟尘二次挥发富集过程的机理。结果表明,随着黄铁矿精矿用量、硫化反应温度、硫化反应时间的增加,烟尘中含锗量逐渐下降。在硫化剂黄铁矿精矿添加量20%、反应温度1 200℃、反应时间6h条件下,烟尘中锗的挥发率为91.82%,获得的二次烟尘平均锗含量为15.22%,实现了低品位含锗烟尘中锗的二次富集。     

锗

半导体锗、硅的生产比例从1969年开始倒转以来,七十年代锗的市场益趋衰落,但近年来在半导体外增加触媒、医药等新用途,而又有光明前途. 市场动态 1955年开始,五十年代我国电子工业即晶体管用的半导体材料锗占主流,打下了电子工业飞跃发展的基础.但1965年以来到六十年代后期与其相竞争的材料硅由于性质优越和成本低,而占领先地位. 从1979年12月半导体硅、锗元件的生产比较来看,晶体管中硅管三亿五千万个,锗管八百万个仅占1/40弱.二极管硅三亿七