GE和KM白光0LED达到照明质量 可高速生产

GE全球研发中心日前宣布,GE照明与柯尼卡美能达公司（KM）在OLED开发上取得重大突破,两家公司在制造高效率OLED上又迈进了一步。GE与KM的研发人员展示了达到照明质量的白光OLED,效率达到56lm／W,它所运用的基于溶液的涂层材料是实现低成本制造OLED的重要条件。GE的OLED照明技术带头人Anil Duggal于荷兰埃茵霍温举行的国际光源科技大会上宣布了此项最新技术进展。     

技术动态-GE推新型荧光粉大幅提高LED产品显像品质

GE照明（GE Lighting）和通用电气全球研发中心（GE GIobal Research）的科学家研发出一种荧光粉，这种荧光粉封装在LED内部，可以将LED电子产品的影像品质提升到新的高度。通用电气的专利解决方案包括将混有锰的氟矽酸钾（PFS）作为红线发射体添加刮LED设备中。与顶级氮化物磷光剂相比，任LED系统中采用PFS磷比刺能够产生更清晰、更干净和更其实的微红色，从而减少颇色溢出，产生色彩更丰富的影像。     

随意弯曲柔性OLED显示屏原型曝光

自从OLED（有机发光显示器）问世以来，关于OLED可实现的柔性显示（就是可以在不用的时候把它卷起来）甚少被人提及，如果你尝试将SONYXEL-1OLED电视对折．结局绝对是个悲剧。在一年一度的CES上。联合显示（Universal Display）公司终于向人们展示了柔性OLED原型，在此原型上，你可以随意弯曲折叠OLED显示屏．而不会影响显示屏的寿命和效果。     

产品信息

索尼开发出专业4K OLED监视器索尼宣布开发出了专门为专业应用打造的新型4K OLED监视器。作为为广播和节目制作领域先进的显示技术不懈努力的一部分,索尼已经开发了专业人员所需,能够以最高级别的精确度还原视频信号的4K OLED监视器。为了展示自己的研发成果,索尼将在内华达州拉斯维加斯的2013NAB展览上,展示一款30     

OLED显示技术探微

目前OLED技术正在全球范围内兴起投资和研发热潮.以OLED自发光、重量轻、广视角、高对比、低耗电及高响应速度等优异特性,预期当相关技术成熟之后,OLED产品将会迅速抢占目前的平板显示器市场.本文将从不同技术层面,剖析OLED显示技术,并简要介绍国内的研发状况.     

软板用油墨、光通讯技术取得台SBIR补助

尚洪所提“软性电路板COF用防焊油墨开发计划”近日在“小型企业创新研发计划（SBIR）”通过,这一计划是由台湾地区“经济部”指导的中小企业创新研发计划。     

松下CES发表56吋4K OLED电视面板系统

松下宣布,已研发出一款全球最大、尺寸达56寸的4K(3840x2160;829万像素)OLED面板,并将于美国拉斯维加斯举行的"2013 InternationalCES"上进行展示。Sony、松下于2012年6月25日发布联合新闻稿宣布,将携手研发使用于电视/大尺寸显示器的次世代OLED面板,目标为在2013     

四川长虹OLED生产线上马

由四川长虹投资控股的具有自主知识产权OLED屏生产线项目破土动工，一期项目总投资7．05亿元，其中四川长虹占总投资额的60％，此举标志着该项目正式进入建设期。根据规划，该OLED屏生产线项目将于明年一季度建成投产，形成年产1200万片OLED显示屏（以1寸计算）的生产能力，产品以PM（被动矩阵）OLED为主。该项目的起步技术来源于四川长虹收购并控股的韩国ORIONOLED公司，韩国ORIONOLED公司早在2000年就开始进行OLED技术研发，四川长虹因此获得了OLED知识产权和核心技术。     

日企弱化OLED 两岸携手对抗韩企

正当大部分彩电厂商将目光聚焦在LED（发光二极管）和3D电视市场时,日韩企业却在下一代主流显示技术OLED（有机发光二极管）方面形成了相左的意见：一方面,包括索尼、东芝在内的日系企业相继退出关于OLED技术的研发;另一方面,在韩国政府积极政策的引导下,三星、LG电子正在抓紧制订OLED发展战略。我国彩电企业在平板时代和3D时代不占优势的情形下,抓住OLED机遇,两岸携手或有胜盘的机会。     

全球最亮LED光源突破散热问题寿命达6万小时

在中国台湾地区首届LED照明展（LED Lighting Taiwan 2005），会上，新强光电（NeoPac Lighting）展出了一种新开发的超高功率的单封装发光二极管（LED），输出功率可达30W，号称是目前全球以LED作为亮点光源的最亮产品。     

