高补偿硅的阻-温特性

采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。     

高阻硅中深能级与少子寿命的研究

本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。     

补偿硅的温度敏感特性

采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5103,5600,6103,6502 K。这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性。     

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值（材料常数）的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析．结果表明：这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关．     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计 ,讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上 ,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性 ,特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器 ,设计、选择了加工工艺 ,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式 ,讨论了传感器补偿电路的实现方案     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施.文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较.针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案.     

光伏法研究掺金硅特性

本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０~（１２）～６．６２×１０~（１５）ｃｍ~（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计，讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上，采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性，特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器，设计、选择了加工工艺，给出了压敏电阻的近似温度补偿公式，讨论了传感器补偿电路的实现方案。     

可编程温度补偿晶体振荡器技术

介绍了一种新型的可编程温补晶振(TCXO),它是在传统的温补晶振基础上,结合锁相技术及新工艺研制而成。该可编程温补晶振输出频率可以根据用户需要进行再设置,不仅具有传统温补晶振的优点,而且使用灵活、方便。通过对10~300 MHz频率范围内的可编程温补晶振的实验,已获得了很好的效果。在-55℃~85℃的温度范围内,频率温度稳定度优于±2 ppm。利用贴装、混合工艺等使晶振的体积做到20.4 mm×13 mm×10 mm(D IP14)。     

中波红外光学补偿三视场光学系统

针对320×240元致冷型凝视焦平面阵列探测器,设计了一种中波红外光学补偿三视场光学系统。该系统由变 焦物镜系统和二次成像系统构成,包括8块透镜(引入3个高次非球面,其余均为球面),并采用两个反射镜折叠光路。利用光学补偿变焦 原理和光学设计软件给出了系统的光学外形结构图,并对其像质和工艺性进行了分析。该系统可以通过对一组透镜的轴向定点移动实现 20°×15°、3.5°×2.6°和1.3°×1°三个视场的切换,系统变倍比为 1∶15。各视场在16 lp/mm空间频率处的光学传递函数(MTF)值均大于0.5,弥散斑直径的均方根(RMS) 值均小于20 m。工作波段为3.7 ～ 4.8 m,满足100 %冷光阑效率。该系统结构紧凑,工艺性好,成像质量高。     

自适应选择联合补偿预测模式的立体视频编码算法

运动补偿预测．视差补偿预测以及两者相结合的联合补偿预测是研究立体视频编码的关键技术。不同预测模式不仅考虑了左右视频通道各自的时间相关性、而且考虑到了左右视频通道之间的空间相关性。本文提出了一种自适应选择预测模式的立体视频编码算法,并在预测模式确定后通过选取不同的加权值来达到联合补偿预测的目的。实验结果表明,本文提出的算法在改善编码性能的同时,提高了编码速度。     

一种高温度性能的CMOS带隙基准源

提出了一种正负温度系数电流产生电路,使用分段线性温度补偿技术用于传统的电流模式基准电路中,改善CMOS带隙基准电路在宽温度范围内的温度漂移.采用0.18μm CMOS混合信号工艺,对该电路进行了设计.在1.8V的电源电压条件下,基准输出电压为0.801 V,温度系数在-40℃-125℃范围内可达到2.7ppm/℃,电源电压从1.5V变化到3.3V的情况下,带隙基准的输入电压调整率为1.2mV/V.     

一种分段线性补偿的带隙基准

提出了一种采用分段线性补偿的方法来实现高精度带隙基准 ,其基本原理是将整个温度区间分为若干个子区间 ,在不同子区间上采用不同线性补偿函数达到最佳补偿 .由于温度区间缩小 ,补偿误差也随之减小 ,从而在整个工作温度区间上的补偿误差也缩小 .理论上 ,只要温度子区间取得足够小 ,就可以达到任意精度 .示例中将 - 4 0～ 1 2 0℃的温度区间仅分为三个子区间 ,平均温度系数就从 1 .5× 1 0 - 5/℃减小到 2× 1 0 - 6 /℃ .     

一种分段线性补偿的带隙基准

提出了一种采用分段线性补偿的方法来实现高精度带隙基准,其基本原理是将整个温度区间分为若干个子区间,在不同子区间上采用不同线性补偿函数达到最佳补偿.由于温度区间缩小,补偿误差也随之减小,从而在整个工作温度间上的补偿误差也缩小.理论上,只要温度子区间取得足够小,就可以达到任意精度.示例中将-40～120℃的温度区间仅分为三个子区间,平均温度系数就从1.5×10-5/℃减小到2×10-6/℃.     

一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源

设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18 μm 混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5 V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224 V,在-40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,电源抑制比为-77.58 dB,消耗电流为225.54 nA。