新光源＆新能源照明展览会暨论坛同上海NEPCON展一起圆满落幕

由励展博览集团与国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同打造的“2010上海国际新光源＆新能源照明展览会暨论坛”（Green Lighting Shanghai Expoand Forum 2010）在上海光大会展中心圆满落幕,PHILIPS、ASTRI、CyberEnergy、上海三思、比亚迪、远方光电、浙江名芯、中为光电等照明产业领先厂家纷纷登场,全面呈现了目前最为领先的产品及技术解决方案。据统计,为期三天的Green Lighting 2010,总共吸引了4,665名行业观众与专业买家前来参观、采购。     

Novaled的OLED技术创出之发光效率达110lm／W

Novaled有限公司日前宣布，成功研发了发光效率为1101m／W（流明／瓦；具有1000cd／m^2亮度）的OLED绿光组件，创下了有机发光二极管（OLED）新的世界纪录。OLED是由几层纳米厚的有机材料制成的半导体，经由电流驱动发光，OLED据称代表平面电视及各式新型照明应用的未来。     

维信诺携自主研发的OLED产品亮相IIC—China上海站

3月13日消息。在本届IIC—China上海站的展会上，本土厂商维信诺公司（Visionox）带来了自主研发的一系列OLED产品。维信诺公司是基于清华大学有机发光显示器技术成立的，经过10多年的研发，系统掌握了OLED材料、器件、工艺和驱动等关键技术。目前已经申请了150多项专利。参与了OLED国际标准和国家标准的制定。     

五大展区打造全产业链盛会

日前,从励展博览集团传出最新消息,由国家半导体照明工程研发及产业联盟（以下简称CSA）与该集团共同主办＂Green Lighting China2011＂（2010年5月11-13日,上海国际展览中心）总体规划已经全部完成。据悉,以＂打造中国LED照明行业全产业链、高附加值展会＂为目的展会共规划了五大专区,覆盖了LED照明行业的各个领域。     

Green Lighting Shanghai推出：2012年LED外延芯片产业热点关注

“2012年，在LED外延芯片领域，竞争必然更为激烈，特别是LED外延芯片标准、最新技术研发趋势、市场竞争与价格走势等几个方面将是整个LED行业值得重点关注的方向。”Green Lighting Shanghai组委会负责人说，“作为2012上半年国内最具影响力的产业活动，我们将密切关注国内LED产业链各环节最新动态，并将通过2012上海国际新光源＆新能源照明展览会暨论坛（Green Lighting Shanghai2012）这一权威性、专业性和国际化交流平台呈献给行业人士。”     

欧司朗将OLED照明光效提升至46流明／瓦

欧司朗（Osram）光电半导体宣布在经过短短两年的研发后，已刷新了暖白光有机发光二极管的实验室记录。本有机发光二极管照明设备（即OLED照明）的光效可达到46流明／瓦，亮度高达1000坎德拉／平方米，寿命更长达5000多个小时，首次实现了OLED两个关键特性的同步提升。     

日本厂商研发出低成本大尺寸OLED面板

在解析度和耗电方面均优于液晶面板的OLED面板,目前正在加快超大尺寸方面发展。日本综合化学大厂住友化学已研发出一款可用于低成本生产大尺寸有机EL（OLED）面板的新类型发光材料,在2011年内,住友化学将投数十亿日元资金在大阪工厂兴建生产设备,并计划于2012年初领先全球进行量产。     

40/100Gbit/s测试技术分析

1概述自从2010年6月IEEE发布802.3ba40GE/100GE标准以来,40GE/100GE成为了电信业的焦点。经过近2年的努力,40GE/100GE系统研发已经基本完成。从2012年3月的OFC展会可以看到,从芯片、光收发模块供应商到系统设备厂商以及测试厂商,都已经为100Gbit/s时代做好了准备。从2011年底开始,中国的三大运营商对各设备供应商提供的40/100Gbit/s传输设备进行了（或者正在准备进行）测试。     

采用垂直一列式原理制造OLED器件

本文推出了采用垂直一列式生产线制造有机发光二极管（OLED）的成果。此款OLED在6V电压驱动下可实现100cd／m^2的亮度，此时的电流效率和光效分别约为7cd／A和21m/W。基于预期之单层数据的均匀性，样品展现了出色的均匀性。其使用寿命与采用传统点源设备制造的OLED相当。同时展示了使用溅镀阴极可以达到的合理使用寿命。     

LiF层作为空穴阻挡层的绿色OLED的光电性能研究

采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为：ITO/m-MTDATA（50nm）/LiF（xnm）/NPB（10nm）/Alq（5nm）/C545T（0.05nm）/Alq（55nm）/LiF（1nm）/Al,都获得了性能稳定的绿色OLED器件。从实验结果分析可知：绿色OLED器件的电流-电压（I-V）特性曲线、亮度-电压（L-V）曲线、亮度-电流（L-I）曲线及效率等光电性能随着LiF厚度的变化而随之改变。从其中总结规律,对OLED器件制作工艺有一定的指导作用。